欧州の半導体デバイス:市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測(2026年~2031年)
Europe Semiconductor Device - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031)
- 発行日
- ページ情報
- 英文 120 Pages
- 納期
- 2~3営業日
- 商品コード
- 2125642
- カスタマイズ可能 お客様のご希望に応じて、既存データの加工や未掲載情報(例:国別セグメント)の追加などの対応が可能です。詳細はお問い合わせください。
- 適宜更新あり 本レポートは最新情報反映のため適宜更新し、内容構成変更を行う場合があります。ご検討の際はお問い合わせください。
- 翻訳ツール提供対象 PDF対応AI翻訳ツールの無料貸し出しサービスのご利用が可能です
概要
欧州の半導体デバイス市場規模は、2025年に663億5,000万米ドル、2026年に687億2,000万米ドル、2031年までに907億1,000万米ドルに達すると予測されており、2026年から2031年にかけてCAGR5.71%で成長すると見込まれています。

本レポートは、デバイス種別(ディスクリート半導体、オプトエレクトロニクス、センサーおよびMEMS、集積回路)、ビジネスモデル(IDM、設計/ファブレスベンダー)、エンドユーザー産業(自動車、通信、民生用、産業用、コンピューティング、データセンター、政府)、技術ノード(5 nm、7 nm、その他)、および地域別に分類されています。市場予測は金額(米ドル)ベースで提示されています。
欧州の半導体デバイス市場の動向と洞察
欧州のハイパースケールデータセンターにおけるAI最適化ロジックICの需要
ハイパースケール事業者は、欧州全域で人工知能(AI)サーバーの容量を3倍に拡大しており、再生可能エネルギークレジットや高密度光ファイバー相互接続により総所有コスト(TCO)を削減できるドイツやオランダにクラスターを集中させています。Nvidiaが2025年6月に提示した「ソブリンAI」の提案により、政策立案者はオンプレミス型推論アクセラレータを優先するよう説得され、域外クラウドへの依存度が低下しました。インフィニオンは、炭化ケイ素(SiC)製無停電電源モジュールがハイパースケール展開へと拡大するにつれ、2026会計年度にはAI関連の電源管理事業の売上高が15億ユーロ(17億米ドル)に達すると見込んでいます。欧州のファブは、最先端のロジックではなく、電源およびミックスドシグナル周辺回路をターゲットとすることで、ウエハーの生産量が海外に移転した場合でも、より高い付加価値を確保しています。この動向は、データセンターのアーキテクトと協力して熱管理および電圧調整スタックを共同設計する、地域のアナログ専門企業にとって、設計受注の機会を拡大することにもつながります。
ドイツとフランスにおけるSiCデバイスの需要を牽引する電気自動車用パワーエレクトロニクス
ドイツおよびフランスの主要自動車メーカーが、急速充電とケーブル重量の削減のために炭化ケイ素(SiC)駆動用インバーターを必須とする800ボルトのバッテリー電気自動車(BEV)アーキテクチャを採用したことを受け、自動車用半導体の搭載量は急増しました。インフィニオンとステランティスは2025年にSiCパワーモジュールの共同開発に関する覚書に署名し、EUの「チップ法」によるインセンティブに支えられたインフィニオンのドレスデン拡張拠点におけるCoolSiCの量産拡大を加速させています。フランスに拠点を置くソイテック社は、2025年度の在庫調整にもかかわらず、低損失の電力管理の基盤であり続ける「Power-SOI」基板を供給しています。現在、複数年にわたるウエハー供給契約では、希少なSiC生産能力を確保するため、未加工ウエハー、エピタキシー、およびデバイスの調達が一括して行われており、これによりサプライヤーへの依存度が高まり、欧州の半導体デバイス市場全体で切り替えコストが上昇しています。
EU27諸国におけるアナログおよびミックスドシグナル設計エンジニアの人材供給が逼迫
SEMI Europeが2024年10月に発表した「Skills for Chips」レポートは、2030年までに100万人の半導体関連職を埋める必要があると警告しており、中でもアナログおよびミックスドシグナルの専門家が最も不足していると指摘しています。欧州チップスキルアカデミーは10万人の研修生を目標としていますが、カリキュラムの更新は、極低温CMOSやワイドバンドギャップ電力モデリングへの急速な移行に追いついていません。ドイツの自動車部品サプライヤーは、シニアアナログエンジニアの採用リードタイムが18カ月にも及ぶと指摘しており、地域外の契約設計会社への依存を余儀なくされています。この人材不足により買収プレミアムが膨らんでおり、その一例として、STマイクロエレクトロニクスがNXPのMEMS部門を9億5,000万米ドルで買収した背景には、200名のセンサー設計エンジニアを確保するという目的も一部ありました。人材育成の加速が図られない場合、ファブの生産拡大は、設備の導入ではなく、IP検証サイクルによってボトルネックとなる可能性があります。
セグメント分析
2025年、集積回路(IC)は、自動車のボディコントロール、産業用PLC、データセンターの電圧調整分野における確固たる設計採用に支えられ、欧州の半導体デバイス市場シェアの61.72%を占めました。STマイクロエレクトロニクスが2025年11月に18nmプロセスで発売したSTM32V8マイクロコントローラ・ファミリーは、先進運転支援システム(ADAS)および電気自動車(EV)のゾーンコントローラをターゲットとしています。オプトエレクトロニクス分野は、ams-OSRAM社が2025年に発表した2Dダイレクト・タイム・オブ・フライト(ToF)センシングに関する50億ユーロ(56億5,000万米ドル)規模の設計採用発表に支えられ、10%台半ばのシェアを維持しました。ディスクリートパワーデバイス分野では、800ボルト級のバッテリー式電気自動車プラットフォームが拡大するにつれ、シリコンIGBTから炭化ケイ素(SiC)MOSFETへの移行が継続しました。
センサーおよびマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)は、6.11%のCAGRで成長すると予測されており、これはデバイス分類の中で最も高い成長率です。Melexis社は、磁気位置センサーおよび電流センサーの需要増加に牽引され、2025年第3四半期に2億2,220万ユーロ(2億5,110万米ドル)の売上高を計上しました。フラウンホーファーIMSは、2025年12月にデジタルシリコン光電子増倍管の出荷台数が100万台を突破し、研究機関から製造工場への技術移転の有効性を実証しました。集中型車両アーキテクチャが普及するにつれ、分散型センシングが主要なデータソースとなっており、これが、センサー関連の欧州半導体デバイス市場規模が、ロジックやメモリのサブセクターよりも急速に拡大している理由を説明しています。
2025年の売上高のうち、67.33%をIDM(統合デバイスメーカー)が占めました。EUの「チップ法」による助成金を背景としたインフィニオンのドレスデン拠点の拡張は、IDMモデルに内在する自主生産の優位性を浮き彫りにしています。ONセミコンダクターのチェコ拠点は、欧州の自動車メーカー向けのイメージセンサーおよびSiCダイオードの需要に対応しており、2025年第3四半期の企業売上高17億6,000万米ドルに貢献しています。
とはいえ、X-FABやグローバルファウンダリがファウンダリ・ポータルを開設し、特定用途向け集積回路(ASIC)のテープアウトが民主化されるにつれ、設計およびファブレスベンダーはCAGR5.89%で拡大していく見込みです。X-FABの2025年第3四半期の売上高は、消費者向けエンドマーケットが低迷しているにもかかわらず1億6,640万米ドルに達し、自動車および産業用プロトタイプの需要が持続していることを示しています。欧州の半導体デバイス業界では、ハイブリッド戦略が展開されています。ルネサスが2024年に設計自動化企業アルティウム(Altium)を買収したことは、マイクロコントローラサプライヤーによる垂直統合の動きを示す一方、ファブレススタートアップ各社は、供給が逼迫するサイクルにおいて利益率を守るため、将来の生産能力に関する契約を交渉しています。
その他の特典:
- エクセル形式の市場予測(ME)シート
- 3ヶ月間のアナリストによるサポート
よくあるご質問
目次
第1章 イントロダクション
- 調査の前提条件と市場の定義
- 調査範囲
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 市場情勢
- 市場概要
- 市場促進要因
- 欧州のハイパースケールデータセンターにおけるAI最適化ロジックICの需要
- ドイツとフランスでは、電気自動車用パワーエレクトロニクスがSiCデバイスの需要を牽引しています
- 5G SAの急速な展開により、スマートフォン1台あたりのRFフロントエンドモジュールの搭載量が増加しています
- EUチップ法による資金支援を受けた300mmファブの拡張により、現地調達リスクが低減
- フィンランドとオランダでは、量子コンピューティングのパイロットラインが、極低温CMOSコントローラの需要を牽引しています
- 医療用画像診断分野のスタートアップ企業におけるシリコン光電子増倍管の採用拡大が、ニッチなセンサーの生産量を押し上げています
- 市場抑制要因
- EU27諸国におけるアナログおよびミックスドシグナル設計エンジニアの人材供給が逼迫しています
- 新しいSiCおよびGaN基板生産ラインにおける資本集約性の障壁
- REACHに基づくPFASの段階的廃止により、誘電体材料の再認定コストが増加しています
- 200 mm未満のファウンダリ・エコシステムの断片化が、IoTプロトタイピングの拡張性を制限しています
- 業界バリューチェーン分析
- 規制情勢
- ポーターのファイブフォース分析
第5章 市場規模と成長予測
- デバイスタイプ別
- ディクリート半導体
- ダイオード
- トランジスタ
- パワートランジスタ
- 整流器およびサイリスタ
- その他のディスクリート半導体
- オプトエレクトロニクス
- 発光ダイオード(LED)
- レーザーダイオード
- イメージセンサー
- オプトカプラ
- その他のオプトエレクトロニクス
- センサー・MEMS
- 圧力
- 磁場
- アクチュエーター
- 加速度およびヨーレート
- その他のセンサーおよびMEMS
- 集積回路
- ICの種類別
- アナログ
- マイクロ
- マイクロプロセッサ(MPU)
- マイクロコントローラ(MCU)
- デジタル信号プロセッサ
- ロジック
- メモリ
- ICの種類別
- ディクリート半導体
- ビジネスモデル別
- 統合デバイスメーカー(IDM)
- 設計/ ファブレスベンダー
- エンドユーザー産業別
- 自動車
- 通信(有線および無線)
- 一般消費者
- 産業
- コンピューティング/ データストレージ
- データセンター
- 人工知能
- 政府
- 技術ノード別
- 3nm以下
- 5 nm
- 7 nm
- 16 nm
- 28nm以下
- 国別
- ドイツ
- 英国
- フランス
- イタリア
- オランダ
- スペイン
- その他の欧州諸国
第6章 競合情勢
- 市場集中度
- 戦略的動向
- 市場シェア分析
- 企業プロファイル
- STMicroelectronics N.V.
- Infineon Technologies AG
- NXP Semiconductors N.V.
- ON Semiconductor Corporation
- Texas Instruments Incorporated
- Analog Devices, Inc.
- Intel Corporation
- Advanced Micro Devices, Inc.
- Microchip Technology Incorporated
- Renesas Electronics Corporation
- Micron Technology, Inc.
- SK hynix Inc.
- Samsung Electronics Co., Ltd.
- Wolfspeed, Inc.
- Melexis N.V.
- Elmos Semiconductor SE
- ams-OSRAM AG
- GlobalFoundries Inc.
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
- X-FAB Silicon Foundries SE
- ROHM Co., Ltd.
- Soitec S.A.
- Semikron Danfoss GmbH & Co. KG
- ASM International N.V.
- IQE plc
第7章 市場機会と将来の展望
- 発行日
- 発行
- Mordor Intelligence
- ページ情報
- 英文 120 Pages
- 納期
- 2~3営業日