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市場調査レポート
商品コード
1938914

3D NANDメモリ市場- 世界の産業規模、シェア、動向、機会、予測：タイプ別、用途別、エンドユーザー別、地域別＆競合、2021年～2031年

3D Nand Memory Market - Global Industry Size, Share, Trends, Opportunity, and Forecast, Segmented By Type, By Application, By End User, By Region & Competition, 2021-2031F

出版日
ページ情報
英文 185 Pages
納期
2～3営業日
カスタマイズ可能
3D NANDメモリ市場- 世界の産業規模、シェア、動向、機会、予測：タイプ別、用途別、エンドユーザー別、地域別＆競合、2021年～2031年
出版日: 2026年01月19日
発行: TechSci Research
ページ情報: 英文 185 Pages
納期: 2～3営業日
GIIご利用のメリット

  • 概要

世界の3D NANDメモリ市場は、2025年の237億3,000万米ドルから2031年までに408億2,000万米ドルへ拡大し、CAGR 9.46％を記録すると予測されております。この不揮発性ストレージ技術は、メモリセルを垂直に積層することで、従来の平面構造を超える密度と性能レベルを実現しております。この市場動向は主に、企業データセンターにおけるデータ生成の爆発的増加と人工知能ワークロードの急速な普及によって支えられており、いずれも大容量かつ低遅延のストレージを必要とします。さらに、5Gスマートフォンの普及と高度な自動車システムの導入により、より高密度なストレージソリューションが求められており、特定の技術構成に関わらず需要をさらに加速させています。

市場概要
予測期間 2027-2031
市場規模：2025年 237億3,000万米ドル
市場規模：2031年 408億2,000万米ドル
CAGR：2026年～2031年 9.46％
最も成長が速いセグメント シングルレベルセル
最大の市場 アジア太平洋地域

しかしながら、層数の多いデバイスの製造に伴う技術的複雑性と資本集約性の高まりにより、市場は大きな障壁に直面しております。メーカーがビット密度向上のために垂直積層の増加を目指す中、先進的な製造装置や歩留まり管理に関連するコストは大幅に増加しております。こうした生産上の課題を克服するために必要な投資規模を強調し、SEMIは2025年に世界のNAND製造装置市場が42.5％成長すると予測しております。

市場促進要因

データセンターおよびハイパースケールクラウドストレージに対する需要の急増が、市場成長の中心的な触媒として作用しています。クラウドサービスプロバイダーや企業が人工知能（AI）および機械学習（ML）機能を急速に拡大する中、迅速なデータアクセスを可能にする高性能ストレージへの需要が高まっています。この動きは、複雑なモデルのトレーニングに必要なスループットとレイテンシを提供する高密度エンタープライズ向けソリッドステートドライブ（SSD）への移行を加速させています。この計算負荷の高いタスク向け堅牢なフラッシュベースアーキテクチャへの移行を示す事例として、マイクロン・テクノロジー社は2024年9月の2024年度第4四半期決算発表において、データセンター向けSSDの収益が前年比300％以上増加したと報告しております。

同時に、多層積層技術の進歩がストレージ密度を向上させ、市場動向を形成しています。メーカー各社はメモリセルの垂直積層数を200層、300層を超える水準へと着実に増加させており、この進展によりビット密度が大幅に向上すると同時にチップの物理的サイズが最小化されています。この進化により、限られたフォームファクター内で高容量ソリューションを実現可能となり、モバイルデバイスと高密度サーバー環境の双方にとって極めて重要です。例えば、サムスン電子は2024年4月、第9世代V-NANDが前世代比で約50％のビット密度向上を実現し、生産効率の改善につながったと発表しました。こうした容量と性能の向上を背景に、世界半導体貿易統計（WSTS）は2024年のメモリ集積回路市場が76.8％の成長率で力強い回復を見せると予測しています。

市場の課題

世界の3D NANDメモリ市場は、高層デバイス製造に必要な技術的複雑性と資本集約性の高まりにより、大きな逆風に見舞われています。メーカーがメモリセルの垂直積層を増やし密度向上を図るにつれ、製造プロセスでは高アスペクト比エッチングや堆積技術といった精密さがますます求められます。こうした高度な工程には、専門性の高い高価な半導体製造装置の導入が不可欠であり、ウエハー単価を大幅に押し上げています。その結果、この財政的負担がメーカーを制約し、生産能力拡大には慎重な姿勢を迫るとともに、次世代技術の導入を遅らせることになります。

こうしたコスト上昇の直接的な結果として、業界の需要への迅速な対応能力が制約されます。なぜなら、必要な投資水準を維持できるのは、最も財務基盤が堅固な企業のみとなるからです。この財務的負担の規模は甚大であり、SEMIは2024年に、3D NAND向け設備投資が2025年から3年間で450億米ドルに達すると予測しています。この膨大な資本要件は参入・拡大の障壁となり、現代アプリケーションのストレージ需要が継続的に増加する中でも、供給拡大を事実上抑制しています。

市場動向

市場は現在、クライアント向けおよびデータセンター向けの両方で、ストレージ密度を最適化しつつビット単価を削減するという目的のもと、クワッドレベルセル（QLC）アーキテクチャへの大きな構造的転換を遂げています。従来はトリプルレベルセル（TLC）フラッシュが主流でしたが、1セルあたり4ビットを保存するQLC技術は、高い書き込み耐久性がそれほど重要ではないAI推論やウォームデータストレージのような読み込み中心のワークロードにおいて、急速に好まれるようになっています。この移行により、メーカーはシリコン面積を比例的に拡大することなく、大幅に高容量のSSDを製造することが可能となります。この動向を裏付けるように、ウェスタンデジタルは2024年7月に発表した2024年度第4四半期および通期決算において、QLCベースのクライアント向けSSDが前四半期比でエクサバイトベースで50％増加したと報告しています。

同時に、高速PCIe Gen 5.0インターフェースの採用は、ホストプロセッサとメモリアレイ間のボトルネック解消に向け、性能基準を再定義しています。3D NANDの内部速度が層数の増加と共に上昇する中、旧式の接続規格はスループットを制限します。PCIe 5.0は利用可能な帯域幅を倍増させることでこの課題を解決し、AI処理のために大規模言語モデル（LLM）をDRAMにロードする際に不可欠な性能を実現します。このインターフェースの進化により、先進的なNANDリソグラフィ技術による速度向上がシステムレベル性能で完全に発揮されます。この能力を実証するため、サムスン電子は2024年10月、新製品PM9E1ドライブがこのインターフェースを活用し、最大14.5ギガバイト/秒の連続読み取り速度を達成したことを発表しました。これにより前世代比で実質的に性能が倍増しています。

よくあるご質問

  • 世界の3D NANDメモリ市場の市場規模はどのように予測されていますか？
  • 3D NANDメモリ市場の最も成長が速いセグメントは何ですか？
  • 3D NANDメモリ市場で最大の市場はどこですか？
  • 3D NANDメモリ市場の成長を促進する要因は何ですか？
  • 3D NANDメモリ市場の課題は何ですか？
  • 3D NANDメモリ市場の動向はどのようなものですか？
  • 3D NANDメモリ市場における主要企業はどこですか？

目次

第1章 概要

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 顧客の声

第5章 世界の3D NANDメモリ市場展望

  • 市場規模・予測
    • 金額別
  • 市場シェア・予測
    • 種類別（シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセル）
    • 用途別（カメラ、ノートパソコン・PC、スマートフォン・タブレット、その他）
    • エンドユーザー別（自動車、民生用電子機器、企業向け、医療、その他）
    • 地域別
    • 企業別（2025）
  • 市場マップ

第6章 北米の3D NANDメモリ市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 北米：国別分析
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ

第7章 欧州の3D NANDメモリ市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 欧州：国別分析
    • ドイツ
    • フランス
    • 英国
    • イタリア
    • スペイン

第8章 アジア太平洋地域の3D NANDメモリ市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • アジア太平洋地域：国別分析
    • 中国
    • インド
    • 日本
    • 韓国
    • オーストラリア

第9章 中東・アフリカの3D NANDメモリ市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 中東・アフリカ：国別分析
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • 南アフリカ

第10章 南米の3D NANDメモリ市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 南米：国別分析
    • ブラジル
    • コロンビア
    • アルゼンチン

第11章 市場力学

  • 促進要因
  • 課題

第12章 市場動向と発展

  • 合併と買収
  • 製品上市
  • 最近の動向

第13章 世界の3D NANDメモリ市場：SWOT分析

第14章 ポーターのファイブフォース分析

  • 業界内の競合
  • 新規参入の可能性
  • サプライヤーの力
  • 顧客の力
  • 代替品の脅威

第15章 競合情勢

  • Samsung Electronics Co., Ltd.
  • SK Hynix Inc.
  • Micron Technology, Inc.
  • Western Digital Corporation
  • Toshiba Memory Corporation
  • Intel Corporation
  • Sandisk LLC
  • S.Korea-based XPoint Technology Corp.
  • Kioxia Corporation
  • Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.

第16章 戦略的提言

第17章 調査会社について・免責事項