MRAM：世界市場シェアとランキング、総売上高および需要予測（2025年～2031年）

MRAMの世界市場規模は、2024年に2億5,000万米ドルと推定され、2025年から2031年までの予測期間においてCAGR 23.3％で拡大し、2031年までに11億3,500万米ドルに再調整される見込みです。

本レポートでは、最近の関税調整と国際的な戦略的対抗措置が、MRAMの越境的な産業基盤、資本配分パターン、地域経済の相互依存関係、サプライチェーンの再構築に与える影響について包括的な評価を提供します。

磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）は、磁気抵抗効果に基づく不揮発性記憶技術であり、その中核ユニットは磁気トンネル接合（MTJ）です。MTJは、絶縁トンネル障壁層を挟む2つの強磁性層で構成されています。自由層と固定層の磁化方向を平行または反平行に制御することで、MTJは低抵抗状態（論理0）または高抵抗状態（論理1）を示し、これによりデータ保存が可能となります。

MRAMの技術的進化は三世代を経てきました：

第一世代：磁気駆動型MRAM。書き込みに外部磁場を必要とし、比較的効率が低い

第二世代：スピン転移トルクMRAM（STT-MRAM）。MTJに垂直な電流を用いて磁気モーメントを反転させる方式で、SRAMに迫る速度と10の15乗サイクルを超える耐久性を有し、商業的な量産が実現されています。

第三世代：スピン軌道トルクMRAM（SOT-MRAM）および電圧制御磁気異方性MRAM（VCMA-MRAM）。このうち、SOT-MRAMは面内電流を用いてスピン軌道トルクを発生させ磁気モーメントを反転させるため、最大0.4ナノ秒の書き込み速度を実現し、消費電力はSTT-MRAMのわずか1%で、インメモリコンピューティングにも対応しており、次世代の主流技術となる見込みです。

従来型ストレージとの比較：

DRAM：揮発性であり、継続的な電源供給が必要です。MRAMは不揮発性キャッシュとしてDRAMに取って代わることが可能です。

NANDフラッシュ：書き込み速度が遅い（マイクロ秒単位）、耐久性が低い；リアルタイムデータ保存シナリオではMRAMが優位性を持ちます。

SRAM：高速ですが、低密度かつ高消費電力です。MRAMは組み込みアプリケーションにおいて性能とコストのバランスが取れています。

技術的ブレークスルー：

SOT-MRAMの商用化：TSMCとITRIが開発したSOT-MRAMは、書き込み速度0.4ナノ秒、消費電力99％削減を実現し、自動車グレードの検証段階に入っています。東北大学が開発したSOT-MRAMは書き込み消費電力がわずか156fJと世界最低レベルです。

インメモリコンピューティング統合：TSMCはSOT-MRAMをコンピューティングアーキテクチャと統合し、直接インメモリコンピューティングを実現。エネルギー効率を10倍以上向上させ、AIエッジコンピューティングに適しています。

材料革新：グラフェン磁性複合材料により読み書き速度が50％向上し、消費電力は30％削減。三次元積層構造によりデバイスサイズをナノメートルレベルまで縮小し、密度を大幅に向上させました。

市場の市場促進要因：

新興アプリケーション需要：

AIとエッジコンピューティング：MRAMの低消費電力・高速特性はAI推論チップに最適です。例として、AlibabaのMRAM内蔵型AIチップPingTouGeは消費電力を62%削減しました。

IoTデバイス：世界のIoTデバイスは2030年までに5,000億台を超えると予測されており、MRAMの不揮発性と耐久性はセンサーノードの要件を満たします。

政策支援：中国の第14次五カ年計画では、MRAMを主要な新記憶技術として位置付けております。国家集積回路産業投資基金の第2期では、サプライチェーン開発支援に35億元を配分し、北京・上海など3地域に国家級研究開発センターが設立されました。

課題と競合：

コストとプロセス：MRAMの単価はDRAMの35倍です。コスト削減には大規模生産（例：合肥長信の28nm生産ライン）と国内材料生産（コバルト・鉄・ホウ素ターゲット材料は現在75%が輸入依存）が求められます。

技術競合：ReRAMはコンピュート・イン・メモリ分野で急速に進展しており（例：新元半導体の車載グレード製品）、FeRAMも車載電子機器への浸透を拡大しています。しかしながら、MRAMは速度と耐久性の面で依然として優位性を保持しております。

規格とエコシステム：JEDECはSOT-MRAMインターフェース規格JESD232をリリースしており、2025年までに完全なシステムが確立される見込みで、ベンダー間の互換性を促進します。

本レポートは、MRAMの世界市場について、総販売数量、売上高、価格、主要企業の市場シェアおよび順位に焦点を当て、地域・国別、タイプ別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としています。

MRAMの市場規模、推定・予測は、販売数量（千台）および売上高（百万米ドル）で提供され、2024年を基準年とし、2020年から2031年までの期間における過去データと予測データを含みます。定量的・定性的分析の両面から、読者の皆様がビジネス／成長戦略の策定、市場競争の評価、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けの分析、MRAMに関する情報に基づいたビジネス上の意思決定を行うお手伝いをいたします。

市場セグメンテーション

企業別

• Everspin Technologies
• Avalanche Technology
• Honeywell
• Renesas
• Crocus Nano Electronics
• Samsung Electronics
• Cobham
• NVE Corporation

タイプ別セグメント

• トグルMRAM
• STT-MRAM

用途別セグメント

• 航空宇宙
• 自動車
• 工場自動化
• エンタープライズストレージ
• モノのインターネット
• その他

地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • 韓国
  • 東南アジア
  • インド
  • オーストラリア
  • その他アジア太平洋地域
• 欧州
  • ドイツ
  • フランス
  • 英国
  • イタリア
  • オランダ
  • 北欧諸国
  • その他欧州
• ラテンアメリカ
  • メキシコ
  • ブラジル
  • その他ラテンアメリカ
• 中東・アフリカ
  • トルコ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • その他中東・アフリカ