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市場調査レポート
商品コード
1547730
GaN産業用デバイスの世界市場調査レポート:産業分析、規模、シェア、成長、動向、2024年から2032年までの予測Global GaN Industrial Devices Market Research Report - Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2024 to 2032 |
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カスタマイズ可能
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GaN産業用デバイスの世界市場調査レポート:産業分析、規模、シェア、成長、動向、2024年から2032年までの予測 |
出版日: 2024年07月01日
発行: Value Market Research
ページ情報: 英文 231 Pages
納期: 即日から翌営業日
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GaN産業用デバイス市場の世界需要は、2023年の9億6,190万米ドルから2032年には約28億2,803万米ドルの市場規模に達すると推定され、調査期間2024~2032年のCAGRは12.73%です。
窒化ガリウム(GaN)は、半導体電力機器やRF部品の製造、発光ダイオードの製造に使用される材料です。この製品は、電力変換、アナログ・アプリケーション、RFにおいて、シリコン半導体に固有の効果的な置換技術を保持する能力を示しています。GaNは広いバンドギャップを持つ半導体材料であり、熱安定性、高耐圧、低消費電力、高いスイッチング周波数、優れた電子移動度、極端な温度への耐性、高い導電性などの高度な特徴を表しています。そのため、GaN産業用デバイスは、防衛、航空宇宙、自動車、情報通信技術、配電システムなどに応用されています。
パワートレイン用インバータ、産業・重電機システム、電力変換回路、ハイブリッド車・電気自動車、スマート電気グリッド・システム、タービンなどの大電力アプリケーションにおける同製品への大きな需要が、予測期間中の市場成長を促進します。GaN技術が向上し、多くの企業が製品の設計と性能に改良を加えることで、この製品は多くのセグメントに広く浸透しています。さらに、GaN技術はシリコン技術に取って代わる可能性があり、その優れた特徴と、シリコンに比べて多様なセグメントで大規模に応用されているためです。さらに、中電圧パワーエレクトロニクス産業とICTセグメントの活況が、市場動向をさらに押し上げると予想されます。また、戦場でのパフォーマンスを向上させるための防衛産業における製品需要の高まりは、推定期間中の事業成長を加速させる可能性が高いです。
調査レポートは、ポーターのファイブフォースモデル、市場の魅力分析、バリューチェーン分析をカバーしています。これらのツールは、業界の構造を明確に把握し、世界レベルでの競合の魅力を評価するのに役立ちます。さらに、これらのツールは、GaN産業用デバイスの世界市場における各セグメントを包括的に評価することもできます。GaN産業用デバイス産業の成長と動向は、この調査に全体的なアプローチを記載しています。
GaN産業用デバイス市場レポートのこのセクションでは、国別と地域別のセグメントに関する詳細なデータを提供し、それによって戦略担当者が今後のビジネス機会とともに、それぞれの製品やサービスの対象層を特定するのに役立ちます。
本セクションでは、北米、欧州、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東・アフリカにおけるGaN産業用デバイス市場の現在と将来の需要を強調する地域展望をカバーします。さらに、すべての主要地域における個々の用途セグメントの需要・推定・予測にも焦点を当てています。
カスタム要件がある場合は、お問い合わせください。当社の調査チームは、お客様のニーズに応じてカスタマイズしたレポートを提供することができます。
The global demand for GaN Industrial Devices Market is presumed to reach the market size of nearly USD 2828.03 Million by 2032 from USD 961.9 Million in 2023 with a CAGR of 12.73% under the study period 2024-2032.
Gallium nitride (GaN) is the material used in semiconductor power equipment & RF component manufacture, and the production of light-emitting diodes. The product has shown its ability to hold an inherent and effective displacement technique for silicon semiconductors in power transformation, analog application, and RF. GaN being a semiconductor material with a broad bandgap and representing advanced features like thermal stability, high breakdown voltage, reduced electricity consumption, high switching frequencies, good electron mobility, resistance to extreme temperatures, and high conductivity. Thus, GaN industrial devices find their applications in defense, aerospace, automotive, information & communication technology, and power distribution systems.
Massive demand for the product in high power applications comprising inverters for power trains, industrial & heavy electrical systems, power converter circuits, hybrid & electric vehicles, smart electric grid systems, and turbines will flourish the market growth over the forecast period. With an improvement in GaN technology and many players bringing improvisations in the product design and performance has led to enormous penetration of the product across numerous sectors. Additionally, GaN technology is probable to replace silicon technology due to its outstanding features and its large-scale applications in diverse sectors compared to silicon. Moreover, the booming medium voltage power electronics industry and the ICT sector are expected to boost market trends further. Also, rising product demand in the defense industry for improving the battlefield's performance is likely to upsurge the business growth over the estimated period.
The research report covers Porter's Five Forces Model, Market Attractiveness Analysis, and Value Chain analysis. These tools help to get a clear picture of the industry's structure and evaluate the competition attractiveness at a global level. Additionally, these tools also give an inclusive assessment of each segment in the global market of GaN Industrial Devices. The growth and trends of GaN Industrial Devices industry provide a holistic approach to this study.
This section of the GaN Industrial Devices market report provides detailed data on the segments at country and regional level, thereby assisting the strategist in identifying the target demographics for the respective product or services with the upcoming opportunities.
This section covers the regional outlook, which accentuates current and future demand for the GaN Industrial Devices market across North America, Europe, Asia-Pacific, Latin America, and Middle East & Africa. Further, the report focuses on demand, estimation, and forecast for individual application segments across all the prominent regions.
The research report also covers the comprehensive profiles of the key players in the market and an in-depth view of the competitive landscape worldwide. The major players in the GaN Industrial Devices market include Cree Inc., Freescale Semiconductors Incorporated, Fujitsu Limited, GaN Systems, Infineon Technologies AG, Nichia Corporation, NXP Semiconductors N.V., RF Micro Devices Inc., Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation. This section consists of a holistic view of the competitive landscape that includes various strategic developments such as key mergers & acquisitions, future capacities, partnerships, financial overviews, collaborations, new product developments, new product launches, and other developments.
In case you have any custom requirements, do write to us. Our research team can offer a customized report as per your need.