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市場調査レポート
商品コード
1737103
GaN基板およびGaNウエハーの世界市場規模:タイプ別、用途別、地域別、範囲および予測Global GaN Substrate And GaN Wafer Market Size By Type (Sapphire, GaN on SiC, GaN on Si), By End-Use (Healthcare, Automobiles, Consumer Electronics), By Geographic Scope And Forecast |
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GaN基板およびGaNウエハーの世界市場規模:タイプ別、用途別、地域別、範囲および予測 |
出版日: 2025年05月08日
発行: Verified Market Research
ページ情報: 英文 202 Pages
納期: 2~3営業日
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GaN基板およびGaNウエハー市場規模は、2024年に25億5,000万米ドルと評価され、2026年から2032年にかけて16.07%のCAGRで成長し、2032年には84億1,000万米ドルに達すると予測されます。
GaNメーカーや商業ビジネスの増加、家電や自動車需要の高まり、低消費電力デバイスへのニーズの高まりなどが市場拡大に寄与しています。当レポートは、GaN基板およびGaNウエハーの世界市場を総合的に評価したものです。主要セグメント、動向、市場促進要因、抑制要因、競合情勢、市場で大きな役割を果たしている要因などを包括的に分析しています。
世界のGaN基板およびGaNウエハー市場の定義
高い熱伝導率と熱容量を持つ硬質半導体材料には、GaN基板およびGaNウエハーがあります。これらの材料は、高い耐電圧性を持つため、パワーアンプやトランジスタの製造に利用されています。飽和速度と飽和温度が高いため、マイクロ波アプリケーションに採用されています。GaNウエハーは、技術的進歩と電子部品によるスマートな電力管理のため、民生用電子機器分野で高い需要があります。携帯部品やガジェットの市場は、消費者需要の高まりにより発展が見込まれています。
GaN on SiliconとGaN on Sapphireは、どちらもエレクトロニクス分野で非常に強力な半導体であることを示しています。効果的な電力伝送と低消費電力の必要性、LED技術の採用率の上昇が、この市場の拡大を後押ししています。GaN基板とウエハーは、自動車産業でさまざまな電子部品や自動車部品の製造に使用されています。航空宇宙・防衛産業では、レーダーシステムに使用されるICにGaNを採用することで、効果的な航空管制、ナビゲーション、リアルタイムの航空交通情報の更新を可能にしています。スマートフォンやラップトップのようなスマートガジェットやモノのインターネット(IoT)の使用は、すべてGaN基板とウェハーの生産を増加させると予測されています。
当社のレポートには、実用的なデータと将来を見据えた分析が含まれており、ピッチの作成、ビジネスプランの作成、プレゼンテーションの構築、提案書の作成に役立ちます。
世界のGaN基板およびGaNウエハー市場概要
GaNメーカーや商業ビジネスの増加、家電や自動車需要の高まり、低消費電力デバイスへのニーズの高まりなどが、市場の拡大に寄与しています。さらに、GaNはますます普及しており、電子部品において従来のシリコン半導体を置き換えつつあり、これがこの市場の収益成長を促進すると予想されます。しかし、市場全体の成長は、この分野での医学研究の少なさによって妨げられる可能性があります。同市場では、GaN技術の進歩のために提携や協力に注力している主要な競合企業もいくつかあります。
一例として、株式会社東芝は、しきい値電圧などのGaNパワー・デバイス特性の変化を低減し、その信頼性を高めるためのゲート誘電体プロセス技術を開発しました。GaN技術の開発は、空軍研究所、マックス・プランク・ゲゼルシャフト、ヘルムホルツ協会を含む多くの研究機関によって優先的に進められています。
GaN Substrate And GaN Wafer Market size was valued at USD 2.55 Billion in 2024 and is projected to reach USD 8.41 Billion by 2032, growing at a CAGR of 16.07% from 2026 to 2032.
A growing number of GaN manufacturers and commercial businesses, rising consumer electronics and automotive demand, and increased need for low-power consumption devices are all contributing to the market's expansion. The Global GaN Substrate And GaN Wafer Market report provides a holistic evaluation of the market. The report offers a comprehensive analysis of key segments, trends, drivers, restraints, competitive landscape, and factors that are playing a substantial role in the market.
Global GaN Substrate And GaN Wafer Market Definition
Hard semiconductor materials with a high thermal conductivity and heat capacity include GaN Substrate and GaN Wafer. These materials are utilized to create power amplifiers and transistors as they have a high voltage carrying capacity. It is employed in microwave applications due to its high saturation velocity and temperature. GaN wafers are in high demand in the consumer electronics sector due to technical advancements and smart power management by electronic components. The market for portable components and gadgets is anticipated to develop as a result of rising consumer demand.
GaN on Silicon and GaN on Sapphire both demonstrate to be very powerful semiconductors in the electronics sector. The necessity for effective electric power transmission and low power consumption, together with the rising adoption rate of LED technology, is what is driving this market's expansion. GaN substrates and wafers are used by the automobile sector to produce a variety of electronic and car parts. For the aerospace and defence industries, effective air control, navigation, and real-time air traffic updates are made possible by the employment of GaN in the IC used in radar systems. The use of smart gadgets like smartphones and laptops as well as the Internet of Things (IoT) are all predicted to increase the production of GaN substrates and wafers.
Our reports include actionable data and forward-looking analysis that help you craft pitches, create business plans, build presentations and write proposals.
Global GaN Substrate And GaN Wafer Market Overview
A growing number of GaN manufacturers and commercial businesses, rising consumer electronics and automotive demand, and increased need for low-power consumption devices are all contributing to the market's expansion. Additionally, GaN is increasingly popular and is replacing conventional silicon semiconductors in electronic components, which is anticipated to drive this market's revenue growth. The market's total growth, however, could be hampered by a dearth of medical research in this area. A few key competitors in the market are also concentrating on partnerships and collaborations for the advancement of the GaN technology.
As an illustration, Toshiba Corporation has created a gate dielectric process technology to lower changes in GaN power device properties, such as the threshold voltage, and increase their dependability. The development of GaN technology is being prioritized by numerous research organizations, including The Air Force Research Laboratory, Max-Planck-Gesellschaft, and Helmholtz Association.
The Global GaN Substrate And GaN Wafer Market is segmented on the basis of Type, End-Use, and Geography.
Based on Type, the market is segmented into GaN on Sapphire, GaN on SiC, GaN on Si, and GaN on GaN.
Based on End-Use, the market is segmented into Healthcare, Automobiles, Consumer Electronics, General Lighting, and Military and Defence.
The "Global GaN Substrate And GaN Wafer Market" study report will provide valuable insight with an emphasis on the global market. The major players in the market are Saint Gobain Ltd, Aixtron Ltd, Soitec Pte Ltd, Sumitomo Electric Industries, Ltd, Fujitsu Limited, Toshiba Corporation, NTT Advanced Technology Corporation, Kyma Technologies. Mitsubishi Chemical Corporation, EpiGaN NV.
Our market analysis includes a section specifically devoted to such major players, where our analysts give an overview of each player's financial statements, along with product benchmarking and SWOT analysis. Key development strategies, market share analysis, and market positioning analysis of the aforementioned players globally are also included in the competitive landscape section.