FDｰSOI（完全空乏型SOI）技術：世界市場シェアとランキング、総売上高および需要予測（2025年～2031年）

FDｰSOI（完全空乏型SOI）技術の世界市場規模は、2024年に37億3,500万米ドルと推定され、2025年から2031年の予測期間においてCAGR29.1％で拡大し、2031年までに227億9,400万米ドルに達すると予測されております。

シリコン・オン・インシュレータ（SOI）技術とは、半導体製造、特にマイクロエレクトロニクスにおいて、従来のシリコン基板の代わりに積層構造のシリコンー絶縁体ーシリコン基板を使用する技術です。これによりデバイス内の寄生容量を低減し、性能向上を図ります。FDｰSOI（完全空乏型SOI）技術は、埋込み酸化膜上に極薄のシリコン層を形成することで、チップのリーク電流とばらつきを低減する手段として採用されています。FD-SOIはバックバイアス機能も備えております。

近年、FD-SOI基板材料における技術革新、特に超薄型BOX（20ナノメートル級）および超薄型シリコン膜（10ナノメートル級）FD-SOI基板の応用により、ナノスケールFD-SOI CMOSの急速な発展がもたらされています。代表的な例として、フランスのSTマイクロエレクトロニクス社が開発した28ナノメートルFD-SOIプロセスが挙げられます。この28ナノメートルFD-SOIプロセスで製造されたSTのアプリケーションプロセッサは、同世代のFinFETプロセスと比較して40％の性能向上を実現し、消費電力を30％以上削減しています。平面プロセスを採用しているため、バルクシリコンよりもシンプルで低コストであり、バルクシリコンナノスケールCMOSに対する強力な競争相手となっています。モノのインターネット（IoT）は、FDｰSOI（完全空乏型SOI）技術とって大きな機会をもたらすでしょう。また、IoTと密接に関連するMRAMも、FD-SOIにおける技術的ブレークスルーの主要な分野となる見込みです。プロセスノードの観点では、成熟した28nmおよび22nmノードに基づくFD-SOI技術の市場は着実な成長を維持します。IoT、無線通信、自動車エレクトロニクスがより厳しいチップ性能と消費電力性能を要求するにつれ、より先進的なFD-SOI技術の登場が加速するでしょう。

本レポートは、FDｰSOI（完全空乏型SOI）技術の世界市場について、総売上高、主要企業の市場シェアと順位に焦点を当て、地域・国別、タイプ別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としています。

FDｰSOI（完全空乏型SOI）技術市場の規模、推定・予測は、売上収益ベースで提供され、2024年を基準年とし、2020年から2031年までの期間における過去データと予測データを含みます。定量的および定性的分析の両方を用いて、読者の皆様がビジネス/成長戦略を策定し、市場の競合を評価し、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けを分析し、完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ（FD-SOI）技術に関する情報に基づいたビジネス上の意思決定を行うことを支援します。

市場セグメンテーション

企業別

• Globalfoundries
• Samsung
• STMicroelectronics
• SMIC

タイプ別セグメント

• 28nm FDSOI
• 22/14/18nm FDSOI
• 12/10nm FDSOI

用途別セグメント

• 自動車用電子機器
• 通信機器
• IoT
• その他

地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • 韓国
  • 東南アジア
  • インド
  • オーストラリア
  • その他アジア太平洋地域
• 欧州
  • ドイツ
  • フランス
  • 英国
  • イタリア
  • オランダ
  • 北欧諸国
  • その他欧州
• ラテンアメリカ
  • メキシコ
  • ブラジル
  • その他ラテンアメリカ
• 中東・アフリカ
  • トルコ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • その他中東・アフリカ