RF GaN（高周波窒化ガリウム）の市場規模、シェア、成長および世界産業分析：タイプ別・用途別、地域別洞察と予測（2024年～2032年）

RF GaN（高周波窒化ガリウム）市場の成長要因

世界のRF GaN（高周波窒化ガリウム）市場は、高周波・高電力アプリケーションにおける優れた性能を背景に、次世代半導体技術の重要な構成要素として台頭してまいりました。2024年には市場規模は17億米ドルに達し、2025年には20億3,000万米ドルに増加し、2032年までにCAGR20.1％という高い伸び率で73億3,000万米ドルに達すると予測されています。この成長は、レーダー、5Gネットワーク、衛星通信、電子戦、航空宇宙産業などにおける高効率RFデバイスの需要加速を反映しています。

RF GaN技術は、従来のシリコンベースのRF部品と比較して、高い電力密度、高い絶縁破壊電圧、優れた熱性能、過酷な環境下での動作信頼性の向上など、顕著な利点を提供します。これらの特性により、RF GaNは現代の防衛システム、先進的な通信ネットワーク、高性能試験装置に不可欠な存在となっています。Qorvo、住友電気デバイスイノベーションズ、NXPセミコンダクターズ、MACOM、アナログ・デバイセズ、インフィニオン・テクノロジーズ、STマイクロエレクトロニクス、三菱電機、ブロードコムなどの世界の主要企業は、競争優位性を維持するため、GaN技術革新への積極的な投資を継続しております。

相互関税の影響

主要経済圏間の貿易摩擦と相互関税は、原材料および半導体部品のコスト上昇を招き、RF GaNの生産とサプライチェーンに影響を及ぼしています。情報技術革新財団（ITIF）は、米国への半導体輸入品に対する25％の関税が、導入初年度に米国経済成長率を0.18％低下させる可能性があると指摘し、サプライチェーン混乱のマクロ経済的意義を浮き彫りにしました。こうした課題を緩和するため、各社はサプライヤーの多様化、地域別製造拠点の拡大、現地化戦略の加速を進めています。コスト圧力があるにもかかわらず、高周波防衛・通信システムにおける代替不可能な役割から、RF GaNの需要は堅調に推移しています。

市場動向

業界の主要な動向として、GaN技術の衛星通信ネットワークへの統合が進んでいます。衛星サービス分野は2023年に1,100億米ドル以上の収益を生み出しており、GaNの高効率性、低損失特性、放射線環境下での耐久性は、ブロードバンド衛星ネットワーク、宇宙搭載レーダー、深宇宙通信に最適です。衛星インターネットや防衛衛星への世界の投資が増加する中、GaNベースのRF部品は従来の半導体技術を急速に置き換えています。

市場力学

市場促進要因

5Gインフラの急速な展開は、RF GaN（高周波窒化ガリウム）市場にとって最も強力な成長要因の一つです。インド国立通信セキュリティセンターによれば、インドの5Gネットワーク単独でも、2030年までにGDPの約2％に貢献し、1,800億米ドルの収益を生み出すと予測されています。GaNの高周波性能は、5G基地局、スモールセル、ミリ波アプリケーションに最適です。その高い電力効率とコンパクトなフォームファクターは、高密度ネットワークアーキテクチャをサポートし、運用時のエネルギー要件を削減します。

市場抑制要因

需要は堅調であるもの、製造コストの高さが依然として主要な障壁となっています。GaNの製造にはSiCなどの高度な基板が必要であり、歩留まりの課題が生産コストを押し上げる可能性があります。また、統合の複雑さも商業的な普及を妨げています。特に中電力アプリケーション分野では、炭化ケイ素（SiC）や先進的なシリコンRFソリューションとの競合がGaNの市場浸透をさらに制限する可能性があります。

市場の機会

省エネルギーで高性能なRF部品への需要拡大が大きな機会をもたらします。2024年には188億台に達すると予測されるIoTデバイスは、堅牢かつコンパクトなRFフロントエンドソリューションを必要とします。GaNの優れた電力密度と熱管理特性は、次世代通信、レーダー、自律システム、防衛プラットフォームに最適です。産業が高効率部品を優先する中、GaNは戦略的技術としてますます注目されています。

セグメント概要

デバイスタイプ別

RFパワーアンプは、レーダー、5G、衛星システムにおける重要な機能から市場を独占しています。RFトランジスタは第二位のシェアを占め、商用および防衛用RFモジュールで広く使用されています。

材料タイプ別

GaN-on-SiCは、その卓越した熱伝導性と過酷な環境下での信頼性により主導的地位にあります。GaN-on-Siは、低コストとシリコン製造設備との互換性から、最も急速な成長が見込まれています。

用途別

レーダーシステムが最大のシェアを占めており、世界の防衛費の増加に支えられています。衛星通信がこれに続き、世界のブロードバンドネットワークの成長と商業宇宙事業の拡大が牽引しています。

地域別見通し

北米

北米は、先進的な半導体製造と高い防衛支出に支えられ、2024年に7億米ドルで市場をリードしました。米国は、強力な航空宇宙・軍事セクターにより、地域需要を支配しています。

アジア太平洋

アジア太平洋は、中国、インド、韓国、日本における通信インフラ、半導体製造、防衛近代化への投資により、最も高いCAGRを記録すると予想されます。

欧州

欧州は航空宇宙、防衛、通信産業により高いシェアを維持しております。政府主導の半導体イニシアチブがGaN開発をさらに後押ししております。

中東・アフリカおよび南米

通信インフラの整備が限定的であり、防衛支出も低水準であることから、成長ペースは依然として緩やかな状態が続いております。

目次

第1章 イントロダクション

第2章 エグゼクティブサマリー

第3章 市場力学

• マクロおよびミクロ経済指標
• 促進要因、抑制要因、機会、および動向
• 相互関税の影響

第4章 競合情勢

• 主要企業が採用する事業戦略
• 主要企業の統合SWOT分析
• 世界RF GaN主要企業（上位3～5社）の市場シェア／順位（2024年）

第5章 世界のRF GaN（高周波窒化ガリウム）市場規模の推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 主な調査結果
• デバイスタイプ別
  • 高周波パワーアンプ
  • RFトランジスタ
  • スイッチ
  • 低雑音増幅器（LNA）
  • その他（発振器、ミキサーなど）
• 材料タイプ別
  • GaN-on-SiC
  • GaN-on-Si
  • その他（GaN-on-ダイヤモンドなど）
• 用途別
  • レーダーシステム
  • 衛星通信
  • 通信インフラ
  • 電子戦
  • 航空電子機器
  • その他（試験・測定機器など）
• 地域別
  • 北米
  • 南米
  • 欧州
  • 中東・アフリカ
  • アジア太平洋

第6章 北米のRF GaN（高周波窒化ガリウム）市場の規模推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 国別
  • 米国
  • カナダ
  • メキシコ

第7章 南米のRF GaN（高周波窒化ガリウム）市場の規模推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 国別
  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • その他南米諸国

第8章 欧州のRF GaN（高周波窒化ガリウム）市場の規模推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 国別
  • 英国
  • ドイツ
  • フランス
  • イタリア
  • スペイン
  • ロシア
  • ベネルクス
  • 北欧諸国
  • その他欧州

第9章 中東・アフリカのRF GaN（高周波窒化ガリウム）市場の規模推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 国別
  • トルコ
  • イスラエル
  • GCC
  • 北アフリカ
  • 南アフリカ
  • その他中東とアフリカ地域

第10章 アジア太平洋のRF GaN（高周波窒化ガリウム）市場の規模推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 国別
  • 中国
  • インド
  • 日本
  • 韓国
  • ASEAN
  • オセアニア
  • その他アジア太平洋地域

第11章 主要10社の企業プロファイル

• Qorvo, Inc.
• Sumitomo Electric Device Innovations
• NXP Semiconductors N.V.
• MACOM Technology Solutions
• Analog Devices, Inc.
• Infineon Technologies AG
• STMicroelectronics N.V.
• Mitsubishi Electric Corporation
• Microchip Technology
• Broadcom Inc.

第12章 主なポイント