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市場調査レポート
商品コード
1446963
半絶縁性SiCウェハの2030年までの市場予測: タイプ別、用途別、地域別の世界分析Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer Market Forecasts to 2030 - Global Analysis By Type (6 Inch SiC Wafer & 4 Inch SiC Wafer), Application (Wireless Infrastructure, Electronics & Optoelectronics, Power Devices & Other Applications) & By Geography |
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カスタマイズ可能
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半絶縁性SiCウェハの2030年までの市場予測: タイプ別、用途別、地域別の世界分析 |
出版日: 2024年03月03日
発行: Stratistics Market Research Consulting
ページ情報: 英文 200+ Pages
納期: 2~3営業日
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Stratistics MRCによると、世界の半絶縁性SiCウェハ市場は2023年に5億2,200万米ドルを占め、予測期間中のCAGRは21.3%で成長し、2030年には20億1,700万米ドルに達すると予測されています。
シリコンと炭素からなる半導体材料はSiCウェハと呼ばれます。SiCウェハは、高温耐性、半導体、絶縁、熱管理材料として知られています。半絶縁性SiCウェハは、電気伝導性を緩和し、信号干渉を最小限に抑えることができるため、高周波(RF)や電力増幅器などの高周波・高出力電子機器の製造において重要な役割を果たしています。
中国汽車工業協会が発表した調査によると、SiCへの投資は中国のEV生産と大きな相関関係があり、EV生産の増加とともに増加します。
高周波エレクトロニクスへの需要の高まり
通信や無線通信システムなど、先端技術への依存度が高まる産業界では、より高い周波数で動作する電子機器へのニーズが急増しています。半絶縁性SiCウェハは、信号干渉を低減し、デバイス全体の性能を高める独自の半絶縁性特性により、アンプやトランジスタなどの無線周波数(RF)コンポーネントの製造において極めて重要な役割を果たしています。さらに、5Gネットワークの展開が進み、通信技術が絶えず進化しているため、SiCウェハの需要は急激に高まっています。
高い製造コスト
ウェハの製造には高度な工程が必要で、高純度の原材料を必要とするため、製造コストが高くなります。精密な結晶成長と厳しい品質管理対策を含む製造の複雑さが、SiCウェハ製造の総コストを押し上げています。その結果、市場はSiCウェハの競争力のある価格設定に課題を抱えており、業界全体への普及に影響を及ぼしています。しかし、SiCウェハ製造に関わる高度な装置や技術に必要な初期投資が高いことも、コストの障壁をさらに高めています。
電気自動車の世界的拡大
自動車産業が電動化への転換を遂げるにつれて、先進的なパワーエレクトロニクスへの需要が増加しています。SiCウェハは、電気自動車のパワーエレクトロニクス・コンポーネントの効率と性能を高める上で重要な役割を果たしています。高温耐性やパワーハンドリング能力の向上など、SiCウェハのユニークな特性は、よりエネルギー効率が高くコンパクトな電動ドライブトレインの開発に貢献しています。世界中で電気自動車の普及が進んでいるため、SiCベースのパワーエレクトロニクスの必要性が高まっており、ウェハの需要が高まっています。
他の半導体材料との競合
SiCウェハは、高温耐性やマテリアルハンドリング能力の向上といった独自の利点を提供する一方で、シリコンやガリウムヒ素のような既存材料との競合に直面しています。特にシリコンは、半導体業界で長年にわたり存在感を示しており、その確立された製造プロセスと低コストは、特定のアプリケーションに好ましい選択肢となり得る。高い電子移動度で知られるガリウムヒ素は、特定のニッチ市場で競争しています。SiCウェハの課題は、従来の材料から、優れているとはいえより新しい代替材料への移行を業界に納得させることにあります。
サプライチェーンの世界の混乱、製造施設の一時的な操業停止、経済の不確実性は、SiCウェハの生産と流通に大きな影響を与えました。半導体業界は、労働力不足、ロジスティクスの制約、プロジェクト・スケジュールの遅延の結果、需要に応えるという課題に直面しました。しかし、パンデミックによる景気後退も、様々な分野での投資やプロジェクトの減速につながり、SiCウェハの需要に影響を与えました。
予測期間中、6インチSiCウェハセグメントが最大になる見込み
予測期間中、6インチSiCウェハセグメントが最大となる見込み。ウェハの直径が大きくなると、半導体デバイス製造のための表面積が大きくなり、ウェハ1枚当たりにより多くの電子部品の生産が可能になり、製造効率が向上します。これはコスト削減とスケールメリットにつながり、6インチSiCウェハを大量生産にとってますます魅力的なものにしています。さらに、ウェハサイズの大型化は、業界のウェハ大口径化の動向と一致し、既存の半導体製造装置やプロセスとの互換性を促進します。
予測期間中にCAGRが最も高くなると予想されるのはワイヤレスインフラ分野
ワイヤレスインフラ分野は、予測期間中に最も高いCAGRが見込まれます。無線通信技術の世界の拡大、特に5Gネットワークの展開に伴い、高周波電子部品の需要が高まっています。SiCウェハは、その優れた電気特性と高い周波数で効率的に動作する能力で知られており、無線インフラ内のパワーアンプやトランシーバなどの無線周波数(RF)コンポーネントの製造に不可欠です。さらに、信号干渉の低減や電力処理能力の向上など、SiC固有の利点により、これらのウェハは信頼性が高く高性能な無線通信システムの開発に不可欠なものとなっています。
ハイテクパワーデバイスやハイエンドガジェットを低価格で採用することで、アジア太平洋地域全体でエレクトロニクス製品の消費が増加しており、予測期間中最大のシェアを占めました。国内の大手通信会社による5Gインフラ網の整備が、SiCウェハ産業の成長に寄与しています。さらに、国内の自動車が電動化されるにつれて、半絶縁性SiCウェハのニーズが高まっています。
欧州地域は、パワーエレクトロニクスの使用の増加と再生可能エネルギー源へのシフトの増加により、予測期間中に急速なペースで成長しています。半絶縁性SiCウェハ市場の成長は、ドイツなどの欧州諸国における自動車セクターの市場開拓が後押ししています。さらに、材料の品質、拡張性、費用対効果の向上を目指した半絶縁性SiCウェハの製造プロセスにおける継続的な進歩が、この地域における市場成長の促進要因となっています。
According to Stratistics MRC, the Global Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer Market is accounted for $522 million in 2023 and is expected to reach $2,017 million by 2030 growing at a CAGR of 21.3% during the forecast period. A semiconductor material composed of silicon and carbon is referred to as a SiC wafer. SiC wafers are known for their high-temperature resistance, semiconductors, insulation, and thermal management materials. Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer play a crucial role in the fabrication of high-frequency and high-power electronic devices, such as radio frequency (RF) and power amplifiers, due to their ability to mitigate electrical conductivity and minimize signal interference.
According to a study published by the China Association of Automobile Manufacturers; SiC investments are largely correlated with China's EV production, and they increase with the increase in EV production.
Growing demand for high-frequency electronics
As industries increasingly rely on advanced technologies, particularly in telecommunications and wireless communication systems, there is a surge in the need for electronic devices capable of operating at higher frequencies. Semi-insulating SiC wafers play a pivotal role in the fabrication of radio frequency (RF) components, such as amplifiers and transistors, due to their unique semi-insulating properties that reduce signal interference and enhance overall device performance. Furthermore, with the ongoing deployment of 5G networks and the continuous evolution of communication technologies, the demand for SiC wafers rises sharply.
High manufacturing costs
The production of these wafers involves sophisticated processes and requires high-purity raw materials, contributing to elevated manufacturing expenses. The complexity of manufacturing, which includes precise crystal growth and stringent quality control measures, adds to the overall cost of SiC wafer production. As a result, the market faces challenges in offering competitive pricing for these wafers, impacting their broader adoption across industries. However, the high initial investment required for the advanced equipment and technologies involved in SiC wafer fabrication further contributes to the cost barrier.
Global expansion of electric vehicles
As the automotive industry undergoes a transformative shift towards electrification, the demand for advanced power electronics is on the rise. SiC wafers play a crucial role in enhancing the efficiency and performance of power electronics components in EVs. With their unique properties, including high-temperature tolerance and improved power handling capabilities, SiC wafers contribute to the development of more energy-efficient and compact electric drivetrains. The increasing adoption of electric vehicles worldwide amplifies the need for SiC-based power electronics, leading to a higher demand for these wafers.
Competition from other semiconductor materials
While SiC wafers offer unique advantages such as high-temperature tolerance and improved power handling capabilities, they face competition from established materials like silicon and gallium arsenide. Silicon, in particular, has a long-standing presence in the semiconductor industry, and its well-established manufacturing processes and lower costs can make it a preferred choice for certain applications. Gallium arsenide, known for its high electron mobility, competes in specific niche markets. The challenge for SiC wafers lies in convincing industries to transition from traditional materials to newer, albeit superior, alternatives.
The global disruptions in supply chains, temporary shutdowns of manufacturing facilities, and economic uncertainties significantly affected the production and distribution of SiC wafers. The semiconductor industry faced challenges in meeting demand as a result of workforce shortages, logistics constraints, and delays in project timelines. However, the pandemic-induced economic downturn also led to a slowdown in investments and projects across various sectors, influencing the demand for SiC wafers.
The 6 Inch SiC Wafer segment is expected to be the largest during the forecast period
The Wireless Infrastructure segment is expected to have the highest CAGR during the forecast period
Wireless Infrastructure segment is expected to have the highest CAGR during the forecast period. With the global expansion of wireless communication technologies, particularly the deployment of 5G networks, there is an escalating demand for high-frequency electronic components. SiC wafers, known for their superior electrical properties and ability to operate efficiently at elevated frequencies, are essential in the fabrication of radio frequency (RF) components such as power amplifiers and transceivers within wireless infrastructure. Furthermore, the inherent benefits of SiC, including reduced signal interference and enhanced power handling capabilities, make these wafers indispensable for the development of reliable and high-performance wireless communication systems.
The adoption of high-tech power devices and high-end gadgets at lower prices has increased the consumption of electronics products throughout the Asia Pacific region, which held the largest share over the projection period. The development of a 5G infrastructure network by major telecom companies in the nation is contributing to the growth of the SiC wafer industry. Furthermore, as more automobiles in the nation become electrified, there is a greater need for semi-insulating silicon carbide wafer.
Europe region is growing at a rapid pace over the extrapolated period, due to the increased use of power electronics and the increasing shift towards renewable energy sources. The growth of the semi-insulating silicon carbide wafer market is being assisted and encouraged by the developments in the automotive sector in European nations such as Germany. Furthermore, ongoing advancements in the manufacturing processes of semi-insulating SiC wafers, aimed at improving material quality, scalability, and cost-effectiveness, act as drivers for market growth in the region.
Key players in the market
Some of the key players in Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer market include Belden Inc, CETC Solar Energy Holdings Co., Ltd, Datwyler Holding Inc, GM Plast A/S, Prysmian Group, ROHM CO., LTD, SK siltron Co. Ltd, STMicroelectronics and TankeBlue CO., LTD.
In May 2022, Rhombus Energy Solutions, a EV charging and power conversion technology company, announced that Wolfspeed is supplying SiC technology to improve the efficiency, power density and quicker charging time of their products
In March 2022, Showa Denko starts mass production of a 6-inch diameter silicon carbide single crystal wafer which will improve downsizing and energy efficiency of a power module.
In March 2022, SK Siltron to Invest KRW1tr to Expand Wafer Production Facilities. The company announced that it has decided to invest 1.05 trillion won over the next three years to expand its facilities for 300 mm wafers, which are located in Gumi National Industrial Complex 3.