ワイドバンドギャップ（WBG）パワー半導体デバイス：世界市場シェアとランキング、総売上高および需要予測2025-2031年

ワイドバンドギャップ（WBG）パワー半導体デバイスの世界市場規模は、2024年に52億7,900万米ドルと推定され、2025年から2031年の予測期間においてCAGR21.0％で成長し、2031年までに210億5,600万米ドルに拡大すると予測されております。

本報告書では、ワイドバンドギャップ（WBG）パワー半導体デバイスに関する最近の関税調整と国際的な戦略的対抗措置について、越境的な産業フットプリント、資本配分パターン、地域経済の相互依存性、サプライチェーンの再構築を包括的に評価しております。

ワイドバンドギャップ（WBG）パワーデバイスは、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などの半導体材料を基盤としており、従来のシリコンデバイスと比較して、より高い臨界電界、高速スイッチング、低導通損失、高温動作性の向上といった優れた性能を提供します。主な製品カテゴリーには、SiC MOSFET、JFET、ショットキーダイオード、GaN HEMT、GaN FET、および集積パワーモジュールが含まれます。これらのデバイスは、電気自動車用トラクションインバーター、車載充電器（OBC）、急速充電ステーション、太陽光・風力発電用インバーター、データセンター用電源装置、産業用モーター駆動装置、高電圧直流送電（HVDC）システムなどに広く採用されています。

世界のワイドバンドギャップ（WBG）パワーデバイス市場は現在、急速な拡大を経験しております。主な成長要因としては、電気自動車の普及拡大、再生可能エネルギーの導入加速、データセンターや高性能コンピューティングにおける高効率電源の需要急増、そしてカーボンニュートラルとエネルギー転換を支援する政策イニシアチブが挙げられます。市場機会は、EVパワートレイン、車載充電、太陽光＋蓄電システム、5G/高周波電源などに存在します。一方、規模の経済によるコスト削減と製造プロセスの改善がWBGの普及を加速させています。しかしながら、SiCエピタキシャルウエハーやGaN基板の高コスト、製造歩留まりと信頼性の課題、サプライチェーンの集中、特定用途における長い認定サイクルといった課題も残されています。

競合情勢においては、SiCデバイス市場は現在、STマイクロエレクトロニクス、オンセミ、ウルフスピード、インフィニオン、ローム、BYDセミコンダクター、ボッシュ、ユナイテッドノバテクノロジーが主導しており、これらで世界の市場シェアの85％以上を占めています。GaNデバイス分野では、Innoscience、Power Integrations, Inc.、Efficient Power Conversion Corporation（EPC）、Navitas、Transphorm、Infineon（GaN Systems）、ならびにRenesas Electronics（Transphorm）が主要プレイヤーであり、急速充電、サーバー電源、自動車用電子機器への応用が中心となっています。IDM（垂直統合型半導体メーカー）やファウンドリ企業の参入に加え、サナン、シラン、CRマイクロなどの中国企業の台頭により、今後数年間で競合が激化し、市場シェアは徐々に分散化していくものと予想されます。

本レポートは、ワイドバンドギャップ（WBG）パワー半導体デバイスの世界市場について、総販売数量、売上高、価格、主要企業の市場シェアおよび順位に焦点を当て、地域・国別、材料別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としています。

ワイドバンドギャップパワー（WBG）半導体デバイスの市場規模、推定値、予測値は、販売数量（千台単位）および売上高（百万米ドル単位）で提示され、2024年を基準年とし、2020年から2031年までの期間における過去データと予測データを含みます。定量的・定性的分析の両面から、読者の皆様がワイドバンドギャップパワー（WBG）半導体デバイスに関する事業・成長戦略の策定、市場競争の評価、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けの分析、情報に基づいた事業判断を行うことを支援いたします。

市場セグメンテーション

企業別

• onsemi
• STMicroelectronics
• Infineon（GaN Systems）
• Wolfspeed
• BYD Semiconductor
• Bosch
• United Nova Technology
• Innoscience
• Navitas（GeneSiC）
• Guangdong AccoPower Semiconductor
• Rohm
• San'an Optoelectronics
• Efficient Power Conversion Corporation（EPC）
• Power Integrations, Inc.
• Semikron Danfoss
• Mitsubishi Electric
• BASiC Semiconductor
• Fuji Electric
• SemiQ
• PN Junction Semiconductor（Hangzhou）
• Zhuzhou CRRC Times Electric
• InventChip Technology
• Microchip（Microsemi）
• CETC 55
• Toshiba
• WeEn Semiconductors
• Littelfuse（IXYS）
• Renesas Electronics（Transphorm）
• Yangzhou Yangjie Electronic Technology
• Vishay Intertechnology
• China Resources Microelectronics Limited
• Nexperia
• SK powertech
• Texas Instruments
• Alpha & Omega Semiconductor
• SanRex
• StarPower
• Changzhou Galaxy Century Microelectronics
• GE Aerospace
• Hangzhou Silan Microelectronics
• KEC
• PANJIT Group
• Diodes Incorporated
• Cissoid

材料別セグメント

• SiCパワーデバイス
• GaNパワーデバイス

用途別セグメント

• 自動車
• EV充電
• 産業用モーター／ドライブ
• 太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電
• UPS、データセンターおよびサーバー
• 鉄道輸送
• 民生用電子機器
• 防衛・航空宇宙
• その他

地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • 韓国
  • 東南アジア
  • インド
  • オーストラリア
  • その他アジア太平洋地域
• 欧州
  • ドイツ
  • フランス
  • 英国
  • イタリア
  • オランダ
  • 北欧諸国
  • その他欧州
• ラテンアメリカ
  • メキシコ
  • ブラジル
  • その他ラテンアメリカ
• 中東・アフリカ
  • トルコ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • その他中東・アフリカ