SiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場の2032年までの予測： 製品別、コンポーネント別、ウエハーサイズ別、電圧範囲別、用途別、エンドユーザー別、地域別の世界分析

Stratistics MRCによると、SiC（シリコンカーバイド）半導体デバイスの世界市場は2025年に36億米ドルを占め、2032年には160億4,000万米ドルに達すると予測され、予測期間中のCAGRは23.8%です。

SiC（シリコンカーバイド）半導体デバイスは、シリコンと炭素の化合物である炭化ケイ素から作られる高度な電子部品であり、卓越した熱伝導性、高電界強度、ワイドバンドギャップで知られています。ダイオード、MOSFET、パワーモジュールなどを含むこれらのデバイスは、従来のシリコンベースのデバイスと比較して、より高い電圧、温度、スイッチング周波数で動作する能力があるため、ハイパワーおよび高周波アプリケーションで使用されています。SiC半導体は、効率の向上、エネルギー損失の低減、コンパクトなシステム設計を実現し、性能と信頼性が重要な電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業用モータードライブ、航空宇宙アプリケーションに最適です。

急増する電気自動車（EV）の普及

電気自動車（EV）の人気の高まりは、SiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場の拡大を加速させています。SiCデバイスは、効率の向上、スイッチングの高速化、熱伝導性の強化が可能で、インバーター、車載充電器、パワートレインなどのEVアプリケーションに最適です。自動車メーカーが性能の向上、充電の高速化、航続距離の延長を重視するにつれて、SiC部品の需要は増加しています。市場は拡大しており、SiC半導体技術の革新は、EVパワーエレクトロニクスへの統合の増加によって刺激されています。

高い製造コストと材料コスト

高い製造コストと材料コストが、SiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場の成長を大きく妨げています。複雑な製造工程と、高純度炭化ケイ素ウエハーのような原材料の高価な性質が、製造費用の増加につながります。こうしたコスト高が、特に中小メーカーでの大量採用を制限し、市場競争力を制約しています。その結果、コスト重視のアプリケーションは従来のシリコンベースの代替品を好む傾向があり、SiCデバイスの幅広い市場浸透を妨げています。

再生可能エネルギーとパワーエレクトロニクス

再生可能エネルギー源の採用拡大とパワーエレクトロニクスの進歩が、SiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場を大きく後押ししています。SiCデバイスは高効率、高速スイッチング、優れた熱性能を提供するため、ソーラーインバータ、風力タービン、スマートグリッドアプリケーションに最適です。脱炭素化に向けた世界の動きが強まるにつれ、再生可能エネルギーシステムにおけるSiCベースのソリューションに対する需要が高まり、クリーンエネルギーとパワーエレクトロニクスの分野で技術革新が促進され、市場機会が拡大しています。

限られたウエハー供給と品質問題

限られたウエハー供給と持続的な品質問題が、SiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場の成長を大きく妨げています。これらの制約は、生産の遅れ、製造コストの増加、歩留まりの低下を招き、サプライチェーンの効率と市場全体のスケーラビリティに影響を与えます。さらに、電気自動車やパワーエレクトロニクスのような高成長分野からの需要増を満たすことができないため、技術進歩が阻害され、SiCデバイス開発への潜在的な投資が抑制されます。

COVID-19の影響

COVID-19パンデミックは当初、サプライチェーンの中断、工場の操業停止、産業活動の低下により、SiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場を混乱させました。しかし、電気自動車や再生可能エネルギーにおけるエネルギー効率に優れたソリューションの需要増加により、市場は徐々に回復しました。パンデミックはデジタル変革を加速させ、高性能電子機器へのSiCデバイスの採用を後押しし、COVID後の状況における回復力と適応力をもたらしました。

予測期間中、パワーモジュール分野が最大になる見込み

パワーモジュール分野は、エネルギー効率の向上、高電圧能力、優れた熱性能を提供することから、予測期間中に最大の市場シェアを占めると予想されます。これらのモジュールは小型軽量設計を可能にし、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業用アプリケーションに最適です。高速スイッチング速度と低エネルギー損失に対する需要の高まりがSiCパワーモジュールの採用を加速しており、それによって技術的進歩が促進され、高性能パワーエレクトロニクスシステム全体への統合が増加しています。

LED照明分野は予測期間中最も高いCAGRが見込まれる

予測期間中、高効率のパワーエレクトロニクスへの需要により、LED照明分野が最も高い成長率を示すと予測されます。SiCデバイスは熱伝導性が高く、電圧耐性が向上し、エネルギー効率が高まるため、LED電源やドライバに最適です。エネルギー効率の高い照明が特に商業および産業環境で広く使用されるようになるにつれ、信頼性が高く小型のSiCベースのソリューションに対するニーズが高まっています。

最大シェア地域：

予測期間中、産業オートメーションの改善、電気自動車の普及、再生可能エネルギーの導入により、アジア太平洋地域が最大の市場シェアを占めると予想されます。中国、日本、韓国などの国々が高効率パワーエレクトロニクスに多額の投資を行った結果、SiCデバイスの需要が増加しています。グリーンテクノロジーとエネルギー効率を奨励する政府プログラムも市場の成長を促し、アジア太平洋をSiC半導体の開発と生産の主要拠点として確立しています。

CAGRが最も高い地域：

予測期間中、電気自動車（EV）セクターの拡大、再生可能エネルギーの採用、産業オートメーションの進歩により、北米地域が最も高いCAGRを示すと予測されます。SiCデバイスは、従来のシリコンに比べて効率、熱性能、耐久性に優れており、ハイパワーアプリケーションに最適です。政府の支援政策、スマートグリッドインフラへの投資の増加、エネルギー効率の高いソリューションへの需要の高まりが市場導入をさらに加速しており、北米はSiC技術開発の重要な拠点となっています。

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• 企業プロファイル
  • 追加市場プレイヤーの包括的プロファイリング（3社まで）
  • 主要企業のSWOT分析（3社まで）
• 地域セグメンテーション
  • 顧客の関心に応じた主要国の市場推計・予測・CAGR（注：フィージビリティチェックによる）
• 競合ベンチマーキング
  • 製品ポートフォリオ、地理的プレゼンス、戦略的提携に基づく主要企業のベンチマーキング

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 序文

• 概要
• ステークホルダー
• 調査範囲
• 調査手法
  • データマイニング
  • データ分析
  • データ検証
  • 調査アプローチ
• 調査資料
  • 1次調査資料
  • 2次調査情報源
  • 前提条件

第3章 市場動向分析

• 促進要因
• 抑制要因
• 機会
• 脅威
• 製品分析
• 用途分析
• エンドユーザー分析
• 新興市場
• COVID-19の影響

第4章 ポーターのファイブフォース分析

• 供給企業の交渉力
• 買い手の交渉力
• 代替品の脅威
• 新規参入業者の脅威
• 競争企業間の敵対関係

第5章 世界のSiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場：製品別

• 光電子デバイス
• パワー半導体
• 周波数デバイス

第6章 世界のSiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場：コンポーネント別

• ショットキーダイオード
• FET/MOSFETトランジスタ
• 集積回路
• 整流器/ダイオード
• パワーモジュール
• その他のコンポーネント

第7章 世界のSiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場：ウエハーサイズ別

• 1インチ～4インチ
• 6インチ
• 8インチ
• 10インチ以上

第8章 世界のSiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場：電圧範囲別

• 600V以下
• 601V～1200V
• 1200V以上

第9章 世界のSiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場：用途別

• 電源装置とインバータ
• RFデバイスと携帯電話基地局
• LED照明
• 電気自動車（EV）
• 充電インフラ
• 産業用モータードライブ
• その他の用途

第10章 世界のSiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場：エンドユーザー別

• 自動車
• コンシューマーエレクトロニクス
• 航空宇宙および防衛
• 医療機器
• データおよび通信デバイス
• エネルギーと電力
• その他のエンドユーザー

第11章 世界のSiC（シリコンカーバイド）半導体デバイス市場：地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
  • メキシコ
• 欧州
  • ドイツ
  • 英国
  • イタリア
  • フランス
  • スペイン
  • その他欧州
• アジア太平洋
  • 日本
  • 中国
  • インド
  • オーストラリア
  • ニュージーランド
  • 韓国
  • その他アジア太平洋地域
• 南米
  • アルゼンチン
  • ブラジル
  • チリ
  • その他南米
• 中東・アフリカ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • カタール
  • 南アフリカ
  • その他中東とアフリカ

第12章 主な発展

• 契約、パートナーシップ、コラボレーション、ジョイントベンチャー
• 買収と合併
• 新製品発売
• 事業拡大
• その他の主要戦略

第13章 企業プロファイリング

• Wolfspeed, Inc.
• STMicroelectronics
• Infineon Technologies AG
• ON Semiconductor
• ROHM Semiconductor
• Mitsubishi Electric Corporation
• Toshiba Corporation
• Littelfuse, Inc.
• Fuji Electric Co., Ltd.
• Renesas Electronics Corporation
• Microchip Technology Inc.
• United Silicon Carbide, Inc.
• Power Integrations, Inc.
• Global Power Technologies Group
• SemiQ Inc.
• Diodes Incorporated
• Alpha and Omega Semiconductor

List of Tables

• Table 1 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Region (2024-2032) ($MN)
• Table 2 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Product (2024-2032) ($MN)
• Table 3 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Optoelectronic Devices (2024-2032) ($MN)
• Table 4 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Power Semiconductors (2024-2032) ($MN)
• Table 5 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Frequency Devices (2024-2032) ($MN)
• Table 6 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Component (2024-2032) ($MN)
• Table 7 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Schottky Diodes (2024-2032) ($MN)
• Table 8 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By FET/MOSFET Transistors (2024-2032) ($MN)
• Table 9 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Integrated Circuits (2024-2032) ($MN)
• Table 10 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Rectifiers/Diodes (2024-2032) ($MN)
• Table 11 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Power Modules (2024-2032) ($MN)
• Table 12 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Other Components (2024-2032) ($MN)
• Table 13 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Wafer Size (2024-2032) ($MN)
• Table 14 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By 1 inch to 4 inches (2024-2032) ($MN)
• Table 15 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By 6 inches (2024-2032) ($MN)
• Table 16 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By 8 inches (2024-2032) ($MN)
• Table 17 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By 10 inches & above (2024-2032) ($MN)
• Table 18 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Voltage Range (2024-2032) ($MN)
• Table 19 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Up to 600V (2024-2032) ($MN)
• Table 20 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By 601V to 1200V (2024-2032) ($MN)
• Table 21 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Above 1200V (2024-2032) ($MN)
• Table 22 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Application (2024-2032) ($MN)
• Table 23 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Power Supplies and Inverters (2024-2032) ($MN)
• Table 24 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By RF Devices and Cellular Base Stations (2024-2032) ($MN)
• Table 25 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By LED Lighting (2024-2032) ($MN)
• Table 26 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Electric Vehicles (EV) (2024-2032) ($MN)
• Table 27 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Charging Infrastructure (2024-2032) ($MN)
• Table 28 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Industrial Motor Drives (2024-2032) ($MN)
• Table 29 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Other Applications (2024-2032) ($MN)
• Table 30 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By End User (2024-2032) ($MN)
• Table 31 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Automotive (2024-2032) ($MN)
• Table 32 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Consumer Electronics (2024-2032) ($MN)
• Table 33 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Aerospace & Defense (2024-2032) ($MN)
• Table 34 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Medical Devices (2024-2032) ($MN)
• Table 35 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Data & Communication Devices (2024-2032) ($MN)
• Table 36 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Energy & Power (2024-2032) ($MN)
• Table 37 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Outlook, By Other End Users (2024-2032) ($MN)

Note: Tables for North America, Europe, APAC, South America, and Middle East & Africa Regions are also represented in the same manner as above.

According to Stratistics MRC, the Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market is accounted for $3.6 billion in 2025 and is expected to reach $16.04 billion by 2032 growing at a CAGR of 23.8% during the forecast period. Silicon Carbide (SiC) semiconductor devices are advanced electronic components made from silicon carbide, a compound of silicon and carbon known for its exceptional thermal conductivity, high electric field strength, and wide bandgap. These devices, including diodes, MOSFETs, and power modules, are used in high-power and high-frequency applications due to their ability to operate at higher voltages, temperatures, and switching frequencies compared to traditional silicon-based devices. SiC semiconductors offer improved efficiency, reduced energy losses, and compact system designs, making them ideal for electric vehicles, renewable energy systems, industrial motor drives, and aerospace applications where performance and reliability are critical.

Market Dynamics:

Driver:

Surging Electric Vehicle (EV) Adoption

The growing popularity of electric vehicles (EVs) is accelerating the expansion of the Silicon Carbide (SiC) semiconductor device market. SiC devices offer improved efficiency, faster switching, and stronger thermal conductivity, making them excellent for EV applications like inverters, onboard chargers, and powertrains. The demand for SiC components is increasing as automakers place a higher priority on enhanced performance, faster charging, and longer range. The market is expanding and SiC semiconductor technology innovation is being stimulated by this increasing integration in EV power electronics.

Restraint:

High Manufacturing & Material Costs

High manufacturing and material costs significantly hinder the growth of the Silicon Carbide (SiC) Semiconductor Devices Market. The complex fabrication process and the expensive nature of raw materials like high-purity silicon carbide wafers lead to increased production expenses. These high costs limit mass adoption, especially among small and mid-sized manufacturers, and constrain market competitiveness. Consequently, cost-sensitive applications tend to favor traditional silicon-based alternatives, impeding broader market penetration of SiC devices.

Opportunity:

Renewable Energy & Power Electronics

The growing adoption of renewable energy sources and advancements in power electronics are significantly propelling the Silicon Carbide (SiC) Semiconductor Devices Market. SiC devices offer high efficiency, faster switching, and better thermal performance, making them ideal for solar inverters, wind turbines, and smart grid applications. As the global push toward decarbonization intensifies, the demand for SiC-based solutions in renewable energy systems rises, driving innovation and expanding market opportunities across the clean energy and power electronics sectors.

Threat:

Limited Wafer Supply & Quality Issues

Limited wafer supply and persistent quality issues are significantly hindering the growth of the Silicon Carbide (SiC) semiconductor devices market. These constraints lead to production delays, increased manufacturing costs, and reduced yield rates, affecting supply chain efficiency and overall market scalability. Moreover, the inability to meet rising demand from high-growth sectors like electric vehicles and power electronics hampers technological advancements and discourages potential investments in SiC device development.

Covid-19 Impact

The COVID-19 pandemic initially disrupted the Silicon Carbide (SiC) Semiconductor Devices Market due to supply chain interruptions, factory shutdowns, and reduced industrial activities. However, the market gradually rebounded with increased demand for energy-efficient solutions in electric vehicles and renewable energy. The pandemic accelerated digital transformation, boosting the adoption of SiC devices in high-performance electronics, leading to a resilient and adaptive recovery in the post-COVID landscape.

The power modules segment is expected to be the largest during the forecast period

The power modules segment is expected to account for the largest market share during the forecast period as it offers enhanced energy efficiency, high voltage capability, and superior thermal performance. These modules enable compact, lightweight designs, making them ideal for electric vehicles, renewable energy systems, and industrial applications. The rising demand for fast switching speeds and lower energy losses is accelerating the adoption of SiC power modules, thereby driving technological advancements and increasing their integration across high-performance power electronics systems.

The LED lighting segment is expected to have the highest CAGR during the forecast period

Over the forecast period, the LED lighting segment is predicted to witness the highest growth rate, due to demand for power electronics with great efficiency. SiC devices are perfect for LED power supply and drivers because of their enhanced thermal conductivity, increased voltage tolerance, and increased energy efficiency. The need for dependable and small SiC-based solutions increases as energy-efficient lighting becomes more widely used, particularly in commercial and industrial settings.

Region with largest share:

During the forecast period, the Asia Pacific region is expected to hold the largest market share because of improvements in industrial automation, the growing use of electric cars, and the incorporation of renewable energy. Demand for SiC devices is increasing as a result of significant investments made in high-efficiency power electronics by nations like China, Japan, and South Korea. Government programs encouraging green technology and energy efficiency also hasten market growth, establishing Asia Pacific as a major center for the development and production of SiC semiconductors.

Region with highest CAGR:

Over the forecast period, the North America region is anticipated to exhibit the highest CAGR, owing to expanding electric vehicle (EV) sector, renewable energy adoption, and advancements in industrial automation. SiC devices offer superior efficiency, thermal performance, and durability compared to traditional silicon, making them ideal for high-power applications. Supportive government policies, increasing investments in smart grid infrastructure, and rising demand for energy-efficient solutions are further accelerating market adoption, positioning North America as a key hub for SiC technology development.

Key players in the market

Some of the key players profiled in the Silicon Carbide Semiconductor Devices Market include Wolfspeed, Inc., STMicroelectronics, Infineon Technologies AG, ON Semiconductor, ROHM Semiconductor, Mitsubishi Electric Corporation, Toshiba Corporation, Littelfuse, Inc., Fuji Electric Co., Ltd., Renesas Electronics Corporation, Microchip Technology Inc., United Silicon Carbide, Inc., Power Integrations, Inc., Global Power Technologies Group, SemiQ Inc., Diodes Incorporated and Alpha and Omega Semiconductor.

Key Developments:

In February 2025, Mitsubishi Electric has reached an agreement with HD Renewable Energy, a Taipei-based solar power and battery energy storage systems (BESS) developer, to collaborate on projects aimed at achieving carbon neutrality.

In January 2025, Mitsubishi Electric Corporation, has announced plans to acquire a strategic stake in Bengaluru based Gervigreind Data Science Pvt. Ltd. This collaboration focuses on co developing and marketing no code data analysis and report generation tools that integrate seamlessly with Mitsubishi Electric's factory automation (FA) equipment and GENESIS64(TM) SCADA software-developed by ICONICS, its U.S.

Products Covered:

• Optoelectronic Devices
• Power Semiconductors
• Frequency Devices

Components Covered:

• Schottky Diodes
• FET/MOSFET Transistors
• Integrated Circuits
• Rectifiers/Diodes
• Power Modules
• Other Components

Wafer Sizes Covered:

• 1 inch to 4 inches
• 6 inches
• 8 inches
• 10 inches & above

Voltage Ranges Covered:

• Up to 600V
• 601V to 1200V
• Above 1200V

Applications Covered:

• Power Supplies and Inverters
• RF Devices and Cellular Base Stations
• LED Lighting
• Electric Vehicles (EV)
• Charging Infrastructure
• Industrial Motor Drives
• Other Applications

End Users Covered:

• Automotive
• Consumer Electronics
• Aerospace & Defense
• Medical Devices
• Data & Communication Devices
• Energy & Power
• Other End Users

Regions Covered:

• North America
  • US
  • Canada
  • Mexico
• Europe
  • Germany
  • UK
  • Italy
  • France
  • Spain
  • Rest of Europe
• Asia Pacific
  • Japan
  • China
  • India
  • Australia
  • New Zealand
  • South Korea
  • Rest of Asia Pacific
• South America
  • Argentina
  • Brazil
  • Chile
  • Rest of South America
• Middle East & Africa
  • Saudi Arabia
  • UAE
  • Qatar
  • South Africa
  • Rest of Middle East & Africa

What our report offers:

• Market share assessments for the regional and country-level segments
• Strategic recommendations for the new entrants
• Covers Market data for the years 2022, 2023, 2024, 2026, and 2030
• Market Trends (Drivers, Constraints, Opportunities, Threats, Challenges, Investment Opportunities, and recommendations)
• Strategic recommendations in key business segments based on the market estimations
• Competitive landscaping mapping the key common trends
• Company profiling with detailed strategies, financials, and recent developments
• Supply chain trends mapping the latest technological advancements

Free Customization Offerings:

All the customers of this report will be entitled to receive one of the following free customization options:

• Company Profiling
  • Comprehensive profiling of additional market players (up to 3)
  • SWOT Analysis of key players (up to 3)
• Regional Segmentation
  • Market estimations, Forecasts and CAGR of any prominent country as per the client's interest (Note: Depends on feasibility check)
• Competitive Benchmarking
  • Benchmarking of key players based on product portfolio, geographical presence, and strategic alliances

Table of Contents

1 Executive Summary

2 Preface

• 2.1 Abstract
• 2.2 Stake Holders
• 2.3 Research Scope
• 2.4 Research Methodology
  • 2.4.1 Data Mining
  • 2.4.2 Data Analysis
  • 2.4.3 Data Validation
  • 2.4.4 Research Approach
• 2.5 Research Sources
  • 2.5.1 Primary Research Sources
  • 2.5.2 Secondary Research Sources
  • 2.5.3 Assumptions

3 Market Trend Analysis

• 3.1 Introduction
• 3.2 Drivers
• 3.3 Restraints
• 3.4 Opportunities
• 3.5 Threats
• 3.6 Product Analysis
• 3.7 Application Analysis
• 3.8 End User Analysis
• 3.9 Emerging Markets
• 3.10 Impact of Covid-19

4 Porters Five Force Analysis

• 4.1 Bargaining power of suppliers
• 4.2 Bargaining power of buyers
• 4.3 Threat of substitutes
• 4.4 Threat of new entrants
• 4.5 Competitive rivalry

5 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market, By Product

• 5.1 Introduction
• 5.2 Optoelectronic Devices
• 5.3 Power Semiconductors
• 5.4 Frequency Devices

6 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market, By Component

• 6.1 Introduction
• 6.2 Schottky Diodes
• 6.3 FET/MOSFET Transistors
• 6.4 Integrated Circuits
• 6.5 Rectifiers/Diodes
• 6.6 Power Modules
• 6.7 Other Components

7 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market, By Wafer Size

• 7.1 Introduction
• 7.2 1 inch to 4 inches
• 7.3 6 inches
• 7.4 8 inches
• 7.5 10 inches & above

8 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market, By Voltage Range

• 8.1 Introduction
• 8.2 Up to 600V
• 8.3 601V to 1200V
• 8.4 Above 1200V

9 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market, By Application

• 9.1 Introduction
• 9.2 Power Supplies and Inverters
• 9.3 RF Devices and Cellular Base Stations
• 9.4 LED Lighting
• 9.5 Electric Vehicles (EV)
• 9.6 Charging Infrastructure
• 9.7 Industrial Motor Drives
• 9.9 Other Applications

10 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market, By End User

• 10.1 Introduction
• 10.2 Automotive
• 10.3 Consumer Electronics
• 10.4 Aerospace & Defense
• 10.5 Medical Devices
• 10.6 Data & Communication Devices
• 10.7 Energy & Power
• 10.8 Other End Users

11 Global Silicon Carbide Semiconductor Devices Market, By Geography

• 11.1 Introduction
• 11.2 North America
  • 11.2.1 US
  • 11.2.2 Canada
  • 11.2.3 Mexico
• 11.3 Europe
  • 11.3.1 Germany
  • 11.3.2 UK
  • 11.3.3 Italy
  • 11.3.4 France
  • 11.3.5 Spain
  • 11.3.6 Rest of Europe
• 11.4 Asia Pacific
  • 11.4.1 Japan
  • 11.4.2 China
  • 11.4.3 India
  • 11.4.4 Australia
  • 11.4.5 New Zealand
  • 11.4.6 South Korea
  • 11.4.7 Rest of Asia Pacific
• 11.5 South America
  • 11.5.1 Argentina
  • 11.5.2 Brazil
  • 11.5.3 Chile
  • 11.5.4 Rest of South America
• 11.6 Middle East & Africa
  • 11.6.1 Saudi Arabia
  • 11.6.2 UAE
  • 11.6.3 Qatar
  • 11.6.4 South Africa
  • 11.6.5 Rest of Middle East & Africa

12 Key Developments

• 12.1 Agreements, Partnerships, Collaborations and Joint Ventures
• 12.2 Acquisitions & Mergers
• 12.3 New Product Launch
• 12.4 Expansions
• 12.5 Other Key Strategies

13 Company Profiling

• 13.1 Wolfspeed, Inc.
• 13.2 STMicroelectronics
• 13.3 Infineon Technologies AG
• 13.4 ON Semiconductor
• 13.5 ROHM Semiconductor
• 13.6 Mitsubishi Electric Corporation
• 13.7 Toshiba Corporation
• 13.8 Littelfuse, Inc.
• 13.9 Fuji Electric Co., Ltd.
• 13.10 Renesas Electronics Corporation
• 13.11 Microchip Technology Inc.
• 13.12 United Silicon Carbide, Inc.
• 13.13 Power Integrations, Inc.
• 13.14 Global Power Technologies Group
• 13.15 SemiQ Inc.
• 13.16 Diodes Incorporated
• 13.17 Alpha and Omega Semiconductor