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市場調査レポート
商品コード
1897295
GaN RFデバイスの市場規模、シェア、成長分析：デバイスタイプ別、用途別、周波数帯域別、技術別、地域別 - 業界予測（2026年～2033年）Gan RF Devices Market Size, Share, and Growth Analysis, By Device Type (High Electron Mobility Transistors, Diodes), By Application, By Frequency Range, By Technology, By Region - Industry Forecast 2026-2033 |
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| GaN RFデバイスの市場規模、シェア、成長分析：デバイスタイプ別、用途別、周波数帯域別、技術別、地域別 - 業界予測（2026年～2033年） |
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出版日: 2025年12月19日
発行: SkyQuest
ページ情報: 英文 188 Pages
納期: 3～5営業日
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概要
世界のGaN RFデバイス市場規模は、2024年に21億3,000万米ドルと評価され、2025年の25億3,000万米ドルから2033年までに98億3,000万米ドルへ成長する見込みです。予測期間（2026年～2033年）におけるCAGRは18.5％と予測されています。
世界のGaN RFデバイス市場は、持続可能性への移行の中で高まる省エネルギー型電力ソリューションへの需要に大きく牽引されています。GaN半導体デバイスは、そのコンパクトなサイズと高い電力効率からますます支持を集めており、電源装置、インバーター、電気自動車システムへの応用において理想的な選択肢となっています。電力損失の最小化、効率の向上、熱管理におけるその能力は、特に世界が再生可能エネルギー技術を採用する中で、高性能エネルギーアプリケーションにとって極めて重要です。さらに、5Gネットワークの拡大は、信頼性と速度を確保するために高周波・高出力デバイスが不可欠な通信分野におけるGaN RFデバイスの採用を促進しています。その結果、GaN RFデバイスは基地局や無線通信において不可欠な存在となりつつあり、市場の革新をさらに推進しています。
世界のGaN RFデバイス市場の促進要因
世界の5Gネットワークの普及拡大は、世界のGaN RFデバイス市場の成長を大きく推進しております。これらのGaNデバイスは、電力効率の向上と高周波数での動作を可能とする特性から不可欠であり、5G基地局の核心技術となっております。その高度な機能性は、高速データ伝送と接続性の向上を実現し、現代の通信インフラにおいて極めて重要な要素となっております。世界的に5Gソリューションへの需要が高まり続ける中、これはGaN RFデバイス市場の進化と拡大にとって重要な触媒として機能し、次世代技術におけるその重要性を確固たるものとしています。
世界のGaN RFデバイス市場の抑制要因
世界のGaN RFデバイス市場は、特に過酷な環境条件下におけるこれらのデバイスの長期的な信頼性と性能に関する懸念に起因する一定の課題に直面しています。高温や高電力レベルに曝された際のデバイスの潜在的な劣化といった問題は、重要用途への適性に疑問を投げかけています。防衛や航空宇宙といった分野では、一貫した信頼性の高い性能が不可欠であるため、こうした信頼性の懸念がGaN技術の普及を妨げる可能性があります。したがって、これらの課題に対処することは、様々な産業におけるGaN RFデバイスの継続的な成長と受容にとって極めて重要です。
世界のGaN RFデバイス市場の動向
世界のGaN RFデバイス市場は、高度な通信インフラへの需要拡大、特に5Gネットワークの展開と6G技術の登場が予想されることから、著しい成長を遂げています。GaNの優れた電力効率と高周波数動作能力は、通信速度と信頼性の向上において不可欠な要素となっています。産業分野においてネットワーク能力向上のための高性能ソリューションがますます求められる中、GaN RFデバイスへの依存度は急激に高まっており、次世代通信システムの発展において不可欠な要素として位置づけられています。これにより、市場情勢におけるその重要な役割が確固たるものとなっております。
よくあるご質問
目次
イントロダクション
- 調査の目的
- 調査範囲
- 定義
調査手法
- 情報調達
- 二次と一次データの方法
- 市場規模予測
- 市場の前提条件と制限
エグゼクティブサマリー
- 世界市場見通し
- 供給と需要の動向分析
- セグメント別機会分析
市場力学と見通し
- 市場規模
- 市場力学
- 促進要因と機会
- 抑制要因と課題
- ポーターの分析
主な市場の考察
- 重要成功要因
- 競合の程度
- 主な投資機会
- 市場エコシステム
- 市場の魅力指数（2025年）
- PESTEL分析
- マクロ経済指標
- バリューチェーン分析
- 価格分析
- 規制情勢
- ケーススタディ
- 技術分析
世界のGaN RFデバイス市場規模：デバイスタイプ別& CAGR（2026-2033）
- 高電子移動度トランジスタ（HEMT）
- ダイオード
- 集積回路（IC）
- その他
世界のGaN RFデバイス市場規模：用途別& CAGR（2026-2033）
- 防衛・航空宇宙
- 電気通信
- 自動車
- 民生用電子機器
- 産業用
世界のGaN RFデバイス市場規模：周波数帯域別& CAGR（2026-2033）
- 6 GHz未満
- 6 GHz～20 GHz
- 20 GHz超
世界のGaN RFデバイス市場規模：技術別& CAGR（2026-2033）
- GaN-on-シリコンカーバイド（SiC）
- GaN-on-シリコン（Si）
- GaN-on-ダイヤモンド
- その他
世界のGaN RFデバイス市場規模& CAGR（2026-2033）
- 北米
- 米国
- カナダ
- 欧州
- ドイツ
- スペイン
- フランス
- 英国
- イタリア
- その他欧州地域
- アジア太平洋地域
- 中国
- インド
- 日本
- 韓国
- その他アジア太平洋地域
- ラテンアメリカ
- ブラジル
- その他ラテンアメリカ地域
- 中東・アフリカ
- GCC諸国
- 南アフリカ
- その他中東・アフリカ
競合情報
- 上位5社の比較
- 主要企業の市場ポジショニング（2025年）
- 主な市場企業が採用した戦略
- 最近の市場動向
- 企業の市場シェア分析（2025年）
- 主要企業の企業プロファイル
- 企業の詳細
- 製品ポートフォリオ分析
- 企業のセグメント別シェア分析
- 収益の前年比比較（2023-2025年）
主要企業プロファイル
- Cree, Inc.（U.S.）
- Qorvo, Inc.（U.S.）
- Skyworks Solutions, Inc.（U.S.）
- Infineon Technologies AG（Germany）
- MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.（U.S.）
- Mitsubishi Electric Corporation（Japan）
- STMicroelectronics N.V.（Switzerland）
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.（Japan）
- Wolfspeed, Inc.（U.S.）
- Panasonic Corporation（Japan）
- Analog Devices, Inc.（U.S.）
- ON Semiconductor Corporation（U.S.）
- TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company）（Taiwan）
- Toshiba Corporation（Japan）
- Renesas Electronics Corporation（Japan）
- Broadcom Inc.（U.S.）
- VPT, Inc.（U.S.）
