中国の半導体デバイス：市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2026年～2031年）

中国の半導体デバイス市場規模は2025年に2,175億5,000万米ドルと評価され、2026年の2,334億6,000万米ドルから2031年までに3,321億7,000万米ドルに達すると予測されており、予測期間（2026年～2031年）におけるCAGRは7.31％となる見込みです。

本レポートは、デバイス種別（ディスクリート半導体［ダイオード、トランジスタなど］、オプトエレクトロニクス［LED、レーザーダイオードなど］、センサーおよびMEMS［圧力、アクチュエータなど］、集積回路 ）、ビジネスモデル（IDM、設計／ファブレスベンダー）、および最終用途産業（自動車、通信、民生用、産業用、コンピューティング／データストレージ、データセンター、AI、政府）ごとに分類されています。

中国の半導体デバイス市場の動向と洞察

「中国製造2025」に基づくIC生産能力拡大計画の加速

中国は2024年にファウンダリ生産能力を15％拡大し、SMIC、華虹（Huahong）、Nexchipが成熟ノードの生産ラインを本格稼働させることに伴い、2025年にはさらに14％の増強が予定されています。現地化の動きは現在、製造工程を超えてフォトレジスト剥離やウェット洗浄装置にまで広がっており、これらの分野では国内サプライヤーが高い採用率を達成しています。2027年までに、中国は世界の28nm生産能力の31％を占めると予測されており、成熟ノードにおける価格形成に変化をもたらす見込みです。この計画の成否は、安定した電力供給、プロセスエンジニアリングの人材、そして輸出規制の影響を軽減するセカンドソースの装置ラインにかかっています。これらを総合すると、この展開により、民生用、産業用、自動車用エレクトロニクス向けの国内供給体制が確固たるものとなり、エコシステム全体での稼働率と利益率の向上につながります。

中国のティア1クラウドプロバイダーによるAI中心のエッジコンピューティング需要

アリババは、2025年から2027年にかけて、AI対応のクラウドインフラ整備に3,800億人民元（529億米ドル）を投じることを約束し、テンセントとバイドゥも同程度の投資を発表しました。需要はGPU、高帯域幅メモリ、ネットワークスイッチ用ASICに及び、これらの注文は現地の半導体ファブやメモリメーカーへと流れ込んでいます。DeepSeekの基盤モデルは、ソフトウェアとハードウェアを統合する中国の能力を実証しており、海外のアクセラレータへの依存を軽減しています。エッジAIのワークロードは、低遅延のオンプレミス型コンピューティングを好むため、購入者は国家のデータ主権規則に準拠した国産設計のSoCへと向かっています。したがって、ハイパースケーラーの設備投資とチップレベルのイノベーションとの間の好循環は、中期的な成長の主要な原動力となります。

米国輸出管理エンティティリストによるEUVおよびEDAツールに対する規制

2024年10月および12月に米国政府が定めた規則により、EUVスキャナー、高度な成膜装置、およびハイエンドEDAライセンスの中国国内の半導体製造工場への出荷が禁止されています。国内メーカーは量産において依然として28 nmに制限されており、ASML製のEUVを使用せずに7 nmの概念実証（PoC）ウエハーに関する技術革新を図らなければなりません。その代替策としては、ゲート長1nmで試験運用されている2次元材料トランジスタや、高度なDUVマルチパターニングなどが挙げられますが、商業的な歩留まりが実現するにはまだ数年を要します。装置の納期延長、ソフトウェアライセンスの不確実性、およびコンプライアンス監査が、プロセスノード移行のペースを鈍らせています。

セグメント分析

2025年には集積回路が売上高の86.02％を占め、AI、5G、サーバーの需要により、より大きなダイサイズや積層型V-キャッシュソリューションが求められることから、そのシェアはさらにわずかに上昇すると予測されています。中国の半導体市場において、集積回路はCAGR8.02％で拡大し、2031年までに692億米ドル以上の新規生産高が追加されると見込まれています。YMTCの232層3D NANDやCXMTのDDR5歩留まり80％は、メモリ分野の勢いを裏付けており、一方、SMICの12インチ製造ラインは、堅調な民生用および産業用需要を背景に、稼働率89.6％で稼働しています。

ディスクリートパワーデバイス、オプトエレクトロニクス、センサーは合わせて残りの13.98％のシェアを占めていますが、NEVの電動化や5G用光部品の需要拡大の恩恵を受けています。国内のSiCダイオードの生産能力は18ヶ月ごとに倍増しており、スマートフォン向け3Dセンシング用VCSELの出荷は国内のファブへと移行しつつあります。金額ベースでは小規模ではありますが、これらのカテゴリーは、自動車の安全性、スマートファクトリーの導入、AR/VRハードウェアにおいて重要な差別化要因となり、多分野にわたる回復力を支えています。

その他の特典：

• エクセル形式の市場予測（ME）シート
• 3ヶ月間のアナリストサポート

よくあるご質問

• 中国の半導体デバイス市場規模はどのように予測されていますか？
  • 2025年に2,175億5,000万米ドル、2026年には2,334億6,000万米ドル、2031年までに3,321億7,000万米ドルに達すると予測されています。予測期間（2026年～2031年）のCAGRは7.31％です。
• 中国の半導体デバイス市場の主要なデバイス種別は何ですか？
  • ディスクリート半導体（ダイオード、トランジスタなど）、オプトエレクトロニクス（LED、レーザーダイオードなど）、センサーおよびMEMS（圧力、アクチュエータなど）、集積回路です。
• 中国の半導体デバイス市場におけるビジネスモデルは何ですか？
  • IDM（Integrated Device Manufacturer）と設計／ファブレスベンダーです。
• 中国の半導体デバイス市場の成長を促進する要因は何ですか？
  • 「中国製造2025」に基づくICの生産能力拡大、中国のティア1クラウドプロバイダーによるAI中心のエッジコンピューティング需要、NEVのパワートレインにおける自動車用SiC/GaNの採用などです。
• 中国の半導体デバイス市場の抑制要因は何ですか？
  • 米国輸出管理対象企業リストによるEUVおよびEDAツールに対する規制、海外のデザイン事務所への人材流出、電力消費量の多い半導体製造工場の省レベルの炭素割当上限などです。
• 中国の半導体デバイス市場における集積回路のシェアはどのくらいですか？
  • 2025年には集積回路が売上高の86.02％を占め、2031年までに692億米ドル以上の新規生産高が追加されると見込まれています。
• 中国の半導体デバイス市場における主要企業はどこですか？
  • Semiconductor Manufacturing International Corp（SMIC）、Taiwan Semiconductor Manufacturing Co（TSMC）、Hua Hong Group、Intel Corp、Samsung Electronics Co Ltd、SK Hynix Inc、Micron Technology Inc、Yangtze Memory Technologies Co（YMTC）などです。

目次

第1章 イントロダクション

• 調査の前提条件と市場の定義
• 調査範囲

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 市場情勢

• 市場概要
• 市場促進要因
  • 「中国製造2025」に基づくICのアジア太平洋地域の能力拡大プログラムの加速
  • 中国のティア1クラウドプロバイダーによるAI中心のエッジコンピューティング需要
  • NEVのパワートレインにおける自動車用SiC/GaNの採用
  • 国内における5G基地局の整備が、RFフロントエンドICの採用を後押ししています
  • 「インダストリー4.0」スマートファクトリーへの産業高度化
  • パンデミック後のAIoT搭載民生用デバイス（スマートウェアラブル、AR/VR）の回復
• 市場抑制要因
  • 米国輸出管理対象企業リストによるEUVおよびEDAツールに対する規制
  • 海外のデザイン事務所への人材流出
  • 電力消費量の多い半導体製造工場、省レベルの炭素割当上限に直面
  • 300mmプライムウエハーの価格変動が継続しています
• 業界バリューチェーン分析
• 規制展望
• 技術動向
• ポーターのファイブフォース分析
• マクロ経済要因の影響評価
• 半導体ファウンダリの動向
  • 主要企業別のファウンダリ売上高およびシェア
  • IDMとファブレスの売上高
  • アジア太平洋地域のウエハー導入状況（ファブの立地別）

第5章 市場規模と成長予測

• デバイスタイプ（デバイスタイプ別の出荷台数は補足情報です）別
  • ディクリート半導体
    • ダイオード
    • トランジスタ
    • パワートランジスタ
    • 整流器およびサイリスタ
    • その他のディスクリートデバイス
  • オプトエレクトロニクス
    • 発光ダイオード（LED）
    • レーザーダイオード
    • イメージセンサー
    • オプトカプラ
    • その他のデバイス種別
  • センサー・MEMS
    • 圧力
    • 磁場
    • アクチュエーター
    • 加速度およびヨーレート
    • 温度およびその他
  • 集積回路
    • 集積回路の種類別
      • アナログ
      • マイクロ
        • マイクロプロセッサ（MPU）
        • マイクロコントローラ（MCU）
        • デジタル信号プロセッサ
      • ロジック
      • メモリ
    • 技術ノード（出荷台数は該当なし）別
      • 3nm未満
      • 3nm
      • 5nm
      • 7nm
      • 16nm
      • 28nm
      • 28nm超
• ビジネスモデル別
  • IDM
  • 設計／ファブレスベンダー
• エンドユーザー産業別
  • 自動車
  • 通信（有線および無線）
  • 一般消費者
  • 産業
  • コンピューティング／データストレージ
  • データセンター
  • AI

第6章 競合情勢

• 市場集中度
• 戦略的動向
• 市場シェア分析
• 企業プロファイル
  • Semiconductor Manufacturing International Corp（SMIC）
  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Co（TSMC）
  • Hua Hong Group
  • Intel Corp
  • Samsung Electronics Co Ltd
  • SK Hynix Inc
  • Micron Technology Inc
  • Yangtze Memory Technologies Co（YMTC）
  • JCET Group Co Ltd
  • Advanced Micro Devices Inc
  • Qualcomm Inc
  • Broadcom Inc
  • Nvidia Corp
  • NXP Semiconductors NV
  • Infineon Technologies AG
  • STMicroelectronics NV
  • Texas Instruments Inc
  • Will Semiconductor Co Ltd
  • Goodix Technology
  • ASE Technology Holding Co
  • Renesas Electronics Corp
  • Rohm Co Ltd

第7章 市場機会と将来の展望