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市場調査レポート
商品コード
1881532

RF GaN半導体デバイス市場- 世界産業規模、シェア、動向、機会、および予測（材料別、用途別、エンドユーザー別、地域別、競合別、2020-2030年）

RF GaN Semiconductor Device Market - Global Industry Size, Share, Trends, Opportunity, and Forecast, Segmented By Material, By Application, By End-Users, By Region, By Competition, 2020-2030F

出版日
ページ情報
英文 180 Pages
納期
2～3営業日
カスタマイズ可能
RF GaN半導体デバイス市場- 世界産業規模、シェア、動向、機会、および予測（材料別、用途別、エンドユーザー別、地域別、競合別、2020-2030年）
出版日: 2025年11月27日
発行: TechSci Research
ページ情報: 英文 180 Pages
納期: 2～3営業日
GIIご利用のメリット

  • 概要

世界のRF GaN半導体デバイス市場は、2024年に24億2,000万米ドルと評価され、2030年までにCAGR20.83％で成長し、75億3,000万米ドルに達すると予測されております。RF窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスは、窒化ガリウムのワイドバンドギャップ特性を活用した部品であり、高周波・高電力の無線周波数アプリケーションにおいて、高い耐圧、強化された電力密度、効率的な動作といった優れた性能を発揮します。市場の成長は、より高い周波数と電力レベルを管理するために基地局向けの高性能RF部品を必要とする、5G通信インフラの広範なグローバル展開によって根本的に支えられています。

市場概要
予測期間 2026年～2030年
市場規模：2024年 24億2,000万米ドル
市場規模：2030年 75億3,000万米ドル
CAGR：2025年～2030年 20.83％
最も成長が速いセグメント GaN-On-Diamond
最大の市場 北米

主要な市場促進要因

5Gネットワークの世界の展開加速は、高周波GaN半導体デバイスにとって重要な促進要因です。窒化ガリウムは、高周波数域における高い電力密度と効率性を備えており、5G基地局や能動アンテナシステムに不可欠なパワーアンプやフロントエンドモジュールに最適な材料です。

主要な市場課題

固有の製造上の複雑さと高騰する生産コストは、世界のRF GaN半導体デバイス市場の持続的な成長にとって大きな課題となっています。GaNデバイスの製造には、厳格な環境管理や高価な専用設備を含む、高度に専門化された製造プロセスが必要となります。

主要な市場動向

デバイスの小型化とモノリシック集積は重要な進歩であり、より小型で高性能、かつ熱効率に優れたRFシステムの開発を推進しています。この傾向により、より少ない設置面積でより高い機能性を実現することが可能となり、先進的なRF機能をより幅広いプラットフォームに統合するために不可欠です。

よくあるご質問

  • RF GaN半導体デバイス市場の2024年の市場規模はどのように予測されていますか？
  • RF GaN半導体デバイス市場の2030年の市場規模はどのように予測されていますか？
  • RF GaN半導体デバイス市場のCAGRはどのように予測されていますか？
  • RF GaN半導体デバイス市場の最も成長が速いセグメントは何ですか？
  • RF GaN半導体デバイス市場で最大の市場はどこですか？
  • RF GaN半導体デバイス市場の主要な市場促進要因は何ですか？
  • RF GaN半導体デバイス市場の主要な市場課題は何ですか？
  • RF GaN半導体デバイス市場の主要な市場動向は何ですか？
  • RF GaN半導体デバイス市場の調査手法は何ですか？
  • RF GaN半導体デバイス市場の競合企業はどこですか？

目次

第1章 概要

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 顧客の声

第5章 世界のRF GaN半導体デバイス市場展望

  • 市場規模・予測
    • 金額別
  • 市場シェア・予測
    • 材料別（GaN-On-SiC、GaN-On-Silicon、GaN-On-Diamond）
    • エンドユーザー別（航空宇宙・防衛、IT・通信、民生用電子機器、自動車、その他）
    • 用途別（無線インフラ、電力貯蔵、衛星通信、太陽光発電インバーター、その他）
    • 地域別
    • 企業別（2024）
  • 市場マップ

第6章 北米のRF GaN半導体デバイス市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 北米：国別分析
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ

第7章 欧州のRF GaN半導体デバイス市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 欧州：国別分析
    • ドイツ
    • フランス
    • 英国
    • イタリア
    • スペイン

第8章 アジア太平洋地域のRF GaN半導体デバイス市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • アジア太平洋地域：国別分析
    • 中国
    • インド
    • 日本
    • 韓国
    • オーストラリア

第9章 中東・アフリカのRF GaN半導体デバイス市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 中東・アフリカ：国別分析
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • 南アフリカ

第10章 南米のRF GaN半導体デバイス市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 南米：国別分析
    • ブラジル
    • コロンビア
    • アルゼンチン

第11章 市場力学

  • 促進要因
  • 課題

第12章 市場動向と発展

  • 合併・買収
  • 製品上市
  • 最近の動向

第13章 世界のRF GaN半導体デバイス市場：SWOT分析

第14章 ポーターのファイブフォース分析

  • 業界内の競合
  • 新規参入の可能性
  • サプライヤーの力
  • 顧客の力
  • 代替品の脅威

第15章 競合情勢

  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
  • Samsung Electronics Co., Ltd.
  • Intel Corporation
  • GlobalFoundries Inc.
  • United Microelectronics Corporation
  • Micron Technology, Inc.
  • Semiconductor Manufacturing International Corporation
  • STMicroelectronics International N.V.
  • NXP Semiconductors N.V.
  • Analog devises Inc.

第16章 戦略的提言

第17章 調査会社について・免責事項