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市場調査レポート
商品コード
1924146

炭化ケイ素半導体デバイスの世界市場レポート2026

Silicon Carbide Semiconductor Device Global Market Report 2026


出版日
ページ情報
英文 250 Pages
納期
2~10営業日
カスタマイズ可能
適宜更新あり
炭化ケイ素半導体デバイスの世界市場レポート2026
出版日: 2026年01月22日
発行: The Business Research Company
ページ情報: 英文 250 Pages
納期: 2~10営業日
GIIご利用のメリット
  • 概要

シリコンカーバイド半導体デバイスの市場規模は、近年急激に拡大しております。2025年の24億1,000万米ドルから、2026年には29億3,000万米ドルへと、CAGR21.4%で成長が見込まれております。過去数年間の成長は、高電力用途におけるSiC基板の従来からの利用、産業システムにおけるSiCダイオードの導入拡大、自動車用インバーターへのSiC MOSFETの早期採用、航空宇宙用パワーモジュールにおけるSiCの利用増加、センシング用途向けSiCベース検出器の進化などに起因します。

シリコンカーバイド半導体デバイスの市場規模は、今後数年間で急成長が見込まれます。2030年には61億6,000万米ドルに達し、CAGRは20.4%となる見込みです。予測期間における成長要因としては、電気自動車用パワートレインの需要増加、再生可能エネルギー変換システムの拡大、高温半導体性能への需要増大、5Gおよび高周波通信デバイスの成長、ワイドバンドギャップ半導体技術の採用拡大が挙げられます。予測期間における主な動向としては、電動モビリティ用パワーデバイスの成長、省エネルギー型半導体製造の拡大、自律プラットフォームへのSiCデバイスの統合、高性能パワーエレクトロニクスの開発、SiC部品向けスマート製造の採用増加などが挙げられます。

電気自動車の需要増加は、今後数年間における炭化ケイ素半導体デバイス市場の成長を牽引すると予想されます。電気自動車とは、外部から充電可能なバッテリーに蓄えられた電力で駆動する自動車です。炭化ケイ素半導体デバイスは、電気自動車(EV)のパワートレインにおいて、より高い電力密度と優れたスイッチング効率を提供するため有利です。したがって、EV需要の増加は、炭化ケイ素半導体デバイスの必要性を直接的に高めます。例えば、2024年にフランスに本部を置く政府間機関である国際エネルギー機関(IEA)は、2023年の電気自動車販売台数が2022年比で350万台増加し、前年比35%増となったと報告しております。さらに、「2050年までにネットゼロ排出」シナリオでは、2030年までに3億台以上の電気自動車が走行し、新車販売全体の60%を占めると予測されています。このように、電気自動車の需要増加が炭化ケイ素半導体デバイス市場を牽引しています。

炭化ケイ素半導体デバイス市場の主要企業は、競争優位性を強化するため、スイッチング損失を低減した新たな炭化ケイ素ベースのデバイスを開発しております。スイッチング損失とは、半導体デバイスが導通状態(オン)と非導通状態(オフ)の間で遷移する際に失われるエネルギーを指します。例えば、2023年8月には日本の電子機器メーカーである東芝デバイス&ストレージ株式会社が、第3世代シリコンカーバイド(SiC)MOSFET「TWxxxZxxxC」シリーズを発表しました。産業用途向けに設計されたこれらのデバイスは、サーバー、データセンター、電気自動車充電ステーション、太陽光発電用インバーター、無停電電源装置(UPS)における損失低減を目的としています。本MOSFETはTO-247-4L(X)パッケージを採用し、ゲート駆動信号源端子用のケルビン接続を可能とする第4ピンを備えています。この構造により寄生インダクタンスが低減され、高速スイッチング性能が向上します。本シリーズは650Vおよび1200VのVDSS定格を有するデバイスを含み、高周波数領域においても低損失動作をサポートします。さらに最大100Aの連続ドレイン電流に対応可能であり、産業用パワーエレクトロニクス分野における重要な進歩を遂げております。

よくあるご質問

  • シリコンカーバイド半導体デバイスの市場規模はどのように予測されていますか?
  • シリコンカーバイド半導体デバイス市場の成長要因は何ですか?
  • 電気自動車の需要増加がシリコンカーバイド半導体デバイス市場に与える影響は何ですか?
  • シリコンカーバイド半導体デバイス市場の主要企業はどこですか?
  • 炭化ケイ素半導体デバイス市場の競争優位性を強化するために企業は何をしていますか?
  • 炭化ケイ素半導体デバイス市場の成長に寄与する主な動向は何ですか?

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 市場の特徴

  • 市場定義と範囲
  • 市場セグメンテーション
  • 主要製品・サービスの概要
  • 世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場:魅力度スコアと分析
  • 成長可能性分析、競合評価、戦略適合性評価、リスクプロファイル評価

第3章 市場サプライチェーン分析

  • サプライチェーンとエコシステムの概要
  • 一覧:主要原材料・資源・供給業者
  • 一覧:主要な流通業者、チャネルパートナー
  • 一覧:主要エンドユーザー

第4章 世界の市場動向と戦略

  • 主要技術と将来動向
    • サステナビリティ、気候技術、循環型経済
    • 電気モビリティと輸送の電動化
    • インダストリー4.0とインテリジェント製造
    • 自律システム、ロボティクス、スマートモビリティ
    • デジタル化、クラウド、ビッグデータ及びサイバーセキュリティ
  • 主要動向
    • 電動モビリティ向けパワーデバイスの成長
    • 省エネルギー型半導体製造の拡大
    • 自律プラットフォームへのSiCデバイスの統合
    • 高性能パワーエレクトロニクスの開発
    • SiC部品におけるスマート製造の導入拡大

第5章 最終用途産業の市場分析

  • 自動車
  • 民生用電子機器
  • 航空宇宙・防衛産業
  • 医療機器
  • エネルギー・電力

第6章 市場:金利、インフレ、地政学、貿易戦争と関税の影響、関税戦争と貿易保護主義によるサプライチェーンへの影響、コロナ禍が市場に与える影響を含むマクロ経済シナリオ

第7章 世界の戦略分析フレームワーク、現在の市場規模、市場比較および成長率分析

  • 世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場:PESTEL分析(政治、社会、技術、環境、法的要因、促進要因と抑制要因)
  • 世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場規模、比較、成長率分析
  • 世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場の実績:規模と成長, 2020-2025
  • 世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場の予測:規模と成長, 2025-2030, 2035F

第8章 市場における世界の総潜在市場規模(TAM)

第9章 市場セグメンテーション

  • タイプ別
  • SICダイオード、SICトランジスタ、その他タイプ
  • ウエハーサイズ別
  • 1インチから4インチ、6インチ、8インチ、10インチ以上
  • エンドユーザー別
  • 自動車、民生用電子機器、航空宇宙・防衛、医療機器、データ・通信機器、エネルギー・電力、その他のエンドユーザー
  • SiCダイオードのサブセグメンテーション、タイプ別
  • ショットキーバリアダイオード(SBD)、PiNダイオード
  • SiCトランジスタのサブセグメンテーション、タイプ別
  • SiC MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、SiC BJT(バイポーラ接合トランジスタ)、SiC IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
  • その他のタイプの細分化、タイプ別
  • SiC整流器、SiCモジュール、SiCパワーデバイス

第10章 地域別・国別分析

  • 世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場:地域別、実績と予測, 2020-2025, 2025-2030F, 2035F
  • 世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場:国別、実績と予測, 2020-2025, 2025-2030F, 2035F

第11章 アジア太平洋市場

第12章 中国市場

第13章 インド市場

第14章 日本市場

第15章 オーストラリア市場

第16章 インドネシア市場

第17章 韓国市場

第18章 台湾市場

第19章 東南アジア市場

第20章 西欧市場

第21章 英国市場

第22章 ドイツ市場

第23章 フランス市場

第24章 イタリア市場

第25章 スペイン市場

第26章 東欧市場

第27章 ロシア市場

第28章 北米市場

第29章 米国市場

第30章 カナダ市場

第31章 南米市場

第32章 ブラジル市場

第33章 中東市場

第34章 アフリカ市場

第35章 市場規制状況と投資環境

第36章 競合情勢と企業プロファイル

  • 炭化ケイ素半導体デバイス市場:競合情勢と市場シェア、2024年
  • 炭化ケイ素半導体デバイス市場:企業評価マトリクス
  • 炭化ケイ素半導体デバイス市場:企業プロファイル
    • Infineon Technologies
    • ROHM Co., Ltd.
    • STMicroelectronics
    • Wolfspeed Inc.
    • Mitsubishi Electric Corporation

第37章 その他の大手企業と革新的企業

  • Toshiba Electronic Devices & Storage, onsemi, Microchip Technology/Microsemi, UnitedSiC, GeneSiC Semiconductor, Semikron Danfoss, Fuji Electric, Powerex Inc., TT Electronics, Renesas Electronics, BYD Semiconductor, InventChip Technology, II-VI(Coherent Corp.), Xiamen Sanan Integrated Circuit Co. Ltd., SK siltron CSS

第38章 世界の市場競合ベンチマーキングとダッシュボード

第39章 主要な合併と買収

第40章 市場の潜在力が高い国、セグメント、戦略

  • 炭化ケイ素半導体デバイス市場2030:新たな機会を提供する国
  • 炭化ケイ素半導体デバイス市場2030:新たな機会を提供するセグメント
  • 炭化ケイ素半導体デバイス市場2030:成長戦略
    • 市場動向に基づく戦略
    • 競合の戦略

第41章 付録