絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場の2032年までの予測： タイプ別、定格電力別、スイッチング周波数別、パッケージタイプ別、ウエハーサイズ別、エンドユーザー別、地域別の世界分析

Stratistics MRCによると、世界の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場は、2025年に151億米ドルを占め、予測期間中にCAGR 10％で成長し、2032年には294億米ドルに達する見込みです。

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）は、MOSFETの高入力インピーダンスとバイポーラトランジスタの低飽和電圧を組み合わせた半導体デバイスで、電力スイッチングに高い効率を発揮します。IGBTは、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、モーター駆動装置、産業機器などの用途で使用されています。IGBTは効率的な電力変換を可能にし、高電圧と高電流を処理しながらエネルギー損失を低減します。その設計は、要求の厳しい電子システムにおける小型化、耐久性、信頼性を支えています。

国際エネルギー機関（IEA）によると、電気自動車の生産とEV充電インフラの爆発的な成長が、製造能力の向上と次世代IGBTモジュールの技術革新の主な原動力となっています。

効率的なパワーエレクトロニクスへの需要

IGBT市場は、省エネルギーと高性能変換を可能にする効率的なパワーエレクトロニクスへの需要の高まりによって強く牽引されています。再生可能エネルギー、電気自動車、産業用駆動装置における用途の増加は、信頼性の高いスイッチングデバイスの必要性を強調しています。IGBTは低伝導損失、高電流密度、高耐久性を実現し、最新のパワーアーキテクチャに不可欠です。さらに、世界的な持続可能性へのシフトは、産業界がエネルギー効率の高いソリューションを求める中、採用をさらに後押ししています。この動向は、IGBTを先進電子システムの礎石として確固たるものにしています。

IGBTにおける熱管理の課題

IGBT市場の主な抑制要因は、最適性能を妨げる熱管理の課題に起因します。高いスイッチング損失と伝導損失は熱を発生させ、信頼性のために高度な冷却システムを必要とします。これは、特にEVインバータやグリッドシステムのような高電圧用途において、設計の複雑さとコストを増加させます。熱を効果的に管理できない場合、効率とデバイスの寿命が低下し、普及を妨げる可能性があります。その結果、熱ボトルネックは、エネルギー集約的で高性能な分野でのIGBTの普及を目指すメーカーにとって、依然として根強いハードルとなっています。

産業オートメーションシステムへの統合

産業オートメーションシステムへのIGBTの統合は、市場拡大の重要な機会です。自動製造、ロボット、スマート工場は、モーターや制御システムを正確に駆動するために高効率パワーデバイスに依存しています。IGBTは、生産性を向上させながら運用コストを削減する小型でエネルギー効率の高い設計を可能にします。インダストリー4.0の導入が世界中で加速する中、信頼性の高いパワー半導体の需要が急増しています。この産業変革は、IGBTサプライヤーが市場範囲を拡大し、多様な自動化駆動アプリケーションに参入するための肥沃な土壌を提供します。

ワイドバンドギャップ半導体との競合

IGBT市場は、SiCやGaNのようなワイドバンドギャップ半導体からの顕著な脅威に直面しています。これらの代替半導体は、優れた効率、高速スイッチング、優れた熱性能を提供し、EVや再生可能インバータなどのアプリケーションでIGBTに課題しています。SiCやGaNデバイスのコストが低下するにつれて、エンドユーザーはますますこれらの先端材料にシフトしています。この動向は、高性能セグメントにおけるIGBTの成長を制限する可能性があります。従って、IGBTは依然として重要ですが、ワイドバンドギャップ技術との競合はIGBTの優位性に長期的なリスクをもたらします。

COVID-19の影響

COVID-19パンデミックはサプライチェーンを混乱させ、IGBT市場の生産を停止し出荷を遅らせました。主要なエンドユーザーである自動車および産業部門は一時的に低迷し、需要が減少しました。しかし、EV普及の加速、再生可能エネルギー投資、デジタルトランスフォーメーションイニシアチブに後押しされ、回復は早いものとなりました。パンデミック後、各国政府はグリーンエネルギープロジェクトを重視し、グリッドやモビリティアプリケーションにIGBTの新たな機会を創出しました。全体として、短期的な後退は大きかったものの、パンデミックは回復力がありエネルギー効率に優れたパワーエレクトロニクスソリューションの重要性を浮き彫りにしました。

ディスクリートIGBTセグメントが予測期間中最大となる見込み

ディスクリートIGBTセグメントは、モータドライブ、UPSシステム、再生可能エネルギーインバータで広く使用されているため、予測期間中最大の市場シェアを占めると予想されます。ディスクリートIGBTは、柔軟性、コンパクト設計、コスト優位性を備えており、自動車、家電、産業分野の中電力アプリケーションに適しています。組み込みの容易さと信頼性により、新興市場での継続的な採用が保証されています。その結果、ディスクリートIGBTは、世界のパワーエレクトロニクスの中で支配的な製品タイプであり続けています。

ディスクリートパッケージセグメントは予測期間中最も高いCAGRが見込まれます。

予測期間中、コンパクトで熱効率の高いパワーソリューションに対する需要の高まりにより、ディスクリートパッケージセグメントが最も高い成長率を示すと予測されます。ディスクリートパッケージは、モジュールベースの設計に比べて拡張性が高く、設計統合が容易で、コストの最適化が可能です。車載エレクトロニクス、特にEVインバータや充電システムでの役割拡大が、さらに採用を加速しています。さらに、先進パッケージ技術は信頼性と効率を向上させます。これらの利点を総合すると、ディスクリートパッケージがIGBT市場で最も急成長しているセグメントとなります。

最大シェアの地域

予測期間中、急速な工業化、EV生産の拡大、強力な再生可能エネルギー構想により、アジア太平洋地域が最大の市場シェアを占めると予想されます。中国、日本、韓国のような国々は、パワー半導体の強固な製造エコシステムを持つ主要な採用国です。スマートグリッド、輸送電化、家電製品への大規模な投資は、この地域の需要をさらに増大させています。さらに、低コストの製造能力が世界のサプライヤーを引き付けています。これらのダイナミクスにより、アジア太平洋はIGBTの展開と技術革新の主要拠点となっています。

CAGRが最も高い地域

予測期間中、北米地域が最も高いCAGRを示すと予測されます。これは、EVの普及、再生可能エネルギーの統合、産業オートメーションの加速に起因します。二酸化炭素削減とクリーンエネルギー導入を支援する政府の政策が、先進パワーエレクトロニクスへの投資を活発化させています。特に米国では、自動車電化や送電網近代化プロジェクトでIGBTの需要が高まっています。さらに、技術イノベーターや研究開発センターの存在が、この地域の成長を加速させています。これらの要因が相まって、北米は最も急成長しているIGBT市場となっています。

無料のカスタマイズサービス

本レポートをご購読のお客様には、以下の無料カスタマイズオプションのいずれかをご利用いただけます：

• 企業プロファイル
  • 追加市場プレイヤーの包括的プロファイリング（3社まで）
  • 主要企業のSWOT分析（3社まで）
• 地域セグメンテーション
  • 顧客の関心に応じた主要国の市場推計・予測・CAGR（注：フィージビリティチェックによる）
• 競合ベンチマーキング
  • 製品ポートフォリオ、地理的プレゼンス、戦略的提携に基づく主要企業のベンチマーキング

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 序文

• 概要
• ステークホルダー
• 調査範囲
• 調査手法
  • データマイニング
  • データ分析
  • データ検証
  • 調査アプローチ
• 調査資料
  • 1次調査資料
  • 2次調査情報源
  • 前提条件

第3章 市場動向分析

• 促進要因
• 抑制要因
• 機会
• 脅威
• エンドユーザー分析
• 新興市場
• COVID-19の影響

第4章 ポーターのファイブフォース分析

• 供給企業の交渉力
• 買い手の交渉力
• 代替品の脅威
• 新規参入業者の脅威
• 競争企業間の敵対関係

第5章 世界の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場：タイプ別

• ディスクリートIGBT
• IGBTモジュール
• インテリジェントパワーモジュール（IPM）

第6章 世界の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場：定格電力別

• 低電力IGBT（最大600 V）
• 中出力IGBT（601 V～1.2 kV）
• 高出力IGBT（1.2 kV～3.3 kV）
• 超高出力IGBT（3.3 kV～6.5 kV）

第7章 世界の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場：スイッチング周波数別

• 低周波IGBT（10kHz以下）
• 高周波IGBT（10kHz以上）

第8章 世界の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場：パッケージタイプ別

• ディスクリートパッケージ
• モジュールパッケージ
• デュアルインラインパッケージ（DIP）
• 表面実装パッケージ（SMD）
• プレスパックIGBT

第9章 世界の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場：ウエハーサイズ別

• 6インチウエハー
• 8インチウエハー

第10章 世界の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場：エンドユーザー別

• 自動車・輸送
• エネルギー・公益事業
• 工業製造業
• 家電
• その他

第11章 世界の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場：地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
  • メキシコ
• 欧州
  • ドイツ
  • 英国
  • イタリア
  • フランス
  • スペイン
  • その他欧州
• アジア太平洋
  • 日本
  • 中国
  • インド
  • オーストラリア
  • ニュージーランド
  • 韓国
  • その他アジア太平洋地域
• 南米
  • アルゼンチン
  • ブラジル
  • チリ
  • その他南米
• 中東・アフリカ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • カタール
  • 南アフリカ
  • その他中東・アフリカ

第12章 主な発展

• 契約、パートナーシップ、コラボレーション、ジョイントベンチャー
• 買収と合併
• 新製品発売
• 事業拡大
• その他の主要戦略

第13章 企業プロファイリング

• Infineon Technologies AG
• Mitsubishi Electric Corporation
• Fuji Electric Co., Ltd.
• ON Semiconductor（onsemi）
• STMicroelectronics
• Toshiba Corporation
• Renesas Electronics Corporation
• ROHM Co., Ltd.
• SEMIKRON Danfoss
• ABB Ltd
• Hitachi, Ltd.
• NXP Semiconductors
• Littelfuse, Inc.
• Vishay Intertechnology, Inc.
• ELAN Electronics
• Powerex
• SMIC
• Microsemi