先進ノード向け次世代リソグラフィ技術：技術と応用

将来のチップ製造を支える戦略的基盤

半導体産業は、従来のリソグラフィ技術の物理的・経済的限界に近づきつつあり、3nm以下への微細化と2nm以下の時代へ進むために不可欠な次世代パターニング技術の出現を促しています。本レポートでは、高NA EUV、マルチ電子ビーム、ナノインプリント、軟X線リソグラフィーを含む次世代リソグラフィ技術の進化、エコシステムを支える要素、および戦略的意義について探求します。

レジスト、ペリクル、フォトマスク、計測技術、計算リソグラフィの進歩が、ロジック、メモリ、ヘテロジニアス統合アプリケーションにおいて、これまでにない精度と歩留まりの向上をどのように可能にしているかを検証します。本調査では、ASML、ツァイス、TSMC、インテル、EVGなどの主要ファウンダリおよび装置メーカーによる最近の導入事例を強調し、将来のイノベーションを形作る特許動向を分析します。

成長要因、制約、新興機会を詳細に分析し、Frost & Sullivanは主要な成長経路を特定しています。これには、2nm未満プロセス向け高NA EUV、EUVを超えるソフトX線リソグラフィ、プロセス最適化のためのAI統合デジタルツインソリューションが含まれます。本レポートは、ファウンダリ、政策立案者、エコシステムパートナーが技術的リーダーシップを確保し、高資本リスクを管理し、ムーアの法則を次の10年に拡大するための戦略的提言をもって締めくくられています。

目次

戦略的要請

• 成長がますます困難になっている理由とは？
• The Strategic Imperative 8
• 次世代リソグラフィ産業における上位3つの戦略的インペラティブの影響
• 成長機会がGrowth Pipeline Engineを牽引
• 調査手法

成長機会分析

• 分析範囲
• セグメンテーション

成長促進要因

• 成長要因
• 成長の制約要因

次世代リソグラフィーの導入

• 定義と範囲
• リソグラフィ業界の進化
• 実現要因とエコシステム

次世代リソグラフィにおける新興技術

• 極端紫外線リソグラフィーと高開口数EUV
• EUVおよび高NA EUVにおける最近の導入事例
• 多重電子ビームリソグラフィー
• MEBLの最近の導入事例
• ナノインプリントリソグラフィー
• NILにおける最近の導入事例
• マルチパターニングを用いた深紫外線リソグラフィー
• マルチパターニングを用いた深紫外線リソグラフィの最近の導入事例

デバイスクラス別用途

• 次世代ロジックを実現するリソグラフィ技術の進歩：GAA/CFET
• 次世代メモリを実現するリソグラフィ技術の進歩：DRAMおよび3D NAND
• 高度なパッケージングおよびヘテロジニアス統合を実現するリソグラフィ技術の進歩
• フォトニクス、マイクロLED、特殊デバイスを実現するリソグラフィ技術の進歩

調査とイノベーション

• 特許動向と主要出願企業
• 地域別調査・特許動向

展望

• 次世代リソグラフィの将来性とムーアの法則への影響
• 戦略的示唆と提言

成長機会ユニバース

• 成長機会1：高NA EUVリソグラフィー：2nm以下のノード
• 成長機会2：EUVを超える軟X線リソグラフィー
• 成長機会3：AIとデジタルツイン技術の統合

付録と今後の取り組み

• 成長機会のメリットと影響
• 今後の取り組み
• 免責事項