ワイドバンドギャップ・パワー半導体市場：2025年～2030年の予測

ワイドバンドギャップ（WBG）パワー半導体市場は、2025年に51億3,552万9,000米ドルと評価され、CAGR 15.91％で成長し、2030年には107億4,503万3,000米ドルの市場規模に達します。

ワイドバンドギャップ半導体は、分子種で修飾された場合、独特の光学的・電子的特性を示します。これらのコンポーネントは、パワーエレクトロニクスのシリコンベースの同等品よりも小型で、動作が速く、信頼性が向上し、効率が高いという特徴があります。WBGパワー半導体のユニークな科学的・技術的特性により、高性能の光電子・電子機器における人気が高まっています。民生用電子機器や急速充電のような関連技術の需要の高まりに伴い、WBG半導体の市場は大幅に拡大すると予想されます。このデバイスは高周波で物理的特性を変化させる一方、化学的・機械的特性はオプトエレクトロニクス用途に応用されています。高性能と新規特性の組み合わせが新たな機会を開き、今後の市場成長に道を開きます。

市場動向：

• 炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）材料の採用増加

炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップ（WBG）および超ワイドバンドギャップ（WBG）パワーエレクトロニクス半導体は、パワーエレクトロニクス業界に革命をもたらしています。これらの先端材料は、従来のシリコンベースの製品を凌駕し、優れた性能と効率を提供します。WBG半導体の最近の進歩は、材料品質、デバイス設計、製造プロセスの改善に重点を置いています。学界と産業界の共同努力により、高品質のSiCおよびGaN基板の開発、結晶成長技術の進歩、製造方法の改良が行われてきました。これらの技術革新により、材料の性能が向上し、デバイスの歩留まりが向上し、製造コストが削減され、WBG半導体がより商業的に実現可能なものとなりました。

シリコンのバンドギャップエネルギーが1.1eVであるのに対し、SiCのバンドギャップエネルギーは約3.3eVであり、最も幅広く研究され、広く利用されているWBG材料のひとつです。SiCベースのパワー・デバイスは、低い伝導損失とスイッチング損失、高い温度耐性、全体的な効率の改善など、大きな利点を提供します。同様に、約3.4eVのバンドギャップエネルギーを持つGaNは、高ブレークダウン電圧、高速スイッチング速度、低オン抵抗などの卓越した性能特性で大きな注目を集めています。

• 高効率パワー・エレクトロニクスへの需要の高まり

電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、通信などの分野で高効率パワーエレクトロニクスへのニーズが高まっていることが、WBG半導体市場の主な促進要因となっています。SiCはEVインバーターや急速充電器などの高電圧アプリケーションに特に好まれており、GaNの高周波スイッチング能力は5G基地局や低電圧電源に理想的です。WBG半導体へのシフトは、産業がエネルギー効率の高いソリューションに収斂するにつれて不可欠になっています。さらに、ウエハー品質と基板製造の進歩により、コスト削減と機能強化が進み、WBG半導体の大量市場導入が可能になっています。この急成長は、低電力エレクトロニクスへの世界的移行における中心技術としてのWBG半導体の役割を強調しています。

• 予測期間に著しい成長を遂げる南北アメリカ

米国を中心とする南北アメリカは、様々な産業におけるエネルギー効率の高い電子機器への需要の高まりにより、WBG半導体市場の急激な成長を目の当たりにしています。電気自動車への注目の高まりと再生可能エネルギーへの移行が、WBGパワー半導体の需要をさらに押し上げています。

例えば、民生用電子機器、自動車、再生可能エネルギー・アプリケーションにおけるエネルギー効率の高いデバイスのニーズは、大きな成長要因となっています。SiCやGaN部品などのWBG半導体は、従来のシリコンベースのデバイスに比べて優れた性能と効率を提供します。さらに、EVや再生可能エネルギーへの注目の高まりがWBGパワー半導体の採用を加速し、米国内外の市場を拡大しています。

本レポートで取り上げている主要企業には、ローム半導体、ウォルフスピード社、STマイクロエレクトロニクス、インフィニオンテクノロジーズAG、三菱電機、セミクロン・ダンフォス、テキサス・インスツルメンツなどがあります。

本レポートの主な利点

• 洞察に満ちた分析：顧客セグメント、政府政策と社会経済要因、消費者嗜好、産業別、その他のサブセグメントに焦点を当て、主要地域だけでなく新興地域もカバーする詳細な市場考察を得ることができます。
• 競合情勢：世界の主要企業が採用する戦略的作戦を理解し、適切な戦略による市場浸透の可能性を理解することができます。
• 市場動向と促進要因：ダイナミックな要因と極めて重要な市場動向、そしてそれらが今後の市場開拓をどのように形成していくかを探ります。
• 行動可能な提言：ダイナミックな環境の中で、新たなビジネスストリームと収益を発掘するための戦略的意思決定に洞察を活用します。
• 幅広い利用者に対応：新興企業、研究機関、コンサルタント、中小企業、大企業にとって有益で費用対効果に優れています。

どのような用途で利用されていますか？

業界および市場考察、事業機会評価、製品需要予測、市場参入戦略、地理的拡大、設備投資の決定、規制の枠組みと影響、新製品開拓、競合の影響

調査範囲

• 2022年から2024年までの過去データおよび2025年から2030年までの予測データ
• 成長機会、課題、サプライチェーンの展望、規制の枠組み、および動向分析
• 競合のポジショニング、戦略、および市場シェア分析
• 収益の成長および予測分析（国を含むセグメントおよび地域）
• 企業プロファイリング（戦略、製品、財務情報、主要動向など）

目次

第1章 イントロダクション

• 市場概要
• 市場の定義
• 調査範囲
• 市場セグメンテーション
• 通貨
• 前提条件
• 基準年と予測年のタイムライン
• ステークホルダーにとっての主なメリット

第2章 調査手法

• 調査デザイン
• 調査プロセス

第3章 エグゼクティブサマリー

• 主な調査結果

第4章 市場力学

• 市場促進要因
• 市場抑制要因
• ポーターのファイブフォース分析
• 業界バリューチェーン分析
• アナリストビュー

第5章 ワイドバンドギャップ・パワー半導体市場：素材別

• イントロダクション
• シリコンカーバイド
• 窒化ガリウム
• ダイヤモンド
• 酸化ガリウム
• 窒化アルミニウム

第6章 ワイドバンドギャップ・パワー半導体市場：用途別

• イントロダクション
• データセンター
• 再生可能エネルギー発電
• ハイブリッド車と電気自動車
• モータードライブ

第7章 ワイドバンドギャップ・パワー半導体市場：地域別

• 南北アメリカ
  • 米国
• 欧州、中東・アフリカ
  • ドイツ
  • オランダ
  • その他
• アジア太平洋地域
  • 中国
  • 日本
  • 台湾
  • 韓国
  • その他

第8章 競合環境と分析

• 主要企業と戦略分析
• 市場シェア分析
• 合併、買収、合意およびコラボレーション
• 競合ダッシュボード

第9章 企業プロファイル

• ROHM Semiconductor
• Wolfspeed, Inc.
• STMicroelectronics
• Infineon Technologies AG
• Mitsubishi Electric Corporation
• Semikron Danfoss
• Texas Instruments
• Analog Devices, Inc.
• Navitas Semiconductor
• Microchip Technology Inc.

The wide-bandgap power semiconductor market is evaluated at US$5,135.529 million in 2025, growing at a CAGR of 15.91%, reaching the market size of US$10,745.033 million by 2030.

Wide-bandgap (WBG) semiconductors, when modified with molecular species, exhibit distinctive optical and electronic properties. These components are characterized by their smaller size, faster operation, enhanced reliability, and greater efficiency than silicon-based counterparts in power electronics. The unique scientific and technological attributes of WBG power semiconductors have led to their increasing popularity in high-performance optoelectronic and electronic devices. With the rising demand for consumer electronics and related technologies like fast charging, the market for WBG semiconductors is expected to expand significantly. The devices transform their physical characteristics at high frequencies, while their chemical and mechanical features find applications in optoelectronic uses. The combination of high performance and novel properties is opening new opportunities and paving the way for the market's growth in the years ahead.

Market Trends:

• Increasing Adoption of Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) Materials

Wide and ultrawide bandgap (WBG) power electronic semiconductors, such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), are revolutionizing the power electronics industry. These advanced materials outperform traditional silicon-based products, offering superior performance and efficiency. Recent advancements in WBG semiconductors have focused on improving material quality, device design, and manufacturing processes. Collaborative efforts between academia and industry have led to the development of high-quality SiC and GaN substrates, advancements in crystal growth techniques, and refined production methods. These innovations have enhanced material performance, increased device yields, and reduced manufacturing costs, making WBG semiconductors more commercially viable.

SiC, with a bandgap energy of approximately 3.3 electron volts (eV) compared to silicon's 1.1 eV, is one of the most extensively researched and widely available WBG materials. SiC-based power devices offer significant advantages, including lower conduction and switching losses, higher temperature tolerance, and improved overall efficiency. Similarly, GaN, with a bandgap energy of around 3.4 eV, has gained considerable attention for its exceptional performance characteristics, such as high breakdown voltages, fast switching speeds, and low on-resistance.

• Rising Demand for High-Efficiency Power Electronics

The growing need for high-efficiency power electronics in sectors like electric vehicles (EVs), renewable energy, and telecommunications is a key driver of the WBG semiconductors market. SiC is particularly favored for high-voltage applications, such as EV inverters and fast chargers, while GaN's high-frequency switching capabilities are making it ideal for 5G base stations and low-voltage power supplies. The shift toward WBG semiconductors is becoming essential as industries converge toward energy-efficient solutions. Additionally, advancements in wafer quality and substrate production are reducing costs and enhancing functionality, enabling mass-market adoption of WBG semiconductors. This rapid growth underscores their role as a central technology in the global transition to low-power electronics.

• Americas Experiencing Significant Growth in the Forecast Period

The Americas, particularly the United States, are witnessing exponential growth in the WBG semiconductors market, driven by the increasing demand for energy-efficient electronic devices across various industries. The growing focus on electric vehicles and the transition to renewable energy sources are further boosting the demand for WBG power semiconductors.

For example, the need for energy-efficient devices in consumer electronics, automotive, and renewable energy applications is a major growth factor. WBG semiconductors, such as SiC and GaN components, offer superior performance and efficiency compared to traditional silicon-based devices. Additionally, the rising emphasis on EVs and renewable energy is accelerating the adoption of WBG power semiconductors, expanding the market in the United States and beyond.

Some of the major players covered in this report include ROHM Semiconductor, Wolfspeed, Inc., STMicroelectronics, Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, Semikron Danfoss, Texas Instruments, among others.

Key Benefits of this Report:

• Insightful Analysis: Gain detailed market insights covering major as well as emerging geographical regions, focusing on customer segments, government policies and socio-economic factors, consumer preferences, industry verticals, and other sub-segments.
• Competitive Landscape: Understand the strategic maneuvers employed by key players globally to understand possible market penetration with the correct strategy.
• Market Drivers & Future Trends: Explore the dynamic factors and pivotal market trends and how they will shape future market developments.
• Actionable Recommendations: Utilize the insights to exercise strategic decisions to uncover new business streams and revenues in a dynamic environment.
• Caters to a Wide Audience: Beneficial and cost-effective for startups, research institutions, consultants, SMEs, and large enterprises.

What do businesses use our reports for?

Industry and Market Insights, Opportunity Assessment, Product Demand Forecasting, Market Entry Strategy, Geographical Expansion, Capital Investment Decisions, Regulatory Framework & Implications, New Product Development, Competitive Intelligence

Report Coverage:

• Historical data from 2022 to 2024 & forecast data from 2025 to 2030
• Growth Opportunities, Challenges, Supply Chain Outlook, Regulatory Framework, and Trend Analysis
• Competitive Positioning, Strategies, and Market Share Analysis
• Revenue Growth and Forecast Assessment of segments and regions including countries
• Company Profiling (Strategies, Products, Financial Information, and Key Developments among others)

Wide-Bandgap Power Semiconductor Market is analyzed into the following segments:

By Material

• Silicon Carbide
• Gallium Nitride
• Diamond
• Gallium Oxide
• Aluminium Nitride
• By Application
• Data Centers
• Renewable Energy Generation
• Hybrid and Electric Vehicles
• Motor Drives

By Geography

• Americas
• US
• Europe, the Middle East, and Africa
• Germany
• Netherlands
• Others
• Asia Pacific
• China
• Japan
• Taiwan
• South Korea
• Others

TABLE OF CONTENTS

1. INTRODUCTION

• 1.1. Market Overview
• 1.2. Market Definition
• 1.3. Scope of the Study
• 1.4. Market Segmentation
• 1.5. Currency
• 1.6. Assumptions
• 1.7. Base and Forecast Years Timeline
• 1.8. Key Benefits to the Stakeholder

2. RESEARCH METHODOLOGY

• 2.1. Research Design
• 2.2. Research Processes

3. EXECUTIVE SUMMARY

• 3.1. Key Findings

4. MARKET DYNAMICS

• 4.1. Market Drivers
• 4.2. Market Restraints
• 4.3. Porter's Five Forces Analysis
  • 4.3.1. Bargaining Power of Suppliers
  • 4.3.2. Bargaining Power of Buyers
  • 4.3.3. Threat of New Entrants
  • 4.3.4. Threat of Substitutes
  • 4.3.5. Competitive Rivalry in the Industry
• 4.4. Industry Value Chain Analysis
• 4.5. Analyst View

5. WIDE-BANDGAP POWER SEMICONDUCTOR MARKET BY MATERIAL

• 5.1. Introduction
• 5.2. Silicon Carbide
• 5.3. Gallium Nitride
• 5.4. Diamond
• 5.5. Gallium Oxide
• 5.6. Aluminium Nitride

6. WIDE-BANDGAP POWER SEMICONDUCTOR MARKET BY APPLICATION

• 6.1. Introduction
• 6.2. Data Centers
• 6.3. Renewable Energy Generation
• 6.4. Hybrid and Electric Vehicles
• 6.5. Motor Drives

7. WIDE-BANDGAP POWER SEMICONDUCTOR MARKET BY GEOGRAPHY

• 7.1. Americas
  • 7.1.1. US
• 7.2. Europe, Middle East, and Africa
  • 7.2.1. Germany
  • 7.2.2. Netherland
  • 7.2.3. Others
• 7.3. Asia Pacific
  • 7.3.1. China
  • 7.3.2. Japan
  • 7.3.3. Taiwan
  • 7.3.4. South Korea
  • 7.3.5. Others

8. COMPETITIVE ENVIRONMENT AND ANALYSIS

• 8.1. Major Players and Strategy Analysis
• 8.2. Market Share Analysis
• 8.3. Mergers, Acquisitions, Agreements, and Collaborations
• 8.4. Competitive Dashboard

9. COMPANY PROFILES

• 9.1. ROHM Semiconductor
• 9.2. Wolfspeed, Inc.
• 9.3. STMicroelectronics
• 9.4. Infineon Technologies AG
• 9.5. Mitsubishi Electric Corporation
• 9.6. Semikron Danfoss
• 9.7. Texas Instruments
• 9.8. Analog Devices, Inc.
• 9.9. Navitas Semiconductor
• 9.10. Microchip Technology Inc.