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市場調査レポート
商品コード
1923680
GaN HEMTウエハー:世界市場シェアとランキング、総売上高および需要予測(2026-2032年)GaN HEMT Epitaxial Wafer - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2026-2032 |
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カスタマイズ可能
適宜更新あり
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| GaN HEMTウエハー:世界市場シェアとランキング、総売上高および需要予測(2026-2032年) |
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出版日: 2026年01月27日
発行: QYResearch
ページ情報: 英文 268 Pages
納期: 2~3営業日
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概要
GaN HEMTエピタキシャルウエハーの世界市場規模は、2025年に5億5,490万米ドルと推定され、2026年から2032年の予測期間中にCAGR 10.38%で成長し、2032年までに11億2,000万米ドルに拡大すると予測されています。
GaN-on-SiCウエハーの世界市場規模は、2025年に2億7,100万米ドルと推定され、2026年から2032年の予測期間においてCAGR5.0%で成長し、2032年までに3億7,800万米ドルに拡大すると予測されています。
GaN-on-Siウエハーの世界市場は、2025年に2億5,600万米ドルと推定され、2026年から2032年の予測期間中に14.17%のCAGRで成長し、2032年までに6億7,800万米ドルに拡大すると予測されています。
北米におけるGaN HEMTウエハー市場は、2025年に1億7,026万米ドルと評価され、2026年から2032年の予測期間中にCAGR 7.32%で推移し、2032年までに2億7,953万米ドルに達する見込みです。
欧州のGaN HEMTエピタキシャルウエハー市場は、2025年に1億465万米ドルと評価され、2026年から2032年の予測期間中にCAGR5.89%で成長し、2032年までに1億5,625万米ドルに達する見込みです。
中国本土におけるGaN HEMTエピタキシャルウエハー市場は、2025年に1億9,655万米ドルと評価され、2026年から2032年までの予測期間においてCAGR14.7%で推移し、2032年までに5億3,321万米ドルに達する見込みです。
日本のGaN HEMTエピタキシャルウエハー市場は、2025年に3,246万米ドルと評価され、2026年から2032年の予測期間中にCAGR8.2%で成長し、2032年までに5,728万米ドルに達すると見込まれます。
GaN HEMTエピタキシャルウエハーの世界の主要企業には、Innoscience、Qorvo、Wolfspeed, Inc、NTTアドバンステクノロジ(NTT-AT)、エンクリス・セミコンダクター社、アイキューイー、CETC 55、ソイテック(EpiGaN)、DOWAエレクトロニクス・マテリアルズ、住友電気デバイス・イノベーションズ、CETC 13、ダイナックス・セミコンダクター、NXP、サナン・オプトエレクトロニクス、ルネサスエレクトロニクス(トランスフォーム)などが挙げられます。2025年時点で、世界の上位6社の収益シェアは約55%を占めています。
GaN-on-SiCウエハーの主要企業には、Qorvo、NXP、Wolfspeed、IQE、Soitec(EpiGaN)、住友電気デバイスイノベーションズ、NTTアドバンステクノロジ(NTT-AT)、CETC 13、CETC 55、Dynax Semiconductorなどが含まれます。2025年には、上位10社が世界市場の80%以上を占める見込みです。
GaN-on-Siウエハーの主要企業には、Innoscience, IQE, NTT Advanced Technology(NTT-AT), DOWA Electronics Materials, and Enkris Semiconductor Inc,などが挙げられます。2025年には、上位4社が世界市場の70%以上を占める見込みです。
世界のGaN HEMTエピタキシャルウエハー産業は「産業規模拡大」段階に移行し、明確なプラットフォーム分岐が見られます。GaN-on-SiはパワーGaNの量産基盤(200mm/8インチによるコスト削減と300mmへのロードマップ)であり、一方GaN-on-SiCは熱性能とRF損失が総所有コストを左右するRF GaN向けプレミアムプラットフォームとして位置づけられています。需要の見通しは、パワーGaNデバイスの採用が急速に拡大すると予測されることから強まっています。当社はパワーGaNデバイス市場が2032年までに約25億米ドルに達すると予測しており、これはGaN-on-Siエピスタックに対するウエハースタート要件が大幅に増加することを意味します。供給面では、スケーリングが大型径エピタキシー能力とスループット投資によって推進されています。中国拠点のInnoScience社は8インチGaN-on-Siウエハーの量産達成を表明しており、200mm GaN-on-Siが実験段階から産業段階へ移行したことを示しています。並行して、欧州のオープンエコシステムではRFグレードエピタキシーの量産化が進んでおります。例えばSweGaN社の設備計画では、年間最大4万枚(100/150mm)のGaN-on-SiCエピウェハーを大量生産目標としており、150mm GaN-on-SiC供給のパイロット量を超えた産業化推進が反映されております。第二の構造的動向は、製造性の向上と、より大きな径での厚層化・高電圧化を実現する設計基板の台頭です。信越化学工業は、150mmおよび200mmのQST基板ならびにGaN-on-QSTエピタキシャル基板の販売実績を明示的に確認しており、300mm QSTの開発も進めております。これは、パワーデバイス向け代替プラットフォームに対する実際の商業的需要を示しています。
今後の成長は、システムレベルの電化と効率化(高出力化が進む急速充電器、データセンター/通信分野の電力密度要件、産業用電力変換)に加え、GaN-on-SiCを高付加価値分野に留めるRFインフラ/防衛/衛星通信分野の持続的な需要によって牽引されます。標準化も採用障壁を低減しつつ、エピタキシャル/デバイスの堅牢性基準を引き上げています。JEDECのJEP180は、電力変換条件下におけるGaNパワーデバイスのスイッチング信頼性評価の共通手法を確立し、業界の「DCパラメトリック」からアプリケーション関連ストレス検証への移行を強化しています。政策はますます第一級の変数となりつつあります。GaNサプライチェーンは戦略的かつ設備投資集約的であるためです。米国CHIPS and Science Actは、半導体製造・研究プログラムに対し5年間で527億米ドルを拠出し、国内生産能力と重要サプライチェーン投資を支援します。EUのチップス法も同様にレジリエンスを目標とし、2030年までに欧州の半導体世界市場シェアを20%に倍増させることを明示的に目指しており、化合物半導体のパイロットラインと産業化の環境改善を図っています。中国の第14次五カ年計画も、炭化ケイ素、窒化ガリウム、その他のワイドバンドギャップ半導体の開発を明示的に優先事項としており、継続的な生産能力の拡大と現地化努力を支えています。
本レポートは、GaN HEMTエピタキシャルウエハーの世界市場について、総販売数量、売上高、価格、主要企業の市場シェアおよび順位に焦点を当て、地域・国別、ウエハータイプ別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としています。
GaN HEMTエピタキシャルウエハーの市場規模、推定値、予測値は、販売数量(個)および売上高(百万米ドル)で提示され、2024年を基準年とし、2020年から2032年までの期間における過去データと予測データを含みます。定量的・定性的分析の両面から、読者の皆様がGaN HEMTエピタキシャルウエハーに関する事業戦略・成長戦略の策定、市場競争状況の評価、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けの分析、情報に基づいた事業判断を行うことを支援いたします。
市場セグメンテーション
企業別
- Innoscience
- Qorvo
- Wolfspeed, Inc
- NTT Advanced Technology(NTT-AT)
- Enkris Semiconductor Inc
- IQE
- CETC 55
- Soitec(EpiGaN)
- DOWA Electronics Materials
- Sumitomo Electric Device Innovations
- CETC 13
- Dynax Semiconductor
- NXP
- Sanan Optoelectronics
- Renesas Electronics(Transphorm)
- Northrop Grumman
- IVWorks
- Episil-Precision Inc
- China Resources Microelectronics
- Suzhou Nanowin Science and Technology
- MACOM
- CorEnergy
- Shaanxi Yuteng Electronic Technology
- Shin-Etsu Chemical
- SweGaN
- Centrasky Crystal Science(Ningbo)
- Sino Nitride Semiconductor
- Qingdao Cohenius Microelectronics
- GaNcool
- BTOZ
- Epistar Corp.
- GaN Asia Semiconductor
- A-PRO Semicon
ウエハータイプ別セグメント
- GaN-on-SiCウエハー
- GaN-on-Siウエハー
- GaN-on-Sapphireウエハー
- その他
用途別セグメント
- GaN HEMT RFデバイス
- GaN HEMTパワーデバイス
地域別セグメント
- 北米
- 欧州
- 中国
- 日本
- 韓国
- 東南アジア
- インド






