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市場調査レポート
商品コード
1921293
3D NANDフラッシュメモリの世界市場レポート20263D NAND Flash Memory Global Market Report 2026 |
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カスタマイズ可能
適宜更新あり
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| 3D NANDフラッシュメモリの世界市場レポート2026 |
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出版日: 2026年01月22日
発行: The Business Research Company
ページ情報: 英文 250 Pages
納期: 2～10営業日
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概要
3D NANDフラッシュメモリ市場の規模は、近年急激に拡大しております。2025年の276億1,000万米ドルから、2026年には349億米ドルへと、CAGR26.4％で成長が見込まれております。これまでの成長は、従来の2D NAND製造技術の進展、基本コンピューティングデバイスにおけるメモリへの依存度の高まり、民生用電子機器のストレージ需要拡大、企業向けデータストレージ要件の増加、初期の多層セル構造の開発などが要因とされています。
3D NANDフラッシュメモリ市場規模は今後数年間で急激な成長が見込まれます。2030年には884億8,000万米ドルに達し、CAGRは26.2％となる見込みです。予測期間における成長要因としては、高性能コンピューティング需要の増加、データセンターおよびクラウドアプリケーションの拡大、モバイルデバイスにおけるストレージ需要の増大、省エネルギー型メモリソリューションの開発、先進的な多層NAND技術の採用拡大が挙げられます。予測期間の主な動向には、AI最適化メモリ管理の採用、高密度ストレージアーキテクチャの進化、IoT駆動型データ処理の統合、自動化半導体製造の拡大、インテリジェントフラッシュ最適化アルゴリズムの開発が含まれます。
データセンター需要の拡大が、3D NANDフラッシュメモリ市場の成長を牽引すると予測されます。データセンターとは、企業がミッションクリティカルなアプリケーションやデータを保管する物理的施設です。その設計は、共有アプリケーションやデータ提供を可能にするコンピューター・ストレージリソースのネットワークを中心に構成され、冗長化された容量を持つコンポーネントと単一で非冗長な分散経路を備えています。例えば、2024年9月に米国政府機関である国家電気通信情報局（NTIA）が発表したところによりますと、米国には約5,000のデータセンターが存在し、2030年まで国内の需要は年間約9％の成長が見込まれております。したがって、データセンター需要の増加が3D NANDフラッシュメモリ市場の成長を促進すると予想されます。
3D NANDフラッシュメモリ市場の主要企業は、より大きな記憶容量、高速化、およびエネルギー効率の向上を実現する次世代3Dフラッシュメモリを含む、革新的な製品の開発に注力しております。次世代3Dフラッシュメモリは、メモリセルを垂直方向に積層することで、コンパクトな設計を維持しながら、記憶容量の増大、データ転送速度の向上、耐久性の強化を実現した先進的なフラッシュストレージ技術です。例えば、2023年11月には、日本を拠点とする世界最大のNANDフラッシュメモリメーカーであるキオクシア株式会社が、BiCS FLASH 3Dフラッシュメモリを発表しました。キオクシアのBiCS FLASH 3Dフラッシュメモリは、最大218層の高密度NAND技術を採用し、優れた性能、エネルギー効率、大容量を実現しています。データセンター、モバイルデバイス、大容量ストレージソリューションの要件を満たすよう特別に設計されています。
よくあるご質問
目次
第1章 エグゼクティブサマリー
第2章 市場の特徴
- 市場定義と範囲
- 市場セグメンテーション
- 主要製品・サービスの概要
- 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場：魅力度スコアと分析
- 成長可能性分析、競合評価、戦略適合性評価、リスクプロファイル評価
第3章 市場サプライチェーン分析
- サプライチェーンとエコシステムの概要
- 一覧：主要原材料・資源・供給業者
- 一覧：主要な流通業者、チャネルパートナー
- 一覧：主要エンドユーザー
第4章 世界の市場動向と戦略
- 主要技術と将来動向
- デジタル化、クラウド、ビッグデータ及びサイバーセキュリティ
- 人工知能と自律知能
- インダストリー4.0とインテリジェント製造
- モノのインターネット（IoT）、スマートインフラストラクチャ、および接続されたエコシステム
- 自律システム、ロボティクス、スマートモビリティ
- 主要動向
- AI最適化メモリ管理の導入
- 高密度ストレージアーキテクチャの進展
- IoT駆動型データ処理の統合
- 自動化された半導体製造の拡大
- インテリジェントなフラッシュ最適化アルゴリズムの開発
第5章 最終用途産業の市場分析
- 民生用電子機器
- 自動車
- 企業向け
- ヘルスケア
- 産業
第6章 市場：金利、インフレ、地政学、貿易戦争と関税の影響、関税戦争と貿易保護主義によるサプライチェーンへの影響、コロナ禍が市場に与える影響を含むマクロ経済シナリオ
第7章 世界の戦略分析フレームワーク、現在の市場規模、市場比較および成長率分析
- 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場：PESTEL分析（政治、社会、技術、環境、法的要因、促進要因と抑制要因）
- 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場規模、比較、成長率分析
- 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場の実績：規模と成長, 2020-2025
- 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場の予測：規模と成長, 2025-2030, 2035F
第8章 市場における世界の総潜在市場規模（TAM）
第9章 市場セグメンテーション
- タイプ別
- シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセル、クワッドレベルセル（QLC）
- 用途別
- カメラ、ノートパソコンおよびPC、スマートフォンおよびタブレット、その他のアプリケーション
- エンドユーザー別
- 自動車、民生用電子機器、企業向け、医療、その他のエンドユーザー
- シングルレベルセルのサブセグメンテーション、タイプ別
- 高性能、低密度
- マルチレベルセルのサブセグメンテーション、タイプ別
- 標準MLC、強化型MLC
- トリプルレベルセルのサブセグメンテーション、タイプ別
- 標準TLC、強化TLC
- クワッドレベルセルのサブセグメンテーション、タイプ別
- 標準QLC、強化QLC
第10章 地域別・国別分析
- 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場：地域別、実績と予測, 2020-2025, 2025-2030F, 2035F
- 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場：国別、実績と予測, 2020-2025, 2025-2030F, 2035F
第11章 アジア太平洋市場
第12章 中国市場
第13章 インド市場
第14章 日本市場
第15章 オーストラリア市場
第16章 インドネシア市場
第17章 韓国市場
第18章 台湾市場
第19章 東南アジア市場
第20章 西欧市場
第21章 英国市場
第22章 ドイツ市場
第23章 フランス市場
第24章 イタリア市場
第25章 スペイン市場
第26章 東欧市場
第27章 ロシア市場
第28章 北米市場
第29章 米国市場
第30章 カナダ市場
第31章 南米市場
第32章 ブラジル市場
第33章 中東市場
第34章 アフリカ市場
第35章 市場規制状況と投資環境
第36章 競合情勢と企業プロファイル
- 3D NANDフラッシュメモリ市場：競合情勢と市場シェア、2024年
- 3D NANDフラッシュメモリ市場：企業評価マトリクス
- 3D NANDフラッシュメモリ市場：企業プロファイル
- Samsung Electronics
- KIOXIA Corporation
- Micron Technology
- SK Hynix
- Yangtze Memory Technologies
第37章 その他の大手企業と革新的企業
- Western Digital, Powerchip Technology, Toshiba Corporation, Macronix, Kingston Technology, Transcend Information, ADATA Technology Co. Ltd., Supermicro, Seagate Technology, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, Amkor Technology, ASE Technology, United Microelectronics Corporation, Infineon Technologies AG, Qualcomm Technologies
第38章 世界の市場競合ベンチマーキングとダッシュボード
第39章 主要な合併と買収
第40章 市場の潜在力が高い国、セグメント、戦略
- 3D NANDフラッシュメモリ市場2030：新たな機会を提供する国
- 3D NANDフラッシュメモリ市場2030：新たな機会を提供するセグメント
- 3D NANDフラッシュメモリ市場2030：成長戦略
- 市場動向に基づく戦略
- 競合の戦略
