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市場調査レポート
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1891478

リソグラフィ装置の市場規模、シェア、成長および世界産業分析:タイプ別・用途別、地域別洞察と予測(2024年~2032年)

Lithography Equipment Market Size, Share, Growth and Global Industry Analysis By Type & Application, Regional Insights and Forecast, 2024-2032


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英文 150 Pages
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リソグラフィ装置の市場規模、シェア、成長および世界産業分析:タイプ別・用途別、地域別洞察と予測(2024年~2032年)
出版日: 2025年12月01日
発行: Fortune Business Insights Pvt. Ltd.
ページ情報: 英文 150 Pages
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  • 概要

リソグラフィ装置市場の成長要因

半導体メーカーが微細化、先進パッケージング、高性能集積回路の開発を推進する中、世界のリソグラフィ装置市場は急速な拡大を続けております。業界の推定によると、市場規模は2024年に276億6,000万米ドルに達し、2025年には297億6,000万米ドルに成長し、2032年までに551億3,000万米ドルに急増すると予測されており、予測期間中の安定したCAGR(9.2%)を反映しています。2024年には欧州が42.55%のシェアで世界市場をリードしており、これは主にASMLの存在と、先進的なリソグラフィ技術に特化した強力な研究開発エコシステムに支えられています。

リソグラフィ装置は、フォトマスク上の回路パターンをシリコンウエハーに転写する半導体製造において極めて重要な役割を担っております。このプロセスは、マイクロプロセッサ、メモリチップ、パワーデバイス、MEMS、LED、および先進的なパッケージング構造の製造に不可欠です。半導体メーカーがトランジスタの高密度化と高性能化を追求する中、極端紫外線(EUV)、先進深紫外線(DUV)、マルチパターニングリソグラフィシステムの需要が急激に高まっています。

リソグラフィ技術革新への生成AIの影響

生成AIは、マスク設計、露光最適化、レンズシミュレーション、システム全体の効率性向上を通じて、リソグラフィーのエコシステムを大きく変革しています。AIアルゴリズムは数百万の設計パターンを評価し、歪みの低減、オーバーレイ精度の向上、開発サイクルの短縮を実現します。EUVリソグラフィにおいては、生成AIがマスク構造と露光パラメータを最適化し、試行錯誤によるエンジニアリングを削減するとともに歩留まりを向上させています。こうした改善は、ハイエンドリソグラフィ装置の価値提案を強化し、先進的な半導体ファブ全体での迅速な導入を支援します。

市場動向

2024年から2025年にかけて最も顕著な動向の一つは、先進リソグラフィ技術への需要拡大です。特にモバイルプロセッサ、AIアクセラレータ、自動車用IC、エッジコンピューティングデバイスに採用される最先端プロセスノード向け需要が高まっています。微細化と高集積化への要求が、EUVシステムおよびマルチパターニングDUVシステムへの移行を推進しています。

例えば、2023年12月には、ニコン株式会社が高度な歪み補正機能と高スループット性能を備えたArF液浸露光装置「NSR-S636E」を発表しました。このような革新は、より高度なIC設計への移行を加速させ、リソグラフィ装置の需要を強化しています。

成長要因

モバイルデバイス、電気自動車、データセンター、通信、自動化技術などにおける半導体集積回路の需要拡大が、市場成長の最も強力な推進力であり続けております。新世代のチップごとに、より複雑なリソグラフィ工程が大幅に必要となるため、ファブはEUV技術と高精度DUV技術の両方への投資を迫られております。

3D IC、2.5Dインターポーザー、ファンアウトウエハーレベルパッケージング(FO WLP)を含む先進パッケージング技術の台頭は、ヘテロジニアス統合に対応可能なより複雑なリソグラフィ装置を必要とします。チップレットベースのアーキテクチャへの移行が加速するにつれ、先進パッケージングをサポートするリソグラフィシステムの需要はますます高まる見込みです。

抑制要因

堅調な成長見通しにもかかわらず、次世代リソグラフィシステムの高度な複雑性とコストに起因する課題が市場には存在します。EUV装置には高度な光学系、強力な光源、先進材料、高精度制御システムが求められます。マスク欠陥、光源出力の制限、プロセス安定性に関連する技術的障壁がさらなる課題をもたらします。これらの要因が開発サイクルの長期化と多額の設備投資を必要とし、世界最大級のファウンダリのみがアクセス可能な状況を生み出しています。

セグメント概要

2024年時点では、DUVリソグラフィが成熟度の高さ、低コスト、幅広い製造工程への適応性から主流を占めました。しかしながら、高性能アプリケーション向けに微細化が進むにつれ、EUVリソグラフィが最も高いCAGRで成長すると予測されます。

技術別では、ArF液浸露光が45nm以下の微細構造を高スループットで形成できることから最大のシェアを占めました。一方、マスクアライナはMEMS、光電子デバイス、小規模製造分野での需要拡大により最も急速な成長が見込まれます。

用途別では、先進パッケージングが最大のシェアを占めましたが、LEDセグメントはLED光源の長寿命性と効率性により、最も急速な拡大が見込まれています。

地域別洞察

欧州は2024年に117億7,000万米ドルの市場規模を維持し、ASML社のEUV技術における優位性と強力な研究開発パートナーシップにより、世界の導入をリードし続けております。北米は半導体製造能力への投資とサプライチェーン強化を背景に、着実な成長を示しております。アジア太平洋は、TSMC、サムスン、SMICなどの主要ファウンダリが次世代チップ向けに高度なリソグラフィシステムを必要としていることから、最も高いCAGRを記録すると予想されます。

目次

第1章 イントロダクション

第2章 エグゼクティブサマリー

第3章 市場力学

  • マクロおよびミクロ経済指標
  • 促進要因、抑制要因、機会、および動向
  • 生成AIの影響

第4章 競合情勢

  • 主要企業が採用するビジネス戦略
  • 主要企業の統合SWOT分析
  • 世界のリソグラフィ装置主要企業(上位3~5社)の市場シェア/順位(2024年)

第5章 世界のリソグラフィ装置市場規模の推定・予測(セグメント別、2019-2032年)

  • 主な調査結果
  • タイプ別
    • EUV
    • DUV
  • 技術別
    • ArFスキャナー
    • KrFステッパー
    • i-lineステッパー
    • ArF液浸
    • マスクアライナ
    • その他(レーザーダイレクトイメージングなど)
  • 用途別
    • 先進パッケージング
    • LED
    • MEMS
    • パワーデバイス
  • パッケージングプラットフォーム別
    • 3D IC
    • 2.5Dインターポーザー
    • ウエハーレベルチップスケールパッケージング(WLCSP)
    • FO WLPウエハー
    • 3D WLP
    • その他(ガラスパネルインポーザーなど)
  • 地域別
    • 北米
    • 南米
    • 欧州
    • 中東・アフリカ
    • アジア太平洋

第6章 北米のリソグラフィ装置市場規模の推定・予測(セグメント別、2019-2032年)

  • 国別
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ

第7章 南米のリソグラフィ装置市場規模の推定・予測(セグメント別、2019-2032年)

  • 国別
    • ブラジル
    • アルゼンチン
    • その他南米諸国

第8章 欧州のリソグラフィ装置市場規模の推定・予測(セグメント別、2019-2032年)

  • 国別
    • 英国
    • ドイツ
    • フランス
    • イタリア
    • スペイン
    • ロシア
    • ベネルクス
    • 北欧諸国
    • その他欧州

第9章 中東・アフリカのリソグラフィ装置市場規模の推定・予測(セグメント別、2019-2032年)

  • 国別
    • トルコ
    • イスラエル
    • GCC
    • 北アフリカ
    • 南アフリカ
    • その他中東・アフリカ

第10章 アジア太平洋のリソグラフィ装置市場規模の推定・予測(セグメント別、2019-2032年)

  • 国別
    • 中国
    • インド
    • 日本
    • 韓国
    • ASEAN
    • オセアニア
    • その他アジア太平洋地域

第11章 主要10社の企業プロファイル

  • ASML Holding NV
  • Nikon Corporation
  • Canon, Inc.
  • EV Group
  • Veeco Instruments Inc.
  • SUSS MicroTec SE
  • Shanghai Micro Electronics Equipment(Group)Co. Ltd.
  • Neutronix Quintel Inc.
  • JEOL Ltd.
  • Onto Innovation

第12章 主なポイント