北米・南米の半導体デバイス:市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測(2026年~2031年)
Americas Semiconductor Device - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031)
- 発行日
- ページ情報
- 英文 120 Pages
- 納期
- 2~3営業日
- 商品コード
- 2119578
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概要
Mordor Intelligenceによると、北米・南米の半導体デバイス市場規模は、2025年の1,884億6,000万米ドルから2026年には1,980億7,000万米ドルへと拡大し、2026年から2031年にかけてCAGR5.1%で推移し、2031年には2,539億9,000万米ドルに達すると予測されています。

本レポートは、デバイスタイプ別(ディスクリート半導体、オプトエレクトロニクス、センサー、集積回路)、ウエハーサイズ(200 mm以下、300 mm、450 mm以上)、プロセスノード(65 nm以上、45~28 nm、22~16 nm、その他)、半導体材料(シリコン、炭化ケイ素、その他)、エンドユーザー産業(自動車、通信、民生用、産業用、その他)、および地域(北米、南米)ごとに分類されています。
北米・南米の半導体デバイス市場の動向と洞察
CHIPS法に後押しされた北米における製造能力の拡大
「CHIPS and Science Act」に基づく大規模な連邦政府の奨励策により、2032年までに国内のウエハー生産量を3倍に増やすことを目指した、4,500億米ドルを超える民間投資が呼び込まれました。インテルは複数州にわたる拡張計画に対し85億米ドルの助成金を確保し、TSMCはアリゾナ州の2つのメガファブに対して66億米ドルの助成金を受け取りました。リードタイムを短縮するため、40社以上のティア1化学・装置メーカーが近隣に拠点を構え、これらのプロジェクトを中心にサプライヤー・エコシステムが形成されました。こうしたクラスター化により、物流コストの改善や技術移転の加速が図られましたが、特殊ガスや化学薬品の60%を輸入に依存している状況は変わらず、国内での材料生産能力拡充に向けた新たな設備投資が依然として必要とされました。結局のところ、この投資の急増により、北米・南米の半導体デバイス市場は、資源制約から完全に隔離されることはなかったもの、より高い自給自足体制を築く基盤が整いました。
メキシコおよびブラジルにおけるADAS搭載車の需要
電動化とレベル2の運転支援システムの導入により、2024年にはメキシコおよびブラジルの主要組立ラインにおいて、1台あたりの自動車用半導体搭載量が35%増加しました。現地の工場では、高信頼性のマイクロコントローラーやパワーデバイスを必要とするレーダー、ライダー、およびイメージセンサーアレイが組み込まれました。ボッシュとコンチネンタルは、最大25%まで引き上げられる可能性のある輸入関税を軽減するため、現地でのパッケージングラインに関する合弁事業を推進しました。政策立案者は、自動車用チップに対する追加の税額控除を示唆し、さらなる生産能力の拡大を促しました。その結果、自動車関連の受注が、北米・南米の半導体デバイス市場を家電製品の景気変動から守り、中期的に確実な収益の押し上げをもたらしました。
米国南西部のファブにおける水・電力供給の制約
アリゾナ州とテキサス州の新設ファブでは、1日あたり最大1,000万ガロンの超純水が消費され、一般市民との間で直接的な競合が生じました。インテルは、プロセス水の90%をリサイクルする再利用システムに2億米ドルを投資しましたが、こうした環境プロジェクトは営業費用を2%押し上げ、長期的な干ばつのリスクを完全に軽減することはできませんでした。電力需要の増加により、電力会社は送電網のアップグレードを加速せざるを得なくなり、生産コストをさらに押し上げました。こうした制約により、「CHIPS法」のインセンティブによる実質的な生産能力の増加は縮小し、長期的には北米・南米の半導体デバイス市場のコスト競争力が脅かされることとなりました。
セグメント分析
集積回路(IC)は2025年に売上高の80.65%を占め、CAGR 7.45%で拡大すると予測されており、北米・南米の半導体デバイス市場規模は、複雑なロジックおよびメモリ分野に依然として大きく偏っています。AIトレーニング、自動運転、産業用エッジコンピューティングの各分野において、システムあたりのシリコン使用量が増加し、高帯域幅メモリおよび推論アクセラレータの平均販売価格を押し上げました。ディスクリートパワーデバイスは、市場規模こそ小さいもの、電気自動車において炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)スイッチがシリコンIGBTに取って代わり、パワートレインの効率と熱マージンを向上させたことで、戦略的な重要性を高めました。また、北米・南米の半導体デバイス業界では、オプトエレクトロニクスがLiDARやイメージセンシング分野へと拡大し、周期的な変動が見られるスマートフォン分野に対するさらなる多角化をもたらしました。
組み込みアプリケーションの多様化が進んだことで、センサーの出荷数量は堅調に推移しましたが、多くの設計が資産の減価償却が完了した成熟したプロセスラインに依存していたため、価格圧力は続きました。アナログICは、数十年にわたる供給の継続性が求められる従来の自動車用および産業用ソケットにより、安定したキャッシュフローをもたらしました。一方、ロジックおよびメモリは、ハイパースケール企業の設備投資サイクルに連動して、より大きな変動を見せました。こうした変動にもかかわらず、集積回路(IC)分野ではエコシステムへの着実な投資が行われ、北米・南米の半導体デバイス市場における設計人材の定着が強化されました。
2025年には、300mmラインが生産の57.60%を占め、ほぼすべての最先端ノードを支え、北米・南米の半導体デバイス市場規模の最大の部分を占めました。ファウンダリ各社は、成熟したアナログ製品を200mm基板から300mm基板へ移行させた結果、単位コストが30%低下し、粗利益率の余裕が拡大しました。一方、装置メーカーは450mmのパイロットツールの改良を進めました。この直径は依然としてニッチな分野にとどまっていますが、メーカーがさらなる規模の経済を追求する中、2031年までのCAGRは16.4%と見込まれています。
<=200 mmのファブは、自動車および産業分野の買い手が、純粋な演算密度よりも実証済みの信頼性を重視したため、依然として重要な位置を占めていました。また、これらのファブは、メキシコにおけるバックエンド組立のニアショアリングの恩恵も受けており、これによりレガシー部品のサイクルタイムが短縮されました。北米・南米の半導体デバイス市場は、特定のノードやウエハーサイズにおける周期的な供給過剰に備えるため、各直径にわたる投資のバランスを保ち続けていました。
その他の特典:
- エクセル形式の市場予測(ME)シート
- 3ヶ月間のアナリストによるサポート
よくあるご質問
目次
第1章 イントロダクション
- 調査の前提条件と市場の定義
- 調査範囲
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 市場情勢
- 市場概要
- 市場促進要因
- CHIPS法に後押しされた北米における半導体製造能力の拡大
- メキシコおよびブラジルにおけるADAS搭載車の需要
- 5Gスタンドアロン方式の展開により、RFフロントエンドICの消費量が増加しています
- ハイパースケールAIサーバーの拡充により、HBMおよびGPUの需要が増加しています
- ブラジルとチリにおける電力半導体の普及を後押しする再生可能エネルギーの優遇措置
- メキシコへのバックエンド組立・検査業務のニアショアリング
- 市場抑制要因
- 米国南西部のファブにおける水・電力供給の制約
- 北米・南米の半導体デバイス全域における熟練半導体エンジニアの不足
- 先端機器および知的財産に関する輸出規制
- 地域的な供給不足によるシリコンウエハー価格の変動
- バリューチェーン分析
- 規制展望
- ポーターのファイブフォース
- 投資および生産能力の分析
- マクロ経済要因の影響
第5章 市場規模と成長予測
- デバイスタイプ別
- ディクリート半導体
- オプトエレクトロニクス
- センサー
- 集積回路
- アナログIC
- ロジックIC
- メモリIC
- マイクロIC
- マイクロプロセッサ(MPU)
- マイクロコントローラ(MCU)
- デジタル信号プロセッサ(DSP)
- ウエハーサイズ別
- 200 mm以下
- 300 mm
- 450 mm以上
- プロセスノード別
- 65 nm以下
- 45~28 nm
- 22~16 nm
- 10~7 nm
- 5 nm以下
- 半導体材料別
- シリコン(Si)
- 炭化ケイ素(SiC)
- 窒化ガリウム(GaN)
- その他(GaAs、InPなど)
- エンドユーザー産業別
- 自動車
- 通信(有線および無線)
- 家庭用電子機器
- 産業
- コンピューティングおよびデータストレージ
- 航空宇宙・防衛
- ヘルスケアおよび医療機器
- 地域別
- 北米
- 米国
- カナダ
- 南米
- ブラジル
- アルゼンチン
- メキシコ
- その他の南米諸国
- 北米
第6章 競合情勢
- 市場集中度
- 戦略的動向
- 市場シェア分析
- 企業プロファイル
- Intel Corporation
- NVIDIA Corporation
- Qualcomm Incorporated
- Micron Technology Inc.
- Texas Instruments Incorporated
- Broadcom Inc.
- Advanced Micro Devices Inc.
- onsemi(ON Semiconductor Corporation)
- NXP Semiconductors N.V.
- Infineon Technologies AG
- STMicroelectronics N.V.
- Analog Devices Inc.
- Microchip Technology Inc.
- Skyworks Solutions Inc.
- GlobalFoundries Inc.
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
- Samsung Electronics Co., Ltd.
- Marvell Technology Inc.
- Monolithic Power Systems
- Wolfspeed Inc.
- Lattice Semiconductor
第7章 市場機会と将来の展望
- 発行日
- 発行
- Mordor Intelligence
- ページ情報
- 英文 120 Pages
- 納期
- 2~3営業日