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市場調査レポート
商品コード
1702052
磁気抵抗RAM市場レポート:タイプ別、提供別、用途別、地域別、2025年~2033年Magneto Resistive RAM Market Report by Type (Toggle MRAM, Spin-Transfer Torque MRAM ), Offering, Application, and Region 2025-2033 |
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カスタマイズ可能
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磁気抵抗RAM市場レポート:タイプ別、提供別、用途別、地域別、2025年~2033年 |
出版日: 2025年04月01日
発行: IMARC
ページ情報: 英文 144 Pages
納期: 2~3営業日
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磁気抵抗RAM(MRAM)の世界市場規模は、2024年に8億4,600万米ドルに達しました。今後、IMARC Groupは、市場は2033年までに134億7,400万米ドルに達し、2025年から2033年にかけて36%の成長率(CAGR)を示すと予測しています。同市場は、高速性、エネルギー効率、不揮発性を背景に急拡大しており、技術進歩、研究開発(R&D)投資の増加、モノのインターネット(IoT)や人工知能(AI)での用途拡大などが主な動向となっています。
磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリー(MRAM)、または磁気RAMは、情報を記憶するために電荷を使用する不揮発性メモリーです。スピントランスファートルクMRAMやトグルMRAMは、一般的に利用可能な種類の一部です。これらは、誘電体層または絶縁層を介して分離された2つの磁性層からなる磁気トンネル接合(MTJ)を利用しています。これは高密度RAMであり、キャパシタとトランジスタを含みます。従来から使用されているダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー(DRAM)に比べ、MRAMは電源なしでメモリーに保存された情報を保持でき、コスト効率が高く、大きなエネルギーを消費するパルスを必要としないです。その結果、ロボット工学、自動車、家電製品、企業向けストレージ・システムなどに広く利用されています。
民生用電子機器業界の著しい成長は、市場の明るい見通しを生み出す重要な要因のひとつです。MRAMは、ワークステーション、スマートウェアラブル、スマートフォン、デジタルカメラなど、さまざまな電子機器に広く使用されています。さらに、高温データストレージに対する航空宇宙・防衛産業での製品需要の増加が、市場の成長を後押ししています。さらに、耐放射線マイクロチップ用の低消費電力MRAMの開発など、さまざまな製品革新が市場成長を後押ししています。これらの製品は電力効率が高く、放射線に耐性があり、温度変動下でも動作します。これに伴い、モノのインターネット(IoT)対応機器の需要の増加や、高度なセンサーやスマートロボットの普及が、市場成長にプラスの影響を与えています。その他、小型化およびカスタマイズされた集積回路(IC)における製品利用の増加や、医療上の様々な障害の非侵襲的診断検査のためのMRAM内蔵医療センサーの広範な採用などが、市場の成長に向けた原動力になると予想されます。
The global magneto resistive RAM (MRAM) market size reached USD 846 Million in 2024. Looking forward, IMARC Group expects the market to reach USD 13,474 Million by 2033, exhibiting a growth rate (CAGR) of 36% during 2025-2033. The market is expanding rapidly, driven by its high speed, energy efficiency, and non-volatility, with key trends including technological advancements, increased research and development (R&D) investments, and expanding applications in the Internet of Things (IoT) and artificial intelligence (AI).
Magneto resistive random access memory (MRAM), or magnetic RAM, is a non-volatile memory that uses magnetic charges to store information. Spin-transfer torque and toggle MRAM are some of the commonly available variants. They utilize magnetic tunnel junction (MTJ) that comprises two magnetic layers separated through a dielectric or insulation layer. It is a high-density RAM and it includes a capacitor and a transistor. In comparison to the traditionally used dynamic random-access memory (DRAM), MRAM can retain the information stored in the memory without a power source, is more cost-effective and does not require a large energy-consuming pulse. As a result, it is widely used in robotics, automobiles, consumer electronics and enterprise storage systems.
Significant growth in the consumer electronics industry is one of the key factors creating a positive outlook for the market. MRAM is widely used in various electronic gadgets, such as workstations, smart wearables, smartphones and digital cameras. Additionally, the increasing product demand in the aerospace and defense industries for high-temperature data storage is favoring the market growth. Moreover, various product innovations, such as the development of low-power MRAM variants for radiation-hardened microchips, are providing thrust to the market growth. They are power-efficient, resistant to radiations and can operate under temperature fluctuations. In line with this, the increasing demand for Internet of Things (IoT)-enabled devices and the widespread utilization of advanced sensors and smart robots are positively impacting the market growth. Other factors, including the increasing product utilization in miniaturized and customized integrated circuits (ICs), along with the widespread adoption of MRAM-embedded medical sensors for non-invasive diagnostic testing of medical various disorder, are anticipated to drive the market toward growth.
The competitive landscape of the industry has also been examined along with the profiles of the key players being Avalanche Technology Inc., Crocus Nano Electronics LLC, Everspin Technologies Inc., Honeywell International Inc., Infineon Technologies AG, Intel Corporation, NVE Corporation, Qualcomm Incorporated, Samsung Electronics Co. Ltd., Spin Memory Inc., Toshiba Corporation and Tower Semiconductor Ltd.