ワイドバンドギャップ半導体市場の機会、成長促進要因、産業動向分析、2025年～2034年の予測

ワイドバンドギャップ半導体の世界市場規模は2024年に21億6,000万米ドルとなり、2025年から2034年にかけてCAGR 12.2％で成長すると予測されています。

この顕著な拡大は、産業界全体でパワーエレクトロニクスの採用が増加し、電気自動車への移行が世界的に進んでいることが背景にあります。産業界がエネルギー効率のための高性能ソリューションを求める中、高電圧・高温での優れた動作能力で知られるワイドバンドギャップ半導体のニーズが急増します。

再生可能エネルギーシステムの普及、自動車分野での電化の進展、半導体技術の進歩の増大は、市場成長を促進する主な要因です。クリーンエネルギーを推進する政府の取り組み、厳しい効率規制、5Gインフラの展開加速も、こうしたハイパワー半導体の需要を後押ししています。技術革新はワイドバンドギャップ半導体の応用範囲を拡大し続け、電力を必要とする産業にとって不可欠なものとなっています。

市場は主に材料タイプ別に区分され、炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）が業界をリードしています。SiCは、高熱伝導性、高耐圧、ワイドバンドギャップ特性などの優れた特性により、2023年に8億1,890万米ドルを生み出しました。従来のシリコンに比べ、SiCは優れた効率を発揮し、より高い温度と電圧レベルに耐えるため、電気自動車や再生可能エネルギー・アプリケーションのパワーエレクトロニクスに好まれます。メーカーが高性能半導体ソリューションの開発に努める中、SiCは引き続きハイパワーおよび高周波アプリケーションを支配しています。もう一つの有力材料であるGaNは、その高速スイッチング能力とエネルギー効率により、特にRFとマイクロ波アプリケーションで支持を集めています。

市場はさらに、自動車、通信、民生用電子機器、エネルギー、航空宇宙、防衛などの最終用途産業に基づいて区分されます。自動車産業は、電気自動車の普及により、2024年の市場シェア30.7%を占める。SiCとGaNベースのパワーエレクトロニクスは、電気自動車のエネルギー効率を高め、電力損失を低減し、スイッチング速度の高速化を可能にします。自動車メーカーがワイドバンドギャップ半導体を車載システムに統合するケースが増えており、これらのコンポーネントはエネルギー効率目標を達成し、バッテリー寿命を延ばす上で極めて重要な役割を果たしています。ADAS（先進運転支援システム）や急速充電インフラに対する需要の高まりは、自動車産業におけるこうしたハイパワー半導体の採用をさらに加速させています。

米国のワイドバンドギャップ半導体市場は2024年に2億8,640万米ドルとなり、同国が半導体製造における地位を強化していることから、堅調な成長が見込まれています。省エネルギーへの注力は、半導体製造の継続的な進歩と相まって、米国を世界市場の主要プレーヤーとして位置づけています。政府が支援する国内半導体生産への優遇措置と研究開発への投資の増加により、米国メーカーは競争力を獲得しています。

目次

第1章 調査手法と調査範囲

• 市場範囲と定義
• 基本推定と計算
• 予測計算
• データソース

第2章 エグゼクティブサマリー

第3章 業界洞察

• エコシステム分析
  • バリューチェーンに影響を与える要因
  • 利益率分析
  • 破壊
  • 将来の展望
  • メーカー
  • 流通業者
• サプライヤーの状況
• 利益率分析
• 主要ニュース
• 規制状況
• 影響要因
  • 促進要因
    • エネルギー効率の高いソリューションへの需要の高まり
    • 電気自動車市場の拡大
    • 5Gと高度通信の展開
    • 政府の支援と投資イニシアティブ
    • 産業オートメーションと電化の増加
  • 業界の潜在的リスク＆課題
    • 高い製造コストと複雑な製造
    • サプライチェーンの制約と材料の入手可能性
• 成長可能性分析
• ポーター分析
• PESTEL分析

第4章 競合情勢

• イントロダクション
• 企業シェア分析
• 競合のポジショニング・マトリックス
• 戦略展望マトリックス

第5章 市場推計・予測：材料別、2021年～2034年

• 主要動向
• 炭化ケイ素（SiC）
• 窒化ガリウム（GaN）
• 窒化アルミニウム（AlN）
• ダイヤモンド
• その他

第6章 市場推計・予測：最終用途産業別、2021年～2034年

• 主要動向
• 自動車
• コンシューマーエレクトロニクス
• 通信
• エネルギー・ユーティリティ
• 航空宇宙・防衛
• その他

第7章 市場推計・予測：地域別、2021年～2034年

• 主要動向
• 北米
  • 米国
  • カナダ
• 欧州
  • 英国
  • ドイツ
  • フランス
  • イタリア
  • スペイン
• アジア太平洋
  • 中国
  • インド
  • 日本
  • 韓国
  • ニュージーランド
• ラテンアメリカ
  • ブラジル
  • メキシコ
• 中東・アフリカ
  • 南アフリカ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦

第8章 企業プロファイル

• CISSOID
• Diodes Incorporated
• Fuji Electric Co., Ltd.
• Navitas Semiconductor
• Infineon Technologies AG
• Littelfuse, Inc.
• Microsemi Corporation.
• Mitsubishi Electric Corporation
• Nexperia
• Renesas Electronics Corporation
• ROHM Semiconductor
• SEMIKRON
• STMicroelectronics N.V.
• Texas Instruments Inc.
• Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation
• Vishay Intertechnology Inc.
• Wolfspeed, Inc.

The Global Wide Bandgap Semiconductors Market was valued at USD 2.16 billion in 2024 and is projected to grow at a CAGR of 12.2% from 2025 to 2034. This remarkable expansion is fueled by the rising adoption of power electronics across industries and the global transition toward electric vehicles. As industries demand high-performance solutions for energy efficiency, the need for wide bandgap semiconductors, known for their superior ability to operate at high voltages and temperatures, is set to surge.

The proliferation of renewable energy systems, growing electrification in the automotive sector, and increasing advancements in semiconductor technologies are key factors propelling market growth. Government initiatives promoting clean energy, stringent efficiency regulations, and the accelerating rollout of 5G infrastructure are also driving demand for these high-power semiconductors. Technological innovations continue to expand the application scope of wide bandgap semiconductors, making them indispensable for power-hungry industries.

The market is primarily segmented by material type, with Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) leading the industry. SiC generated USD 818.9 million in 2023, owing to its exceptional characteristics such as high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide bandgap properties. Compared to traditional silicon, SiC delivers superior efficiency, withstanding higher temperatures and voltage levels, making it a preferred choice for power electronics in electric vehicles and renewable energy applications. As manufacturers strive to develop high-performance semiconductor solutions, SiC continues to dominate high-power and high-frequency applications. GaN, another prominent material, is gaining traction due to its rapid switching capabilities and energy efficiency, particularly in RF and microwave applications.

The market is further segmented based on end-use industries, including automotive, telecommunications, consumer electronics, energy, aerospace, and defense. The automotive sector accounted for a 30.7% market share in 2024, driven by the widespread adoption of electric vehicles. SiC and GaN-based power electronics enhance energy efficiency in EVs, reducing power losses and enabling faster switching speeds. As automakers increasingly integrate wide bandgap semiconductors into vehicle systems, these components play a pivotal role in meeting energy efficiency goals and achieving longer battery life. The rising demand for advanced driver assistance systems (ADAS) and fast-charging infrastructure further accelerates the adoption of these high-power semiconductors in the automotive industry.

The U.S. wide bandgap semiconductors market was valued at USD 286.4 million in 2024 and is expected to experience robust growth as the country strengthens its position in semiconductor manufacturing. The focus on energy conservation, coupled with ongoing advancements in semiconductor fabrication, positions the U.S. as a key player in the global market. With government-backed incentives for domestic semiconductor production and increasing investments in research and development, U.S. manufacturers gain a competitive edge.

Table of Contents

Chapter 1 Methodology & Scope

• 1.1 Market scope & definitions
• 1.2 Base estimates & calculations
• 1.3 Forecast calculations
• 1.4 Data sources
  • 1.4.1 Primary
  • 1.4.2 Secondary
    • 1.4.2.1 Paid sources
    • 1.4.2.2 Public sources

Chapter 2 Executive Summary

• 2.1 Industry synopsis, 2021-2034

Chapter 3 Industry Insights

• 3.1 Industry ecosystem analysis
  • 3.1.1 Factor affecting the value chain
  • 3.1.2 Profit margin analysis
  • 3.1.3 Disruptions
  • 3.1.4 Future outlook
  • 3.1.5 Manufacturers
  • 3.1.6 Distributors
• 3.2 Supplier landscape
• 3.3 Profit margin analysis
• 3.4 Key news & initiatives
• 3.5 Regulatory landscape
• 3.6 Impact forces
  • 3.6.1 Growth drivers
    • 3.6.1.1 Increasing demand for energy-efficient solutions
    • 3.6.1.2 Expansion of electric vehicle market
    • 3.6.1.3 Deployment of 5G and advanced communications
    • 3.6.1.4 Government support and investment initiatives
    • 3.6.1.5 Rising industrial automation and electrification
  • 3.6.2 Industry pitfalls & challenges
    • 3.6.2.1 High production costs and complex manufacturing
    • 3.6.2.2 Supply chain constraints and material availability
• 3.7 Growth potential analysis
• 3.8 Porter's analysis
• 3.9 PESTEL analysis

Chapter 4 Competitive Landscape, 2024

• 4.1 Introduction
• 4.2 Company market share analysis
• 4.3 Competitive positioning matrix
• 4.4 Strategic outlook matrix

Chapter 5 Market Estimates & Forecast, By Material, 2021-2034 (USD Million)

• 5.1 Key trends
• 5.2 Silicon Carbide (SiC)
• 5.3 Gallium Nitride (GaN)
• 5.4 Aluminum Nitride (AlN)
• 5.5 Diamond
• 5.6 Others

Chapter 6 Market Estimates & Forecast, By End-use Industry, 2021-2034 (USD Million)

• 6.1 Key trends
• 6.2 Automotive
• 6.3 Consumer electronics
• 6.4 Telecommunications
• 6.5 Energy & utility
• 6.6 Aerospace & defense
• 6.7 Others

Chapter 7 Market Estimates & Forecast, By Region, 2021-2034 (USD Million)

• 7.1 Key trends
• 7.2 North America
  • 7.2.1 U.S.
  • 7.2.2 Canada
• 7.3 Europe
  • 7.3.1 UK
  • 7.3.2 Germany
  • 7.3.3 France
  • 7.3.4 Italy
  • 7.3.5 Spain
• 7.4 Asia Pacific
  • 7.4.1 China
  • 7.4.2 India
  • 7.4.3 Japan
  • 7.4.4 South Korea
  • 7.4.5 ANZ
• 7.5 Latin America
  • 7.5.1 Brazil
  • 7.5.2 Mexico
• 7.6 MEA
  • 7.6.1 South Africa
  • 7.6.2 Saudi Arabia
  • 7.6.3 UAE

Chapter 8 Company Profiles

• 8.1 CISSOID
• 8.2 Diodes Incorporated
• 8.3 Fuji Electric Co., Ltd.
• 8.4 Navitas Semiconductor
• 8.5 Infineon Technologies AG
• 8.6 Littelfuse, Inc.
• 8.7 Microsemi Corporation.
• 8.8 Mitsubishi Electric Corporation
• 8.9 Nexperia
• 8.10 Renesas Electronics Corporation
• 8.11 ROHM Semiconductor
• 8.12 SEMIKRON
• 8.13 STMicroelectronics N.V.
• 8.14 Texas Instruments Inc.
• 8.15 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
• 8.16 Vishay Intertechnology Inc.
• 8.17 Wolfspeed, Inc.