市場調査レポート 詳細サーチ

焼結炭化ケイ素市場規模は近年、著しい成長を遂げております。2025年の19億4,000万米ドルから2026年には20億7,000万米ドルへと、CAGR6.9％で拡大する見込みです。過去数年間の成長要因としては、耐久性のある産業用部品への需要、ベアリング用途の拡大、冶金業界の需要、シールやバルブへの採用、焼結プロセスの進歩などが挙げられます。 焼結炭化ケイ素市場規模は今後数年間で力強い成長が見込まれます。2030年には26億9,000万米ドルに達し、CAGRは6.8％となる見通しです。予測期間における成長要因

GaN HEMTエピタキシャルウエハーの世界市場規模は、2025年に5億5,490万米ドルと推定され、2026年から2032年の予測期間中にCAGR 10.38％で成長し、2032年までに11億2,000万米ドルに拡大すると予測されています。 GaN-on-SiCウエハーの世界市場規模は、2025年に2億7,100万米ドルと推定され、2026年から2032年の予測期間においてCAGR5.0％で成長し、2032年までに3億7,800万米ドルに拡大すると予測されています。 GaN-on-Siウエハーの世界市場は

シリコンカーバイド半導体デバイスの市場規模は、近年急激に拡大しております。2025年の24億1,000万米ドルから、2026年には29億3,000万米ドルへと、CAGR21.4％で成長が見込まれております。過去数年間の成長は、高電力用途におけるSiC基板の従来からの利用、産業システムにおけるSiCダイオードの導入拡大、自動車用インバーターへのSiC MOSFETの早期採用、航空宇宙用パワーモジュールにおけるSiCの利用増加、センシング用途向けSiCベース検出器の進化などに起因します。 シリコンカーバイド半導体

インジウムリン化物化合物半導体市場の規模は、近年急速に拡大しております。2025年の67億3,000万米ドルから、2026年には74億5,000万米ドルへと、CAGR 10.7％で成長が見込まれております。これまでの成長は、レーザーダイオード開発における早期採用、高周波半導体材料への依存、通信用光電子機器分野での拡大、高周波システムでの採用増加、センシング技術への導入拡大などが要因とされています。 リン化インジウム化合物半導体市場規模は、今後数年間で急速な成長が見込まれます。2030年には115億2,000

窒化ガリウム半導体デバイスの市場規模は、近年急速に拡大しております。2025年の120億5,000万米ドルから、2026年には139億5,000万米ドルへと、CAGR15.8％で成長が見込まれております。これまでの成長は、高周波用途向けGaN HEMTの早期開発、通信インフラ導入の拡大、電力効率の高い半導体デバイスへの需要増加、民生用電子機器における先進材料の採用拡大、航空宇宙・防衛電子機器分野の拡大などが要因と考えられます。 窒化ガリウム半導体デバイス市場規模は、今後数年間で急速な成長が見込まれます。2030

化合物半導体市場の規模は近年、著しい成長を見せております。2025年の842億9,000万米ドルから2026年には911億1,000万米ドルへと、CAGR8.1％で拡大する見込みです。過去数年間の成長は、光電子デバイスでの利用拡大、高周波電子機器の需要増加、太陽光発電分野での早期導入、LED需要の増加、光ファイバー通信技術の普及に起因しています。 化合物半導体市場の規模は、今後数年間で力強い成長が見込まれます。2030年には1,240億6,000万米ドルに達し、CAGRは8.0％となる見通しです。予測期間における

窒化ガリウムデバイスの市場規模は、2025年の41億米ドルから2035年までに63億米ドルへ拡大し、CAGR約17.5％で成長すると予測されています。窒化ガリウムデバイスの市場規模は、2025年の41億3,240万米ドルから2035年には206億4,300万米ドルへ拡大し、2026年から2035年にかけてCAGR約17.5％で成長すると予測されています。 窒化ガリウム（GaN）は、次世代パワーエレクトロニクスおよび高周波（RF）エレクトロニクスの基幹的なワイドバンドギャップ（WBG）プラットフォームとしての

世界のSiC粉末市場は、2025年に7億8,505万米ドルと評価され、2031年までに13億5,234万米ドルに達すると予測されています。 2025年から2031年にかけては、CAGR9.49％で成長する見込みです。 当レポートは、SiC粉末の世界市場について、総販売数量、売上高、価格、主要企業の市場シェアおよび順位に焦点を当て、地域・国別、タイプ別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としています。 SiC粉末市場の規模、推定値、予測値は、販売量（MT）および売上高（百万米ドル）で提示され、2024年

世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場は、2025年から2030年にかけて129億1,360万米ドルの成長が見込まれており、予測期間中のCAGRは29.5％と予測されています。 本報告書は、世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場に関する包括的な分析、市場規模と予測、動向、成長要因、課題、ならびに約25社のベンダー分析を提供します。 本レポートは、現在の市場状況、最新の動向と促進要因、市場環境全般に関する最新の分析を提供します。市場は、エネルギー効率と小型化に対する世界の需要の高まり、軍事用途