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高帯域幅メモリ：市場シェア分析、産業動向と統計、成長予測（2025～2030年）

High Bandwidth Memory - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2025 - 2030)

出版日
ページ情報
英文 120 Pages
納期
2～3営業日
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高帯域幅メモリ：市場シェア分析、産業動向と統計、成長予測（2025～2030年）
出版日: 2025年03月18日
発行: Mordor Intelligence
ページ情報: 英文 120 Pages
納期: 2～3営業日
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概要

高帯域幅メモリ市場規模は2025年に31億7,000万米ドルと推定され、2030年には100億2,000万米ドルに達すると予測され、予測期間（2025～2030年）のCAGRは25.86%です。

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高帯域幅メモリ（HBM）は、3DスタックSDRAM用の高速コンピュータメモリインターフェースであり、通常、高性能グラフィックスアクセラレータ、ネットワークデバイス、スーパーコンピュータで使用されます。

高帯域幅メモリ（HBM）市場の成長を牽引する主要因としては、高帯域幅、低消費電力、高拡大性メモリへのニーズの高まり、人工知能の採用増加、電子機器の小型化動向の高まりなどが挙げられます。

回路上に8個のDRAMダイを積み重ね、TSVで相互接続することで、HBMは比較的小さなフォームファクタで、少ない消費電力ながら大幅に高い帯域幅を記載しています。また、128ビットのチャネルと合計8チャネルにより、HBMは1,024ビットのインターフェースを記載しています。4つのHBMスタックを持つGPUは、4,096ビットのメモリバスを提供することになります。

例えば、2024年6月、米国のメモリチップメーカーであるMicron Technologyは、米国内に先進的高帯域幅メモリチップのテスト生産ラインを建設しました。同社は、AIブームによる需要をさらに取り込むため、マレーシアで初めてHBMを製造することを検討しています。

グラフィックス用途の増加に伴い、高速な情報配信（帯域幅）に対する欲求も高まっています。そのため、HBMは性能と電力効率の面で以前から使用されていたGDDR5よりも優れており、高帯域幅メモリー市場の成長機会をもたらしています。

さらに、大手半導体ベンダーは、COVID-19の大流行により生産能力を低下させながら作業を行りました。さらに、労働者不足のため、中国の多くの包装工場やテスト工場が操業を縮小、あるいは停止しました。このため、このようなバックエンドの包装やテスト能力に依存しているチップ企業にとってはボトルネックとなりました。

しかし、市場の成長を後押しする要因としては、人工知能の採用の増加、低消費電力、高帯域幅幅、拡大性の高いメモリに対する需要の増加、電子機器の小型化傾向の高まりなどが挙げられます。

高帯域幅メモリ市場の動向

自動車とその他の用途セグメントが大きく成長する見込み

  • 高帯域幅メモリの用途は、自動運転車やADAS統合の台頭により自動車産業に広がっています。自動車産業の進歩が高性能メモリの採用を促進し、HBM市場の成長を支えています。
  • HBMは、2.5D技術を使用して従来のDRAMを改良することで進化し、CPUに近づけると同時に、信号駆動に必要な電力を削減し、RCレイテンシを最小限に抑えています。自律走行市場は拡大しており、環境の解釈と分析にデータセットを広範囲に使用しています。誤作動や差し迫った大惨事を防ぐため、データ処理は非常に速いペースで行われています。高速で強力なGPUの需要は、システムに搭載される高帯域幅メモリーの需要を高めています。
  • 2024年3月、メモリーチップメーカーのSamsung Electronicsは、第6世代のAIメモリーHBM4とAIアクセラレーターMach-1の開発に伴い、生産歩留まりを上げるためにメモリーチップ部門内に高帯域幅メモリー（HBM）チームを設置しました。新チームはDRAMとNANDフラッシュメモリの開発・販売を担当します。
  • 先進運転支援技術は、自律走行と並んで自動車産業でかなり普及しています。以前のADAS設計では、DDR4やLPDDR4のようなメモリチップが使用されていました。しかし、自動車産業が費用対効果からより優れた性能パラメータへと移行するにつれ、ADASメーカーはHBM技術を設計アーキテクチャに組み込むようになりました。
  • 自動車における技術の急速な進歩と、自動車におけるエッジ技術の利用の増加は、調査対象市場における高帯域幅メモリとDDRAMの売上を押し上げると予想されます。

北米が市場で最大のシェアを占める

  • 北米におけるHBMの高い採用率は、主に高速データ処理に高帯域幅メモリソリューションを必要とするハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）用途の成長によるものです。北米におけるHPC需要は、AI、機械学習、クラウドコンピューティングの需要増加により拡大しています。
  • 急速に変化する技術や、産業全体にわたる大量のデータ生成により、効率的な処理システムの必要性が生じています。これらも、同地域の高帯域幅メモリ市場の需要を促進する要因の1つとなっています。
  • さらに、米国政府はデータセンター最適化イニシアチブ（Data Center Optimization Initiative：DCOI）を開始し、国内の多くのデータセンターを統合することで、納税者への投資対効果を高めながら、国民により良いサービスを提供することを目指しています。この統合プロセスには、ハイパースケールデータセンターの構築と、パフォーマンスの低いデータセンターの閉鎖が含まれます。Cloudsceneによると、米国には2024年3月時点で約5,381のデータセンターがあるといいます。
  • 北米のメモリー製造企業は、製品拡大の機会をうかがっています。例えば、Intelは高帯域幅メモリー（HBM）を搭載した次世代Sapphire Rapids（SPR）Xeonスケーラブルプロセッサの発売を発表しました。Sapphire RapidsがサポートするDDR5は、サーバー用メモリの現在の動向であるDDR4に代わって高帯域幅メモリ（HBM）をサポートする見込みで、CPUが利用できるメモリ帯域幅を大幅に拡大する可能性があります。

高帯域幅メモリ産業概要

高帯域幅メモリ市場は非常に細分化されています。市場の競争は激しく、複数の大手企業が参入しています。この産業の競争企業間の敵対関係は、主に技術革新、市場浸透、競争戦略力によるサステイナブル競争優位性にかかっています。資本集約的な市場であるため、撤退障壁も高いです。同市場の主要企業には、Intel株式会社、Toshiba Corporation、Fujitsu株式会社などがあります。

  • 2024年4月-TSMCはSK Hynixと次世代HBM（高帯域幅メモリー）と次世代包装技術の開発に関する覚書を締結。SK Hynixは、HBM4の基盤部品にTSMCの洗練されたロジックプロセスを活用する意向で、限られたスペースにより多くの機能を組み込むことを目指し、メモリチップの性能とエネルギー効率の両方を高めることが期待されます。
  • 2024年3月-Camtek Ltd.は、高帯域幅メモリ（HBM）の検査・計測について、一流HBMメーカーから約2,500万米ドルの新規受注を獲得したと発表しました。ほとんどのシステムは2024年後半に納入される予定です。

その他の特典

  • エクセル形式の市場予測（ME）シート
  • 3ヶ月間のアナリストサポート

目次

第1章 イントロダクション

  • 調査の前提条件と市場定義
  • 調査範囲

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 市場洞察

  • 市場概要
  • 産業バリューチェーン分析
  • 産業の魅力-ポーターのファイブフォース分析
    • 供給企業の交渉力
    • 買い手/消費者の交渉力
    • 新規参入業者の脅威
    • 代替品の脅威
    • 競争企業間の敵対関係の強さ
  • COVID-19の市場への影響評価
  • 市場の促進要因
    • 高帯域幅、低消費電力、高拡大性メモリへのニーズの高まり
    • 人工知能の採用増加
    • 電子機器の小型化動向の高まり
  • 市場課題
    • HBMに関連する法外なコストと設計の複雑さ
  • DRAM市場
    • DRAM収益と需要予測（2023～2028年）
    • 地域別DRAM収益（HBM市場と同じ地域）
    • DDR5 RAM製品の現在の価格
    • DDR5製品メーカー一覧

第5章 市場セグメンテーション

  • 用途別
    • サーバー
    • ネットワーキング
    • コンシューマー
    • 自動車とその他の用途
  • 地域別
    • 北米
      • 米国
      • カナダ
    • 欧州
      • ドイツ
      • フランス
      • 英国
      • その他の欧州
    • アジア太平洋
      • インド
      • 中国
      • 日本
      • その他のアジア太平洋
    • その他

第6章 競合情勢

  • 企業プロファイル
    • 主要HBMメモリダイサプライヤ
      • Micron Technology Inc.
      • Samsung Electronics Co. Ltd
      • SK Hynix Inc.
    • 主要ステークホルダープロファイル
      • Intel Corporation
      • Fujitsu Limited
      • Advanced Micro Devices Inc.
      • Xilinx Inc.
      • Nvidia Corporation
      • Open Silicon Inc.

第7章 投資分析

第8章 市場機会と今後の動向

目次
Product Code: 69589

The High Bandwidth Memory Market size is estimated at USD 3.17 billion in 2025, and is expected to reach USD 10.02 billion by 2030, at a CAGR of 25.86% during the forecast period (2025-2030).

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High bandwidth memory (HBM) is a high-speed computer memory interface for 3D-stacked SDRAM, usually used with high-performance graphics accelerators, network devices, and supercomputers.

Major factors driving the growth of the high bandwidth memory (HBM) market include the growing need for high bandwidth, low power, and highly scalable memories, increasing adoption of artificial intelligence, and a rising trend of miniaturization of electronic devices.

By stacking up 8 DRAM dies on the circuit and interconnecting them with TSVs, HBM offers a substantially higher bandwidth while using less power in a relatively minor form factor. Also, with 128-bit channels and a total of 8 channels, the HBM offers a 1,024-bit interface. A GPU with four HBM stacks would provide a memory bus with 4,096 bits.

For instance, in June 2024, US memory chip maker Micron Technology built test production lines for advanced high bandwidth memory chips in the United States. The company is considering manufacturing HBM in Malaysia for the first time to capture more demand from the AI boom.

With the growing graphics application, the appetite for fast information delivery (bandwidth) has also increased. Therefore, HBM performs better than GDDR5, which was used earlier in terms of performance and power efficiency, resulting in growth opportunities for the high bandwidth memory market.

Moreover, the major semiconductor vendors worked with reduced capacity due to the COVID-19 pandemic. Additionally, due to the shortage of laborers, many packages and testing plants in China reduced or even stopped operations. This created a bottleneck for chip companies that rely on such back-end packages and testing capacity.

However, some factors driving the market's growth include the increasing adoption of artificial intelligence, increasing demand for low power consumption, high bandwidth, highly scalable memories, and a rising trend of miniaturization of electronic devices.

High Bandwidth Memory Market Trends

The Automotive and Other Applications Segment is Expected to Grow Significantly

  • The applications of high bandwidth memory are spanning the automotive industry due to the rise of self-driving cars and ADAS integration. Advancements in the automotive industry have driven the adoption of high-performance memory, which supports the growth of the HBM market.
  • HBM has evolved by improving upon conventional DRAM using 2.5D technology, bringing it closer to the CPU while requiring less power to drive a signal and minimizing RC latency. The autonomous driving market is expanding, extensively using data sets to interpret and analyze the environment. In order to prevent mishaps and impending catastrophes, data processing is carried out at a very rapid pace. The demand for quick and potent GPUs has increased the demand for high bandwidth memory to be included in the systems.
  • In March 2024, Samsung Electronics Co., a memory chipmaker, set up a high bandwidth memory (HBM) team within the memory chip division to raise production yields as it is developing a sixth-generation AI memory HBM4 and AI accelerator Mach-1. The new team is in charge of the development and sales of DRAM and NAND flash memory.
  • Advanced driver-assistance technologies have become quite popular in the car industry alongside autonomous driving. Earlier ADAS designs used memory chips like DDR4 and LPDDR4 since they were readily available at the time. However, the automobile industry's transition from cost-effectiveness to better performance parameters pushes ADAS makers to incorporate HBM technology into their design architecture.
  • The rapid advancement of technology in automobiles and increasing usage of edge technologies in cars are expected to boost the sales of high bandwidth memory and DDRAM in the market studied.

North America to Hold the Largest Share in the Market

  • The high adoption of HBMs in North America is primarily due to the growth in high-performance computing (HPC) applications that require high bandwidth memory solutions for fast data processing. HPC demand in North America is growing due to the increase in demand for AI, machine learning, and cloud computing.
  • The rapidly changing technologies and high data generation across industries create a need for efficient processing systems. These are also some of the factors driving the demand for the high bandwidth memory market in the region.
  • Additionally, the US government started the Data Center Optimization Initiative (DCOI) to deliver better services to the public while increasing return on investment to taxpayers by consolidating many data centers in the country. The consolidation process includes building hyper-scale data centers and shutting off the underperforming ones. According to Cloudscene, the country had around 5,381 data centers in the United States as of March 2024.
  • Memory manufacturing companies in North America are seeking opportunities for product expansions. For instance, Intel announced the launch of the next generation Sapphire Rapids (SPR) Xeon Scalable processor with high bandwidth memory (HBM). DDR5, supported by Sapphire Rapids, is expected to replace DDR4, the current trend in server memory, with high bandwidth memory (HBM) support, which may significantly expand the memory bandwidth available to the CPU.

High Bandwidth Memory Industry Overview

The high bandwidth memory market is highly fragmented. The market is highly competitive and consists of several major players. This industry's competitive rivalry primarily depends on sustainable competitive advantage through innovation, market penetration, and competitive strategy power. Since the market is capital-intensive, the barriers to exit are also high. Some of the key players in the market are Intel Corporation, Toshiba Corporation, and Fujitsu Ltd.

  • April 2024 - TSMC signed a Memorandum of Understanding with SK Hynix to develop next-generation HBM (high bandwidth memory) and a next-generation packaging technology. SK Hynix intends to utilize TSMC's sophisticated logic processes for the foundational component of HBM4, aiming to incorporate more features within the confined space, which is anticipated to boost both the performance and energy efficiency of its memory chips.
  • March 2024 - Camtek Ltd announced that it received a new order for approximately USD 25 million from a tier-1 HBM manufacturer for the inspection and metrology of high bandwidth memory (HBM). Most of the systems are expected to be delivered in the second half of 2024.

Additional Benefits:

  • The market estimate (ME) sheet in Excel format
  • 3 months of analyst support

TABLE OF CONTENTS

1 INTRODUCTION

  • 1.1 Study Assumptions and Market Definition
  • 1.2 Scope of the Study

2 RESEARCH METHODOLOGY

3 EXECUTIVE SUMMARY

4 MARKET INSIGHTS

  • 4.1 Market Overview
  • 4.2 Industry Value Chain Analysis
  • 4.3 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis
    • 4.3.1 Bargaining Power of Suppliers
    • 4.3.2 Bargaining Power of Buyers/Consumers
    • 4.3.3 Threat of New Entrants
    • 4.3.4 Threat of Substitutes
    • 4.3.5 Intensity of Competitive Rivalry
  • 4.4 Assessment of the Impact of COVID-19 on the Market
  • 4.5 Market Drivers
    • 4.5.1 Growing Need for High Bandwidth, Low Power Consuming, and Highly Scalable Memories
    • 4.5.2 Increasing Adoption of Artificial Intelligence
    • 4.5.3 Rising Trend of Miniaturization of Electronic Devices
  • 4.6 Market Challenges
    • 4.6.1 Exorbitant Costs and Design Complexities Associated with HBM
  • 4.7 DRAM MARKET
    • 4.7.1 DRAM Revenue and Demand Forecast (2023-2028)
    • 4.7.2 DRAM Revenue by Geography (Same Geographical Regions as in the HBM Market)
    • 4.7.3 Current Pricing of DDR5 RAM Products
    • 4.7.4 List of DDR5 Product Manufacturers

5 MARKET SEGMENTATION

  • 5.1 By Application
    • 5.1.1 Servers
    • 5.1.2 Networking
    • 5.1.3 Consumer
    • 5.1.4 Automotive and Other Applications
  • 5.2 By Geography
    • 5.2.1 North America
      • 5.2.1.1 United States
      • 5.2.1.2 Canada
    • 5.2.2 Europe
      • 5.2.2.1 Germany
      • 5.2.2.2 France
      • 5.2.2.3 United Kingdom
      • 5.2.2.4 Rest of Europe
    • 5.2.3 Asia-Pacific
      • 5.2.3.1 India
      • 5.2.3.2 China
      • 5.2.3.3 Japan
      • 5.2.3.4 Rest of Asia-Pacific
    • 5.2.4 Rest of the World

6 COMPETITIVE LANDSCAPE

  • 6.1 Company Profiles
    • 6.1.1 Key HBM Memory Die Suppliers
      • 6.1.1.1 Micron Technology Inc.
      • 6.1.1.2 Samsung Electronics Co. Ltd
      • 6.1.1.3 SK Hynix Inc.
    • 6.1.2 Key Stakeholders Profiles
      • 6.1.2.1 Intel Corporation
      • 6.1.2.2 Fujitsu Limited
      • 6.1.2.3 Advanced Micro Devices Inc.
      • 6.1.2.4 Xilinx Inc.
      • 6.1.2.5 Nvidia Corporation
      • 6.1.2.6 Open Silicon Inc.

7 INVESTMENT ANALYSIS

8 MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE TRENDS