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市場調査レポート
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1755921

RF GaN市場の2032年までの予測： 材料タイプ、デバイスタイプ、ウエハーサイズ、用途、エンドユーザー、地域別の世界分析

RF GaN Market Forecasts to 2032 - Global Analysis By Material Type (GaN-on-SiC, GaN-on-Silicon, GaN-on-Diamond and Other Materials), Device Type, Wafer Size, Application, End User and By Geography

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ページ情報
英文 200+ Pages
納期
2～3営業日
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RF GaN市場の2032年までの予測： 材料タイプ、デバイスタイプ、ウエハーサイズ、用途、エンドユーザー、地域別の世界分析
出版日: 2025年06月06日
発行: Stratistics Market Research Consulting
ページ情報: 英文 200+ Pages
納期: 2～3営業日
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  • 目次
概要

Stratistics MRCによると、RF GaNの世界市場は2025年に17億米ドルを占め、予測期間中のCAGRは22.2％で成長し、2032年には72億米ドルに達する見込みです。

"RF GaN "は、無線周波数環境における窒化ガリウム半導体の利用を説明しています。衛星通信、レーダーシステム、無線インフラにおけるコンパクトで高性能なコンポーネントは、高耐圧、電力密度、効率でよく知られるRF GaNによって実現されています。GaNは、シリコンやGaAsのような従来の材料よりも優れた温度性能と周波数性能を提供するため、高周波、高出力の無線周波数デバイスに最適です。

PwCの報告書によると、5G技術は2030年までに世界のGDPに1兆3,000億米ドル貢献すると予想されています。

レーダーと電子戦システムにおける需要の高まり

レーダーと電子戦システムの需要の高まりは、RF GaN市場の極めて重要な促進要因です。これらのアプリケーションには、高周波、高出力、高効率の部品が必要であり、GaNはその点で優れています。世界の防衛システムの近代化、特に高度なレーダーと電子戦能力の統合により、RF GaNデバイスの採用が加速しています。GaNベースのソリューションの優れた電力密度と熱性能は、次世代の軍事・航空宇宙プラットフォームに不可欠であり、市場の力強い成長を後押ししています。

熱管理の課題

GaNデバイスは高い電力密度と周波数で動作するため、かなりの熱が発生し、効果的に放熱されないと信頼性とデバイス寿命を損なう可能性があります。さらに、コンパクトで高性能なシステムにGaNを統合することで、これらの課題はさらに深刻化し、先進の冷却ソリューションと革新的なパッケージング技術が必要となります。こうした複雑さが加わることで、開発コストと市場開拓期間の両方が増大し、特にコスト重視のアプリケーションでは、幅広い採用が制限される可能性があります。

AIベースの防衛システムとの統合

高度なAIアルゴリズムを高周波、高出力のGaNデバイスと組み合わせることで、最新の防衛プラットフォームにおけるリアルタイムのデータ処理、適応的な信号管理、脅威検出の強化が可能になります。さらに、AIとGaNの相乗効果により、レーダー、電子戦、通信システムの有効性が増幅され、よりスマートで自律的な軍事作戦への道が開かれます。この融合は、この分野への多大な投資と技術革新を促進すると予想されます。

GaNウエハーと基板のサプライチェーンの混乱

GaNウェハーと基板のサプライチェーンの混乱は、RF GaN市場に大きな脅威をもたらします。高品質のGaN材料を限られた数のサプライヤーに依存しているため、メーカーは地政学的緊張、自然災害、物流ボトルネックなどのリスクにさらされます。さらに、炭化ケイ素（SiC）や高純度GaNのような重要な基板の供給が中断されると、生産の遅れ、コストの上昇、需要の未達につながる可能性があります。

COVID-19の影響：

COVID-19の大流行は当初、サプライチェーンの中断と最終用途産業からの需要の減少によりRF GaN市場を混乱させました。しかし、この危機はデジタル化、遠隔作業、通信インフラの拡大を加速させ、高性能RF部品の需要を押し上げました。産業が適応し、規制が緩和されるにつれて、通信、防衛、家電などの分野が勢いを取り戻し、RF GaN市場の迅速な回復と再成長につながりました。

予測期間中、GaN-on-SiCセグメントが最大になる見込み

GaN-on-SiCデバイスの優れた熱伝導性、効率、電力処理能力は高性能RFアプリケーションに不可欠であるため、GaN-on-SiCセグメントは予測期間中最大の市場シェアを占めると予想されます。さらに、高い電力密度と周波数で確実に動作する能力により、通信、防衛、航空宇宙などの要求の厳しい分野で好まれています。製造プロセスとコスト効率における継続的な進歩が、このセグメントの市場でのリーダーシップをさらに強化しています。

予測期間中、通信分野のCAGRが最も高くなる見込み

予測期間中、通信分野が最も高い成長率を示すと予測されます。5Gネットワークの急速な展開と高速データ通信の急増が、この分野でのRF GaNデバイスの採用を促進しています。さらに、高電力密度、高効率、広帯域幅といったGaN技術固有の利点が、基地局やインフラにおけるシグナルインテグリティやネットワーク性能の強化を可能にしています。高度なワイヤレス接続に対する世界の需要が高まるにつれ、通信分野は他のアプリケーションを凌ぐ勢いで市場拡大を続けると思われます。

最大シェアの地域：

予測期間中、北米地域が最大の市場シェアを占めると予想されるが、これは同地域の高度な防衛インフラ、5G技術の早期導入、研究開発への多額の投資がその要因です。さらに、大手半導体メーカーの存在と、先進的な通信・防衛機能に対する政府の強力な支援が、北米の支配的地位をさらに強固なものにしています。

CAGRが最も高い地域：

予測期間中、アジア太平洋地域が最も高いCAGRを示すと予想されます。同地域の急速な工業化、急成長する通信インフラ、強力な製造能力がRF GaNデバイスの例外的な需要を牽引しています。さらに、中国、日本、韓国などの国々は、先端半導体技術の導入と生産の両面でリードしています。国内製造と技術革新を支援する政府のイニシアチブは、市場の成長をさらに加速させます。

無料カスタマイズサービス：

本レポートをご購読のお客様には、以下の無料カスタマイズオプションのいずれかをご利用いただけます：

  • 企業プロファイル
    • 追加市場プレーヤーの包括的プロファイリング（3社まで）
    • 主要企業のSWOT分析（3社まで）
  • 地域セグメンテーション
    • 顧客の関心に応じた主要国の市場推計・予測・CAGR（注：フィージビリティチェックによる）
  • 競合ベンチマーキング
    • 製品ポートフォリオ、地理的プレゼンス、戦略的提携に基づく主要企業のベンチマーキング

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 序文

  • 概要
  • ステークホルダー
  • 調査範囲
  • 調査手法
    • データマイニング
    • データ分析
    • データ検証
    • 調査アプローチ
  • 調査資料

第3章 市場動向分析

  • 促進要因
  • 抑制要因
  • 機会
  • 脅威
  • 用途分析
  • エンドユーザー分析
  • 新興市場
  • COVID-19の影響

第4章 ポーターのファイブフォース分析

  • 供給企業の交渉力
  • 買い手の交渉力
  • 代替品の脅威
  • 新規参入業者の脅威
  • 競争企業間の敵対関係

第5章 世界のRF GaN市場：材料タイプ別

  • GaN-on-SiC
  • GaNオンシリコン
  • GaNオンダイヤモンド
  • その他の素材の種類

第6章 世界のRF GaN市場：デバイスタイプ別

  • ディスクリートデバイス
  • 集積デバイス（MMIC）

第7章 世界のRF GaN市場：ウエハーサイズ別

  • 150 mm未満
  • 150 mm以上

第8章 世界のRF GaN市場：用途別

  • 無線インフラストラクチャ
  • レーダーシステム
  • 衛星通信
  • 試験・計測機器
  • 電子戦
  • RFエネルギー
  • その他の用途

第9章 世界のRF GaN市場：エンドユーザー別

  • 航空宇宙および防衛
  • 通信
  • 自動車
  • ヘルスケア
  • 産業
  • その他のエンドユーザー

第10章 世界のRF GaN市場：地域別

  • 北米
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
  • 欧州
    • ドイツ
    • 英国
    • イタリア
    • フランス
    • スペイン
    • その他欧州
  • アジア太平洋
    • 日本
    • 中国
    • インド
    • オーストラリア
    • ニュージーランド
    • 韓国
    • その他アジア太平洋地域
  • 南米
    • アルゼンチン
    • ブラジル
    • チリ
    • その他南米
  • 中東・アフリカ
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • カタール
    • 南アフリカ
    • その他中東とアフリカ

第11章 主な発展

  • 契約、パートナーシップ、コラボレーション、ジョイントベンチャー
  • 買収と合併
  • 新製品発売
  • 事業拡大
  • その他の主要戦略

第12章 企業プロファイリング

  • Cree, Inc.（Wolfspeed）
  • Qorvo, Inc.
  • Skyworks Solutions, Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
  • NXP Semiconductors N.V.
  • STMicroelectronics N.V.
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • Analog Devices, Inc.
  • Panasonic Corporation
  • Texas Instruments Incorporated
  • Toshiba Corporation
  • Sumitomo Electric Industries, Ltd.
  • GaN Systems Inc.
  • Analogic Corporation
  • United Monolithic Semiconductors（UMS）
  • Transphorm, Inc.
図表

List of Tables

  • Table 1 Global RF GaN Market Outlook, By Region (2024-2032) ($MN)
  • Table 2 Global RF GaN Market Outlook, By Material Type (2024-2032) ($MN)
  • Table 3 Global RF GaN Market Outlook, By GaN-on-SiC (2024-2032) ($MN)
  • Table 4 Global RF GaN Market Outlook, By GaN-on-Silicon (2024-2032) ($MN)
  • Table 5 Global RF GaN Market Outlook, By GaN-on-Diamond (2024-2032) ($MN)
  • Table 6 Global RF GaN Market Outlook, By Other Material Types (2024-2032) ($MN)
  • Table 7 Global RF GaN Market Outlook, By Device Type (2024-2032) ($MN)
  • Table 8 Global RF GaN Market Outlook, By Discrete Devices (2024-2032) ($MN)
  • Table 9 Global RF GaN Market Outlook, By Integrated Devices (MMICs) (2024-2032) ($MN)
  • Table 10 Global RF GaN Market Outlook, By Wafer Size (2024-2032) ($MN)
  • Table 11 Global RF GaN Market Outlook, By <150 mm (2024-2032) ($MN)
  • Table 12 Global RF GaN Market Outlook, By 150 mm and Larger (2024-2032) ($MN)
  • Table 13 Global RF GaN Market Outlook, By Application (2024-2032) ($MN)
  • Table 14 Global RF GaN Market Outlook, By Wireless Infrastructure (2024-2032) ($MN)
  • Table 15 Global RF GaN Market Outlook, By Radar Systems (2024-2032) ($MN)
  • Table 16 Global RF GaN Market Outlook, By Satellite Communication (2024-2032) ($MN)
  • Table 17 Global RF GaN Market Outlook, By Test & Measurement Equipment (2024-2032) ($MN)
  • Table 18 Global RF GaN Market Outlook, By Electronic Warfare (2024-2032) ($MN)
  • Table 19 Global RF GaN Market Outlook, By RF energy (2024-2032) ($MN)
  • Table 20 Global RF GaN Market Outlook, By Other Applications (2024-2032) ($MN)
  • Table 21 Global RF GaN Market Outlook, By End User (2024-2032) ($MN)
  • Table 22 Global RF GaN Market Outlook, By Aerospace & Defense (2024-2032) ($MN)
  • Table 23 Global RF GaN Market Outlook, By Telecommunications (2024-2032) ($MN)
  • Table 24 Global RF GaN Market Outlook, By Automotive (2024-2032) ($MN)
  • Table 25 Global RF GaN Market Outlook, By Healthcare (2024-2032) ($MN)
  • Table 26 Global RF GaN Market Outlook, By Industrial (2024-2032) ($MN)
  • Table 27 Global RF GaN Market Outlook, By Other End Users (2024-2032) ($MN)

Note: Tables for North America, Europe, APAC, South America, and Middle East & Africa Regions are also represented in the same manner as above.

目次
Product Code: SMRC29815

According to Stratistics MRC, the Global RF GaN Market is accounted for $1.7 billion in 2025 and is expected to reach $7.2 billion by 2032 growing at a CAGR of 22.2% during the forecast period. "RF GaN" describes the utilization of gallium nitride semiconductors in radio frequency settings. Compact, high-performance components in satellite communications, radar systems, and wireless infrastructure are made possible by RF GaN, which is well-known for its high breakdown voltage, power density, and efficiency. GaN provides better temperature and frequency performance than conventional materials like silicon or GaAs, which makes it perfect for high-frequency, high-power radio frequency devices.

According to a PwC report, 5G technology is expected to contribute $1.3 trillion to global GDP by 2030.

Market Dynamics:

Driver:

Rising demand in radar and electronic warfare systems

The escalating demand for radar and electronic warfare systems is a pivotal driver for the RF GaN market. These applications require high-frequency, high-power, and high-efficiency components attributes where GaN excels. The modernization of defense systems globally, especially with the integration of advanced radar and electronic warfare capabilities, has accelerated the adoption of RF GaN devices. The superior power density and thermal performance of GaN-based solutions make them indispensable for next-generation military and aerospace platforms, fueling robust market growth.

Restraint:

Thermal management challenges

GaN devices operate at higher power densities and frequencies, they generate substantial heat, which can compromise reliability and device lifespan if not effectively dissipated. Moreover, the integration of GaN in compact, high-performance systems intensifies these challenges, necessitating advanced cooling solutions and innovative packaging techniques. These added complexities increase both development costs and time to market, potentially limiting broader adoption, especially in cost-sensitive applications.

Opportunity:

Integration with AI-based defense systems

Advanced AI algorithms, when combined with high-frequency, high-power GaN devices, enable real-time data processing, adaptive signal management, and enhanced threat detection in modern defense platforms. Additionally, the synergy between AI and GaN amplifies the effectiveness of radar, electronic warfare, and communication systems, paving the way for smarter, more autonomous military operations. This convergence is expected to drive significant investments and innovation in the sector.

Threat:

Supply chain disruptions for GaN wafers and substrates

Supply chain disruptions for GaN wafers and substrates pose a considerable threat to the RF GaN market. The reliance on a limited number of suppliers for high-quality GaN materials exposes manufacturers to risks such as geopolitical tensions, natural disasters, and logistical bottlenecks. Furthermore, any interruption in the supply of critical substrates like silicon carbide (SiC) or high-purity GaN can lead to production delays, increased costs, and unmet demand.

Covid-19 Impact:

The COVID-19 pandemic initially disrupted the RF GaN market due to supply chain interruptions and reduced demand from end-use industries. However, the crisis accelerated digitalization, remote work, and the expansion of telecommunications infrastructure, which in turn boosted demand for high-performance RF components. As industries adapted and restrictions eased, sectors such as telecommunications, defense, and consumer electronics regained momentum, leading to a swift recovery and renewed growth in the RF GaN market.

The GaN-on-SiC segment is expected to be the largest during the forecast period

The GaN-on-SiC segment is expected to account for the largest market share during the forecast period due to the superior thermal conductivity, efficiency, and power handling capabilities of GaN-on-SiC devices, which are crucial for high-performance RF applications. Moreover, their ability to operate reliably at elevated power densities and frequencies makes them the preferred choice for demanding sectors such as telecommunications, defense, and aerospace. Continuous advancements in fabrication processes and cost-effectiveness further reinforce the segment's leadership in the market.

The telecommunications segment is expected to have the highest CAGR during the forecast period

Over the forecast period, the telecommunications segment is predicted to witness the highest growth rate. The rapid rollout of 5G networks and the surge in high-speed data communication are driving the adoption of RF GaN devices in this sector. Furthermore, GaN technology's inherent advantages, such as high power density, efficiency, and wide bandwidth, enable enhanced signal integrity and network performance in base stations and infrastructure. As global demand for advanced wireless connectivity rises, the telecommunications segment will continue to outpace other applications in market expansion.

Region with largest share:

During the forecast period, the North America region is expected to hold the largest market share, fueled by the region's advanced defense infrastructure, early adoption of 5G technologies, and significant investments in research and development. Additionally, the presence of major semiconductor manufacturers and robust government support for advanced communications and defense capabilities further consolidate North America's dominant position.

Region with highest CAGR:

Over the forecast period, the Asia Pacific region is anticipated to exhibit the highest CAGR. The region's rapid industrialization, burgeoning telecommunications infrastructure, and strong manufacturing capabilities drive exceptional demand for RF GaN devices. Moreover, countries such as China, Japan, and South Korea are leading in both the adoption and production of advanced semiconductor technologies. Government initiatives supporting domestic manufacturing and technological innovation further accelerate market growth.

Key players in the market

Some of the key players in RF GaN Market include Cree, Inc. (Wolfspeed), Qorvo, Inc., Skyworks Solutions, Inc., Infineon Technologies AG, MACOM Technology Solutions Holdings, Inc., NXP Semiconductors N.V., STMicroelectronics N.V., Mitsubishi Electric Corporation, Analog Devices, Inc., Panasonic Corporation, Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation, Sumitomo Electric Industries, Ltd., GaN Systems Inc., Analogic Corporation, United Monolithic Semiconductors (UMS), and Transphorm, Inc.

Key Developments:

In March 2025 - At SATELLITE 2025, MACOM showcased new high power C Band, Q Band, and Ka Band GaN MMIC PAs using PURE CARBIDE(TM) GaN technology, supporting 125 W and above with improved efficiency.

In January 2025, Infineon Technologies AG a leader in power, automotive and IoT semiconductors announced the formation of a new business unit to drive the company's growth in the area of sensors by combining the existing Sensor and Radio Frequency (RF) businesses into one dedicated organization. The new business unit SURF (Sensor Units & Radio Frequency) will be part of the Power & Sensor Systems (PSS) division and include the former Automotive and Multi-market Sense & Control businesses.

Material Types Covered:

  • GaN-on-SiC
  • GaN-on-Silicon
  • GaN-on-Diamond
  • Other Material Types

Device Types Covered:

  • Discrete Devices
  • Integrated Devices (MMICs)

Wafer Sizes Covered:

  • <150 mm
  • 150 mm and Larger

Applications Covered:

  • Wireless Infrastructure
  • Radar Systems
  • Satellite Communication
  • Test & Measurement Equipment
  • Electronic Warfare
  • RF energy
  • Other Applications

End Users Covered:

  • Aerospace & Defense
  • Telecommunications
  • Automotive
  • Healthcare
  • Industrial
  • Other End Users

Regions Covered:

  • North America
    • US
    • Canada
    • Mexico
  • Europe
    • Germany
    • UK
    • Italy
    • France
    • Spain
    • Rest of Europe
  • Asia Pacific
    • Japan
    • China
    • India
    • Australia
    • New Zealand
    • South Korea
    • Rest of Asia Pacific
  • South America
    • Argentina
    • Brazil
    • Chile
    • Rest of South America
  • Middle East & Africa
    • Saudi Arabia
    • UAE
    • Qatar
    • South Africa
    • Rest of Middle East & Africa

What our report offers:

  • Market share assessments for the regional and country-level segments
  • Strategic recommendations for the new entrants
  • Covers Market data for the years 2024, 2025, 2026, 2028, and 2032
  • Market Trends (Drivers, Constraints, Opportunities, Threats, Challenges, Investment Opportunities, and recommendations)
  • Strategic recommendations in key business segments based on the market estimations
  • Competitive landscaping mapping the key common trends
  • Company profiling with detailed strategies, financials, and recent developments
  • Supply chain trends mapping the latest technological advancements

Free Customization Offerings:

All the customers of this report will be entitled to receive one of the following free customization options:

  • Company Profiling
    • Comprehensive profiling of additional market players (up to 3)
    • SWOT Analysis of key players (up to 3)
  • Regional Segmentation
    • Market estimations, Forecasts and CAGR of any prominent country as per the client's interest (Note: Depends on feasibility check)
  • Competitive Benchmarking
    • Benchmarking of key players based on product portfolio, geographical presence, and strategic alliances

Table of Contents

1 Executive Summary

2 Preface

  • 2.1 Abstract
  • 2.2 Stake Holders
  • 2.3 Research Scope
  • 2.4 Research Methodology
    • 2.4.1 Data Mining
    • 2.4.2 Data Analysis
    • 2.4.3 Data Validation
    • 2.4.4 Research Approach
  • 2.5 Research Sources
    • 2.5.1 Primary Research Sources
    • 2.5.2 Secondary Research Sources
    • 2.5.3 Assumptions

3 Market Trend Analysis

  • 3.1 Introduction
  • 3.2 Drivers
  • 3.3 Restraints
  • 3.4 Opportunities
  • 3.5 Threats
  • 3.6 Application Analysis
  • 3.7 End User Analysis
  • 3.8 Emerging Markets
  • 3.9 Impact of Covid-19

4 Porters Five Force Analysis

  • 4.1 Bargaining power of suppliers
  • 4.2 Bargaining power of buyers
  • 4.3 Threat of substitutes
  • 4.4 Threat of new entrants
  • 4.5 Competitive rivalry

5 Global RF GaN Market, By Material Type

  • 5.1 Introduction
  • 5.2 GaN-on-SiC
  • 5.3 GaN-on-Silicon
  • 5.4 GaN-on-Diamond
  • 5.5 Other Material Types

6 Global RF GaN Market, By Device Type

  • 6.1 Introduction
  • 6.2 Discrete Devices
  • 6.3 Integrated Devices (MMICs)

7 Global RF GaN Market, By Wafer Size

  • 7.1 Introduction
  • 7.2 <150 mm
  • 7.3 150 mm and Larger

8 Global RF GaN Market, By Application

  • 8.1 Introduction
  • 8.2 Wireless Infrastructure
  • 8.3 Radar Systems
  • 8.4 Satellite Communication
  • 8.5 Test & Measurement Equipment
  • 8.6 Electronic Warfare
  • 8.7 RF energy
  • 8.8 Other Applications

9 Global RF GaN Market, By End User

  • 9.1 Introduction
  • 9.2 Aerospace & Defense
  • 9.3 Telecommunications
  • 9.4 Automotive
  • 9.5 Healthcare
  • 9.6 Industrial
  • 9.7 Other End Users

10 Global RF GaN Market, By Geography

  • 10.1 Introduction
  • 10.2 North America
    • 10.2.1 US
    • 10.2.2 Canada
    • 10.2.3 Mexico
  • 10.3 Europe
    • 10.3.1 Germany
    • 10.3.2 UK
    • 10.3.3 Italy
    • 10.3.4 France
    • 10.3.5 Spain
    • 10.3.6 Rest of Europe
  • 10.4 Asia Pacific
    • 10.4.1 Japan
    • 10.4.2 China
    • 10.4.3 India
    • 10.4.4 Australia
    • 10.4.5 New Zealand
    • 10.4.6 South Korea
    • 10.4.7 Rest of Asia Pacific
  • 10.5 South America
    • 10.5.1 Argentina
    • 10.5.2 Brazil
    • 10.5.3 Chile
    • 10.5.4 Rest of South America
  • 10.6 Middle East & Africa
    • 10.6.1 Saudi Arabia
    • 10.6.2 UAE
    • 10.6.3 Qatar
    • 10.6.4 South Africa
    • 10.6.5 Rest of Middle East & Africa

11 Key Developments

  • 11.1 Agreements, Partnerships, Collaborations and Joint Ventures
  • 11.2 Acquisitions & Mergers
  • 11.3 New Product Launch
  • 11.4 Expansions
  • 11.5 Other Key Strategies

12 Company Profiling

  • 12.1 Cree, Inc. (Wolfspeed)
  • 12.2 Qorvo, Inc.
  • 12.3 Skyworks Solutions, Inc.
  • 12.4 Infineon Technologies AG
  • 12.5 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
  • 12.6 NXP Semiconductors N.V.
  • 12.7 STMicroelectronics N.V.
  • 12.8 Mitsubishi Electric Corporation
  • 12.9 Analog Devices, Inc.
  • 12.10 Panasonic Corporation
  • 12.11 Texas Instruments Incorporated
  • 12.12 Toshiba Corporation
  • 12.13 Sumitomo Electric Industries, Ltd.
  • 12.14 GaN Systems Inc.
  • 12.15 Analogic Corporation
  • 12.16 United Monolithic Semiconductors (UMS)
  • 12.17 Transphorm, Inc.