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市場調査レポート
商品コード
1897802
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの市場規模、シェア、および成長分析：製品別、コンポーネント別、ウエハーサイズ別、用途別、最終用途別、地域別 - 業界予測（2026年～2033年）Gallium Nitride Semiconductor Devices Market Size, Share, and Growth Analysis, By Product (GaN Radio Frequency (RF) Devices, GaN Opto-semiconductors), By Component, By Wafer Size, By Application, By End-Use, By Region - Industry Forecast 2026-2033 |
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| 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの市場規模、シェア、および成長分析：製品別、コンポーネント別、ウエハーサイズ別、用途別、最終用途別、地域別 - 業界予測（2026年～2033年） |
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出版日: 2025年12月19日
発行: SkyQuest
ページ情報: 英文 197 Pages
納期: 3～5営業日
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概要
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの市場規模は、2024年に79億5,000万米ドルと評価され、2025年の94億3,000万米ドルから2033年までに370億5,000万米ドルへ成長する見込みです。予測期間（2026年～2033年）におけるCAGRは18.65％と予測されています。
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの市場は、高性能電子機器および電気機器への需要の高まりを背景に、大幅な成長が見込まれています。世界の電気自動車の普及拡大により、GaN半導体の必要性がさらに高まると予想されます。GaN技術の研究開発への多額の投資と、パワー半導体への需要増加が相まって、業界関係者にとって新たな機会が創出されるでしょう。エネルギー効率への強い焦点、再生可能エネルギー分野におけるGaNの用途拡大、民生用電子機器セクターの成長といった主要因が、市場の拡大に寄与しています。しかしながら、基板供給の制限、高い製造コスト、シリコン技術との競争、標準化の欠如といった課題が、市場の進展を妨げる可能性があります。
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場の促進要因
世界の排出量削減への関心の高まりにより、電気自動車の人気が著しく上昇しております。この傾向は、電力変換器、インバーター、充電器など電気自動車システムに深く関わるガリウムナイトライド半導体デバイスの需要を牽引しております。これらの用途への窒化ガリウム技術の統合は、性能と効率の向上をもたらすと予想され、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの市場をさらに後押しするでしょう。電気自動車の普及が進むにつれ、この先進技術の採用は、半導体市場の将来の市場情勢を形作る上で重要な役割を果たすと期待されています。
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場の抑制要因
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの生産は、炭化ケイ素（SiC）やサファイアなどの必須基板材料の入手可能性に大きく影響されます。これらの原材料は供給量が限られているだけでなく、高価である傾向があり、製造業者にとって課題となっています。この供給不足と関連する高コストは、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの需要と供給チェーン全体に混乱を招き、生産能力や市場の安定性に影響を与える可能性があります。その結果、この分野の企業は、消費者の需要を満たし、競争力のある価格を維持することが困難になる可能性があり、最終的には市場における成長と収益性に影響を及ぼす恐れがあります。
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの市場動向
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの市場では、パワーエレクトロニクスの小型化を中心とした顕著なトレンドが見られます。コンパクトで軽量なソリューションに対する世界の消費者需要の高まりに伴い、GaN半導体メーカーには大きな成長機会が訪れています。この傾向は、様々な分野における先端技術の統合が進み、より小型で効率的な電力部品が必要とされることから生じています。この進化する状況を活用するためには、企業は製品のさらなる小型化を目指す研究開発への積極的な投資を優先しなければなりません。このような革新は、デバイスの性能を向上させるだけでなく、複数の産業にわたる潜在的な応用範囲を拡大することにもつながります。
よくあるご質問
目次
イントロダクション
- 調査の目的
- 調査範囲
- 定義
調査手法
- 情報調達
- 二次と一次データの方法
- 市場規模予測
- 市場の前提条件と制限
エグゼクティブサマリー
- 世界市場の見通し
- 供給と需要の動向分析
- セグメント別機会分析
市場力学と見通し
- 市場規模
- 市場力学
- 促進要因と機会
- 抑制要因と課題
- ポーターの分析
主な市場の考察
- 重要成功要因
- 競合の程度
- 主な投資機会
- 市場エコシステム
- 市場の魅力指数（2025年）
- PESTEL分析
- マクロ経済指標
- バリューチェーン分析
- 価格分析
- ケーススタディ
- 規制情勢
- 特許分析
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場規模：製品別& CAGR（2026-2033）
- GaN高周波（RF）デバイス
- GaN光半導体
- GaNパワーデバイス
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場規模：コンポーネント別& CAGR（2026-2033）
- トランジスタ
- ダイオード
- 整流器
- パワーIC
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場規模：ウエハーサイズ別& CAGR（2026-2033）
- 4インチ未満
- 4インチ～8インチ
- 8インチ超
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場規模：用途別& CAGR（2026-2033）
- パワー駆動
- 無線周波数
- 光検出および測距（LiDAR）
- ワイヤレス充電
- その他
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場規模：最終用途別& CAGR（2026-2033）
- 自動車
- 民生用電子機器
- 航空宇宙・防衛
- ヘルスケア
- 産業用
- その他
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場規模& CAGR（2026-2033）
- 北米
- 米国
- カナダ
- 欧州
- ドイツ
- スペイン
- フランス
- 英国
- イタリア
- その他欧州地域
- アジア太平洋地域
- 中国
- インド
- 日本
- 韓国
- その他アジア太平洋地域
- ラテンアメリカ
- ブラジル
- その他ラテンアメリカ地域
- 中東・アフリカ
- GCC諸国
- 南アフリカ
- その他中東・アフリカ
競合情報
- 上位5社の比較
- 主要企業の市場ポジショニング（2025年）
- 主な市場企業が採用した戦略
- 最近の市場動向
- 企業の市場シェア分析（2025年）
- 主要企業の企業プロファイル
- 企業の詳細
- 製品ポートフォリオ分析
- 企業のセグメント別シェア分析
- 収益の前年比比較（2023-2025年）
主要企業プロファイル
- Qorvo, Inc.（USA）
- Wolfspeed, Inc.（USA）
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.（Japan）
- Infineon Technologies AG（Germany）
- GaN Systems（Canada）
- Efficient Power Conversion Corporation（USA）
- MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.（USA）
- NXP Semiconductors（Netherlands）
- Texas Instruments Incorporated（USA）
- ON Semiconductor（USA）
- Toshiba Corporation（Japan）
- Mitsubishi Electric Corporation（Japan）
- STMicroelectronics（Switzerland）
- Analog Devices, Inc.（USA）
- Panasonic Corporation（Japan）
- Broadcom Inc.（USA）
- Renesas Electronics Corporation（Japan）
- Cree, Inc.（USA）
- Samsung Electronics Co., Ltd.（South Korea）
- Microchip Technology Inc.（USA）
