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市場調査レポート
商品コード
1699530
IGBTとスーパージャンクションMOSFET市場:製品タイプ別、用途別、地域別IGBT and Super Junction MOSFET Market, By Product Type, By Application, By Geography |
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カスタマイズ可能
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IGBTとスーパージャンクションMOSFET市場:製品タイプ別、用途別、地域別 |
出版日: 2025年03月04日
発行: Coherent Market Insights
ページ情報: 英文 170 Pages
納期: 2~3営業日
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IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場は、2025年には185億1,000万米ドルと推定され、2032年には416億9,000万米ドルに達すると予測され、2025年から2032年までの年間平均成長率(CAGR)は12.3%で成長する見込みです。
レポート範囲 | レポート詳細 | ||
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基準年 | 2024 | 2025年の市場規模 | 185億1,000万米ドル |
実績データ | 2020年から2024年まで | 予測期間 | 2025年から2032年 |
予測期間:2025年~2032年 CAGR: | 12.30% | 2032年の価値予測 | 416億9,000万米ドル |
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とスーパージャンクションMOSFETは、産業用モーター制御、再生可能エネルギー変換システム、電気自動車、電源などで一般的に使用されている重要なパワー半導体デバイスです。IGBTは、MOSFETに似た高入力インピーダンスと高速スイッチング速度を持つが、BJTの大電流・低飽和電圧機能を備えています。一方、スーパージャンクションMOSFETは、独自の電荷補償構造により、IGBTよりも高い電圧ブロック能力とスイッチング速度を持っています。IGBTとスーパージャンクションMOSFETはいずれも、高効率、小型、低コストという利点により、多くのハイパワーアプリケーションで従来のバイポーラトランジスタに取って代わりつつあります。
IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場成長は、様々な産業におけるエネルギー効率が高くコンパクトなパワーエレクトロニクスデバイスに対する需要の高まりが原動力となっています。産業オートメーションの成長、再生可能エネルギーや電気自動車への投資の増加が、IGBTとスーパージャンクションMOSFETの採用に拍車をかけています。しかし、製造コストが高く、高電圧製品の開発に伴う複雑さが課題となっています。市場開拓には、ウエハーサイズを拡大し、モノリシックおよび非シリコン超接合構造を開発することで、コストを削減し、より広範な応用を可能にする技術革新の機会があります。
本レポートでは、世界のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場を詳細に分析し、2024年を基準年とした予測期間(2025~2032年)の市場規模およびCAGRを掲載しています。
また、さまざまなセグメントにおける潜在的な収益機会を明らかにし、この市場の魅力的な投資提案マトリクスを解説しています。
また、市場促進要因、抑制要因、機会、新製品の上市や承認、市場動向、地域別の展望、主要企業が採用する競争戦略などに関する重要な考察も提供しています。
IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場における主要な企業プロファイルを、企業ハイライト、製品ポートフォリオ、主要ハイライト、財務実績、戦略などのパラメータに基づいて掲載しています。
本レポートからの洞察により、マーケティング担当者や企業の経営陣は、将来の製品発売、タイプアップ、市場拡大、マーケティング戦術に関して、情報に基づいた意思決定を行うことができます。
この調査レポートは、投資家、サプライヤー、製品メーカー、流通業者、新規参入者、金融アナリストなど、この業界のさまざまな利害関係者を対象としています。
Global IGBT and Super Junction MOSFET Market is estimated to be valued at US$ 18.51 Bn in 2025 and is expected to reach US$ 41.69 Bn by 2032, growing at a compound annual growth rate (CAGR) of 12.3% from 2025 to 2032.
Report Coverage | Report Details | ||
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Base Year: | 2024 | Market Size in 2025: | USD 18.51 Bn |
Historical Data for: | 2020 To 2024 | Forecast Period: | 2025 To 2032 |
Forecast Period 2025 to 2032 CAGR: | 12.30% | 2032 Value Projection: | USD 41.69 Bn |
Insulated gate bipolar transistor (IGBT) and super junction MOSFET are important power semiconductor devices that are commonly used in industrial motor controls, renewable energy conversion systems, electric vehicles, and power supplies. IGBTs have high input impedance and fast switching speeds similar to MOSFETs, but with the high current and low saturation voltage capabilities of BJTs. Whereas super junction MOSFETs have higher voltage blocking capability and switching speeds compared to IGBTs due to their unique charge compensation structure. Both IGBTs and super junction MOSFETs are displacing conventional bipolar transistors in many high-power applications due to their advantages of higher efficiencies, compact sizes, and lower costs.
The global IGBT and super junction MOSFET market growth is driven by the rising demand for energy efficient and compact power electronics devices across various industries. Growing industrial automation and increasing investment in renewable energy and electric vehicles are fueling the adoption of IGBTs and super junction MOSFETs. However, high manufacturing cost and complexity involved in developing high voltage variants remains a challenge. The market provides opportunities with innovations to enhance wafer sizes and develop monolithic and non-silicon super junction structures to reduce costs and enable wider applications.
This report provides in-depth analysis of the global IGBT and super junction MOSFET market, and provides market size (US$ Billion) and compound annual growth rate (CAGR%) for the forecast period (2025-2032), considering 2024 as the base year
It elucidates potential revenue opportunities across different segments and explains attractive investment proposition matrices for this market
This study also provides key insights about market drivers, restraints, opportunities, new product launches or approval, market trends, regional outlook, and competitive strategies adopted by key players
It profiles key players in the global IGBT and super junction MOSFET market based on the following parameters - company highlights, products portfolio, key highlights, financial performance, and strategies
Key companies covered as a part of this study include Infineon Technologies AG, STMicroelectronics, Mitsubishi Electric Corporation, Fuji Electric Co., Ltd., Toshiba Corporation, ON Semiconductor, ROHM Co., Ltd., Vishay Intertechnology, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors, Semikron International GmbH, ABB Ltd., Hitachi Power Semiconductor Device Ltd., Fairchild Semiconductor International, Inc., and IXYS Corporation
Insights from this report would allow marketers and the management authorities of the companies to make informed decisions regarding their future product launches, type up-gradation, market expansion, and marketing tactics
The global IGBT and super junction MOSFET market report caters to various stakeholders in this industry including investors, suppliers, product manufacturers, distributors, new entrants, and financial analysts