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市場調査レポート
商品コード
1288654
GaNパワーデバイスの世界市場調査レポート:産業分析、規模、シェア、成長、動向、2023年から2030年までの予測Global Power GaN Devices Market Research Report - Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2023 to 2030 |
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カスタマイズ可能
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GaNパワーデバイスの世界市場調査レポート:産業分析、規模、シェア、成長、動向、2023年から2030年までの予測 |
出版日: 2023年06月01日
発行: Value Market Research
ページ情報: 英文 178 Pages
納期: 即日から翌営業日
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GaNパワーデバイス市場の世界需要は、2023-2030年の調査期間中に43.84%のCAGRで、2022年の8,784万米ドルから2030年にはほぼ 23億1,530万米ドルの市場規模に達すると推測されています。
パワーGaN(Gallium Nitride)デバイスは、窒化ガリウム技術を用いて作られた電子部品です。高電圧、高周波、高出力アプリケーションのパワーエレクトロニクス・システムに使用されます。GaNパワーデバイスは、従来のシリコンベースのパワーデバイスに比べて、スイッチング速度の高速化、電力密度の向上、高効率化など、いくつかの利点があります。GaNパワーデバイスは通常、電気自動車、太陽光発電や風力発電システム、電源、データセンターなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。これらのデバイスは、自動車、産業、通信などの分野で見られるような、高効率、高電力密度、高スイッチング速度を必要とするアプリケーションに適しています。GaNパワーデバイスには、GaN HEMT(高電子移動度トランジスタ)、GaNショットキーダイオード、GaNベース集積回路(IC)など、市場で入手できるいくつかのタイプがあります。GaN HEMTは、高電圧、高電力のアプリケーションに対応できるため、パワーエレクトロニクス・システムでよく使用されています。GaNショットキーダイオードは整流回路に使用され、高周波スイッチングアプリケーションを扱うことができ、GaNベースのICは統合パワーエレクトロニクスアプリケーションに使用されています。
再生可能エネルギーシステム、電気自動車、データセンターなど、幅広い用途で電子機器の使用が増え、効率的で信頼性の高い電力変換が必要とされていることから、パワーエレクトロニクスの需要は急速に拡大しています。GaNパワーデバイスは、高効率、高電力密度、高速スイッチングを実現し、パワーエレクトロニクス用途に理想的なデバイスです。GaNパワーデバイスは、従来のシリコンベースのデバイスよりも高い電圧と電流を扱うことができるため、高い電力密度、高周波動作、高いスイッチング速度を必要とする高性能なアプリケーションに最適です。結晶成長、基板品質、デバイス設計の改善など、GaN技術の進歩により、従来のシリコンベースのデバイスよりも優れた効率と信頼性を持つ、より高性能なGaNパワーデバイスが開発されています。再生可能エネルギー源(風力発電や太陽光発電)の需要の高まりにより、これらのエネルギー源から発生するエネルギーを変換・制御する高性能なパワーエレクトロニクスへの需要が高まっています。GaNパワーデバイスは、その高い効率と信頼性により、これらのアプリケーションに適しています。電気自動車への需要の高まりは、電気モーターやバッテリーシステムを制御する高性能パワーエレクトロニクスの必要性を高めています。GaNパワーデバイスは、高効率、高電力密度、高速スイッチングを実現し、電気自動車アプリケーションに理想的です。
この調査レポートは、ポーターのファイブフォースモデル、市場魅力度分析、バリューチェーン分析について解説しています。これらのツールは、業界構造を明確に把握し、世界レベルでの競合の魅力度を評価するのに役立ちます。さらに、これらのツールは、GaNパワーデバイスの世界市場における各セグメントを包括的に評価することもできます。GaNパワーデバイス産業の成長と動向は、本調査に全体的なアプローチを提供します。
本セクションでは、北米、欧州、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東・アフリカにおけるGaNパワーデバイス市場の現在および将来の需要を強調する地域展望をカバーします。さらに、すべての主要地域における個々のアプリケーションセグメントの需要、推定・予測にも焦点をあてています。
また、この調査レポートは、市場の主要企業の包括的なプロファイルと、世界の競合情勢の詳細な見解もカバーしています。このセクションは、主要なM&A、将来の能力、パートナーシップ、財務概要、コラボレーション、新製品開発、新製品発売など、さまざまな戦略的発展を含む競合情勢の全体像で構成されています。
注:企業プロファイルの中で、財務の詳細や最近の開発については、入手可能な情報に基づいており、非公開会社の場合、カバーされていない可能性があります。
Kindly note that the above listed are the basic tables and figures of the report and are not limited to the TOC.
The global demand for Power GaN Devices Market is presumed to reach the market size of nearly USD 2315.3 MN by 2030 from USD 87.84 MN in 2022 with a CAGR of 43.84% under the study period 2023-2030. Regarding volume, the market was calculated XX Million Units in 2022 and forecast to touch XX Million Units by 2030 with a CAGR of XX% during 2023-2030.
Power GaN (Gallium Nitride) devices are electronic components that are made using Gallium Nitride technology. They are used in power electronic systems for high voltage, high frequency and high power applications. Power GaN devices offer several advantages over traditional silicon-based power devices, including higher switching speeds, higher power density, and higher efficiency. Power GaN devices are typically used in a variety of applications, including electric vehicles, solar and wind power systems, power supplies, and data centres. These devices are well-suited for applications that require high efficiency, high power density, and high switching speeds, such as those found in the automotive, industrial, and telecommunications sectors. There are several types of power GaN devices available on the market, including GaN HEMTs (High Electron Mobility Transistors), GaN Schottky diodes, and GaN-based integrated circuits (ICs). GaN HEMTs are commonly used in power electronic systems due to their ability to handle high voltage and high power applications. GaN Schottky diodes are used in rectifier circuits and can handle high-frequency switching applications, while GaN-based ICs are used in integrated power electronics applications.
The demand for power electronics is growing rapidly owing to the increasing use of electronic devices and the need for efficient and reliable power conversion in a wide range of applications, including renewable energy systems, electric vehicles, and data centres. Power GaN devices offer high efficiency, high power density, and high switching speeds, making them ideal for power electronics applications. Power GaN devices are capable of handling higher voltages and currents than traditional silicon-based devices, making them ideal for high-performance applications that require high power density, high-frequency operation, and high switching speeds. Advances in GaN technology, including improvements in crystal growth, substrate quality, and device design, have led to the development of higher-performance power GaN devices that offer better efficiency and reliability than traditional silicon-based devices. The growing demand for renewable energy sources (wind and solar power) is driving the demand for high-performance power electronics to convert and control the energy generated by these sources. Power GaN devices are well-suited for these applications due to their high efficiency and reliability. The increasing demand for electric vehicles is driving the need for high-performance power electronics to control electric motor and battery systems. Power GaN devices offer high efficiency, high power density, and high switching speeds, making them ideal for electric vehicle applications.
The research report covers Porter's Five Forces Model, Market Attractiveness Analysis, and Value Chain analysis. These tools help to get a clear picture of the industry's structure and evaluate the competition attractiveness at a global level. Additionally, these tools also give an inclusive assessment of each segment in the global market of power gan devices. The growth and trends of power gan devices industry provide a holistic approach to this study.
This section of the power gan devices market report provides detailed data on the segments at country and regional level, thereby assisting the strategist in identifying the target demographics for the respective product or services with the upcoming opportunities.
This section covers the regional outlook, which accentuates current and future demand for the Power GaN Devices market across North America, Europe, Asia-Pacific, Latin America, and Middle East & Africa. Further, the report focuses on demand, estimation, and forecast for individual application segments across all the prominent regions.
The research report also covers the comprehensive profiles of the key players in the market and an in-depth view of the competitive landscape worldwide. The major players in the power gan devices market include Efficient Power Conversion Corporation Inc., Fujitsu limited, GaN Power Inc., GaN Systems, Infineon Technologies, Navitas Semiconductor, NexGen Power Systems, On Semiconductors, Panasonic Corporation, Power Integrations Inc., ROHM CO. LTD., SOITEC, Texas Instruments Incorporated, Transphorm Inc., VisIC Technologies. This section consists of a holistic view of the competitive landscape that includes various strategic developments such as key mergers & acquisitions, future capacities, partnerships, financial overviews, collaborations, new product developments, new product launches, and other developments.
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