ワイドバンドギャップ半導体の市場規模、シェア、成長および世界産業分析：タイプ別・用途別、地域別洞察と予測（2024年～2032年）

ワイドバンドギャップ半導体市場の成長要因

世界のワイドバンドギャップ半導体市場は、産業が高効率電子機器への移行を加速させる中、急速な変革を遂げております。優れた熱性能、高い絶縁破壊電圧、低電力損失を提供する先進的な半導体材料の採用拡大に支えられ、2024年の市場規模は20億8,000万米ドルと評価されております。2025年には、電気自動車（EV）、5G通信、再生可能エネルギーシステム、産業用電子機器における採用拡大を背景に、市場規模は23億8,000万米ドルに達すると予測されています。2032年までに市場は大幅に成長し、62億2,000万米ドルに達すると見込まれており、予測期間中の堅調なCAGR14.71%を反映しています。

炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、窒化アルミニウム（AIN）などのワイドバンドギャップ（WBG）材料は、高温、高電圧、高周波数での動作が可能であることから、従来のシリコンに比べますます支持されています。これらの特性により、WBG半導体は次世代パワーエレクトロニクス、EVパワートレイン、5G基地局、スマートグリッド、高性能コンピューティングシステムにおいて極めて重要な役割を担っています。

市場動向と主要な成長要因

主要な市場動向として、特に電気自動車（EV）や再生可能エネルギーシステム分野におけるSiCおよびGaN技術の採用拡大が挙げられます。EVメーカーは、インバーターの効率向上、バッテリー寿命の延長、急速充電の実現のために、SiCベースのパワーデバイスに大きく依存しています。一方、GaNは優れた高周波性能により、5G通信分野での採用がさらに加速しています。2024年までに世界中で320以上の5Gネットワークが導入される見込みであり、GaN搭載のRF部品に対する需要は加速し続けております。

さらに、クリーンエネルギーへの世界の移行が業界の勢いを後押ししています。太陽光インバーター、風力タービン、エネルギー貯蔵システムは、電力変換効率の向上と電力系統近代化イニシアチブを支援するため、ワイドバンドギャップ半導体への依存度を高めています。

市場成長に影響を与える制約要因

需要は堅調であるもの、高い製造コストが普及の障壁となっています。SiCおよびGaNの製造には高度なプロセス、特殊基板、複雑な製造装置が必要であり、シリコン半導体よりも大幅に高価です。熟練労働力の不足やサプライチェーンの制約も、大規模導入をさらに妨げています。システムアーキテクチャの変更が必要となるなどの統合上の課題も、レガシー電子システムを有する業界全体での普及を遅らせています。

市場機会

世界の電動モビリティの普及は、WBG半導体メーカーにとって最も重要な機会の一つです。2023年に世界で約1,400万台が販売された電気自動車（EV）向けに、SiCベースのパワーモジュールやGaNベースの充電部品の需要は引き続き拡大しています。EV普及を支援する政府のインセンティブがこの需要を加速させています。急速充電ステーションや省エネルギー型自動車用電子機器に対する要求の拡大は、次世代モビリティソリューションにおけるワイドバンドギャップ半導体の役割をさらに確固たるものとするでしょう。

セグメント分析

材料タイプ別

• 2024年には、高出力の自動車および産業用アプリケーションの需要に牽引され、炭化ケイ素（SiC）が57.50%のシェアで支配的でした。
• 窒化ガリウム（GaN）は、5Gネットワークや高周波通信システムでの導入増加により、最も急速な成長が見込まれています。

デバイス別

• パワーデバイスは、電気自動車用インバーター、再生可能エネルギー変換装置、産業用機器における大規模な利用に支えられ、2025年には48.47%のシェアで主導的な地位を占める見込みです。
• RFデバイスは、5Gおよび先進レーダー技術の拡大により、15.62%のCAGRで最も高い成長率を記録すると予測されています。

エンドユーザー別

• 自動車分野は、EV生産の増加とSiCベースのパワーエレクトロニクスの採用により、29.84%の最高シェアを維持すると見込まれます。
• 民生用電子機器は、GaN搭載充電器、コンパクト電源、高効率モバイル機器の需要に牽引され、16.56%のCAGRで成長する見込みです。

地域別見通し

アジア太平洋地域

2024年にはアジア太平洋が8億7,000万米ドルで世界シェアの41.83%を占め、主導的な地位を維持しました。半導体製造、EV普及、5G展開への強力な投資により、同地域は最も成長の速い市場となっています。中国、日本、韓国が引き続き地域の生産と消費を牽引しています。

北米

北米は、EV生産の堅調さ、再生可能エネルギーへの投資、そして最先端の半導体研究能力に支えられ、2025年には6億5,000万米ドルに達する見込みです。米国単独でも、2025年には3億4,000万米ドルに達すると予測されています。

欧州

欧州は、積極的なEV政策、スマートグリッド開発、SiC/GaN技術への投資に支えられ、2025年には5億1,000万米ドル規模に達すると見込まれます。ドイツ、フランス、英国などの国々が主要な導入国として位置づけられています。

目次

第1章 イントロダクション

第2章 エグゼクティブサマリー

第3章 市場力学

• マクロおよびミクロ経済指標
• 促進要因、抑制要因、機会、および動向

第4章 競合情勢

• 主要企業が採用する事業戦略
• 主要企業の統合SWOT分析
• 世界のワイドバンドギャップ半導体主要企業（上位3～5社）の市場シェア／ランキング（2024年）

第5章 世界のワイドバンドギャップ半導体市場規模の推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 主な調査結果
• 材料タイプ別
  • 炭化ケイ素（SiC）
  • 窒化ガリウム（GaN）
  • その他（窒化アルミニウム（AIN）、ダイヤモンドなど）
• デバイスタイプ別
  • パワーデバイス
  • 高周波デバイス
  • 光電子デバイス
• エンドユーザー別
  • 自動車
  • 民生用電子機器
  • 電気通信
  • 航空宇宙・防衛
  • エネルギー・電力
  • その他（医療など）
• 地域別
  • 北米
  • 南米
  • 欧州
  • 中東・アフリカ
  • アジア太平洋

第6章 北米のワイドバンドギャップ半導体市場規模の推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 国別
  • 米国
  • カナダ
  • メキシコ

第7章 南米のワイドバンドギャップ半導体市場規模の推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 国別
  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • その他南米諸国

第8章 欧州のワイドバンドギャップ半導体市場規模の推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 国別
  • 英国
  • ドイツ
  • フランス
  • イタリア
  • スペイン
  • ロシア
  • ベネルクス
  • 北欧諸国
  • その他欧州

第9章 中東・アフリカのワイドバンドギャップ半導体市場規模の推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 国別
  • トルコ
  • イスラエル
  • GCC
  • 北アフリカ
  • 南アフリカ
  • その他中東とアフリカ

第10章 アジア太平洋地域のワイドバンドギャップ半導体市場規模の推定・予測（セグメント別、2019-2032年）

• 国別
  • 中国
  • インド
  • 日本
  • 韓国
  • ASEAN
  • オセアニア
  • その他アジア太平洋地域

第11章 主要10社の企業プロファイル

• Infineon Technologies AG
• STMicroelectronics
• NXP Semiconductors
• ROHM Co., Ltd.
• Macom Technology Solutions
• TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES &STORAGE CORPORATION
• Mitsubishi Electric
• Fuji Electric Co., Ltd.
• Vishay Intertechnology, Inc.
• Nexperia