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市場調査レポート
商品コード
1547874
GaNパワーデバイスの世界市場調査レポート:産業分析、規模、シェア、成長、動向、2024年から2032年までの予測Global GaN Power Device Market Research Report - Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2024 to 2032 |
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カスタマイズ可能
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GaNパワーデバイスの世界市場調査レポート:産業分析、規模、シェア、成長、動向、2024年から2032年までの予測 |
出版日: 2024年07月01日
発行: Value Market Research
ページ情報: 英文 235 Pages
納期: 即日から翌営業日
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GaNパワーデバイス市場の世界需要は、2023年の1億1,207万米ドルから2032年には約31億6,152万米ドルの市場規模に達すると推定され、調査期間2024~2032年のCAGRは39.65%です。
窒化ガリウムを意味するGaNは、シリコンベースのトランジスタの代替品として市場を席巻しているGaNトランジスタを指します。GaNは出力が大きく、デバイスの製造がはるかに容易で複雑なため、旧来のシリコントランジスタの代わりに使用するのに理想的です。また、与えられた抵抗値と耐圧値に対して、GaNトランジスタはよりコンパクトなデバイスの開発に使用することができます。これらのGaNトランジスタは、ハイブリッド電気自動車、太陽光発電コンバータ、RFスイッチングなどの最新エレクトロニクスに使用されると、非常に有用になります。
GaNパワーデバイスの市場は、日常生活におけるさまざまな電子機器の使用が増加して以来、着実に成長しています。通信機器、LIDAR、ACアダプター、各種無線機器の需要増加が、GaNパワーデバイス市場の主要起爆剤となっています。コロナウイルスの流行も、在宅勤務者向けのモデムやインターネットルーターの需要増加により、GaNパワーデバイスの市場促進要因となっています。最新の電子機器とハイブリッドデバイスのほとんどが、GaNトランジスタの主要促進要因となっています。GaNデバイス市場が直面している唯一の抑制要因は、高電圧での動作に関してシリコンベースのデバイスが好まれることです。
調査レポートは、ポーターのファイブフォースモデル、市場の魅力分析、バリューチェーン分析をカバーしています。これらのツールは、業界構造を明確に把握し、世界レベルでの競合の魅力を評価するのに役立ちます。さらに、これらのツールは、GaNパワーデバイスの世界市場における各セグメントを包括的に評価することもできます。GaNパワーデバイス産業の成長と動向は、この調査に全体的なアプローチを記載しています。
GaNパワーデバイス市場レポートのこのセクションでは、国と地域レベルのセグメントに関する詳細なデータを提供し、それによって戦略家が今後の機会とともに、それぞれの製品やサービスの対象層を特定するのに役立ちます。
本セクションでは、北米、欧州、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東・アフリカにおけるGaNパワーデバイス市場の現在と将来の需要を強調する地域展望をカバーします。さらに、すべての主要地域における個々の用途セグメントの需要・推定・予測にも焦点を当てています。
カスタム要件がある場合は、お問い合わせください。当社の調査チームは、お客様のニーズに応じてカスタマイズしたレポートを提供することができます。
The global demand for GaN Power Device Market is presumed to reach the market size of nearly USD 3161.52 Million by 2032 from USD 112.07 Million in 2023 with a CAGR of 39.65% under the study period 2024-2032.
GaN, which is the symbol for gallium nitride is referred for the GaN transistors which have taken over the market as the substitute of the silicon-based transistors. They have more power output and can be used for far more easy and complicated device fabrication, which makes them ideal for use instead of the older silicon transistors. Also, for the given resistance and breakdown voltage values, the GaN transistors can be used for developing more compact devices. These GaN transistors become extremely useful when used for modern electronics like hybrid electric vehicles, photovoltaic converters, and RF switching.
The market for GaN power devices has been growing steadily since the increase in the use of various electronics for our daily activities. The increase in demand for telecommunication devices, LIDAR, AC adaptors, and various wireless devices has been acting as the main catalyst for the GaN power devices market. The coronavirus outbreak has also acted as a market driver for the GaN power devices due to the increase in demand for modems and internet routers for people working from home. Most of the modern electronic devices and the hybrid devices act as the main driving factor for the GaN transistors. The only restraint being faced by the market for GaN devices is the preference towards silicon-based devices when it comes to operating at high voltages.
The research report covers Porter's Five Forces Model, Market Attractiveness Analysis, and Value Chain analysis. These tools help to get a clear picture of the industry's structure and evaluate the competition attractiveness at a global level. Additionally, these tools also give an inclusive assessment of each segment in the global market of GaN Power Device. The growth and trends of GaN Power Device industry provide a holistic approach to this study.
This section of the GaN Power Device market report provides detailed data on the segments at country and regional level, thereby assisting the strategist in identifying the target demographics for the respective product or services with the upcoming opportunities.
This section covers the regional outlook, which accentuates current and future demand for the GaN Power Device market across North America, Europe, Asia-Pacific, Latin America, and Middle East & Africa. Further, the report focuses on demand, estimation, and forecast for individual application segments across all the prominent regions.
The research report also covers the comprehensive profiles of the key players in the market and an in-depth view of the competitive landscape worldwide. The major players in the GaN Power Device market include Efficient Power Conversion Corporation Inc., Fujitsu Limited, GaN Power Inc., GaN Systems, Infineon Technologies, Navitas Semiconductor, NexGen Power Systems, On Semiconductors, Panasonic Corporation, Power Integrations Inc., ROHM CO LTD., SOITEC, Texas Instruments Incorporated, Transphorm Inc., VisIC Technologies. This section consists of a holistic view of the competitive landscape that includes various strategic developments such as key mergers & acquisitions, future capacities, partnerships, financial overviews, collaborations, new product developments, new product launches, and other developments.
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