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市場調査レポート
商品コード
1519964
3D NANDフラッシュメモリの世界市場:2024-2031年Global 3D NAND Flash Memory Market 2024-2031 |
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カスタマイズ可能
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3D NANDフラッシュメモリの世界市場:2024-2031年 |
出版日: 2024年07月01日
発行: Orion Market Research
ページ情報: 英文 150 Pages
納期: 2~3営業日
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3D NANDフラッシュメモリ市場は、予測期間(2024-2031)中にCAGR 19.4%で大きく成長すると予測されます。3D NANDはセルを垂直に積み重ねることでより多くのメモリを詰め込み、スマートフォンやノートパソコンなどのデバイスの記憶容量と効率を高める。旧来の技術に比べ、より大容量です。また、消費電力が低く、耐久性に優れており、将来のデータストレージの進歩に道を開く。市場成長の原動力となっているのは、世界のデジタル化の進展と、データストレージに対する需要の高まりです。また、製造設備への投資が増加していることも、市場成長にプラスに寄与しています。さらに、人工知能(AI)や機械学習(ML)技術の採用に起因する大規模なデータ処理の需要が高まるにつれて、3D NANDフラッシュメモリストレージの需要は進化し続けると思われます。
市場力学
3D NANDフラッシュメモリ:デジタル時代のデータ洪水へのソリューション
今日のデジタル環境におけるデータ生成の急激な増加が、3D NANDフラッシュメモリ市場を牽引しています。この急増は、スマートフォンの高解像度カメラ、ラップトップPCのアプリケーションやマルチメディアファイルサイズの大型化、データセンターのデータセットの拡大など、さまざまな原因から生じています。例えば、グーグルは2024年1月、技術インフラを強化しイノベーションをサポートするため、ハートフォードシャー州ウォルサムクロスにある英国の新しいデータセンターに10億米ドルを投資しました。この33エーカーの敷地は、コンピューティング能力を強化し、英国および世界各地の企業やGoogle Cloudの顧客に利益をもたらします。3D NANDフラッシュメモリは、同じ設置面積でストレージ密度を大幅に向上させ、スマートフォンやノートパソコンなどのデバイスが、サイズを犠牲にすることなく、より多くのデータを保存できるようにします。データセンターは、容量強化の恩恵を受け、膨大なデータセットを効率的に管理し、クラウドコンピューティングやビッグデータ解析をサポートします。
3D NANDフラッシュメモリの性能と効率の向上
3D NANDフラッシュメモリは、パフォーマンスと効率を大幅に向上させます。読み書きの高速化はスムーズなユーザー体験につながり、低消費電力はモバイル機器のバッテリー寿命を延ばし、データセンターのエネルギーコストを削減します。さらに、耐久性の向上はストレージソリューションの長寿命化につながり、ユーザーとメーカーの双方にメリットをもたらします。全体として、3D NANDの優れた性能と効率は、ユーザー体験と運用効率の向上に貢献しています。
市場セグメンテーション
トリプルレベルセルが最も高い成長率を予想
トリプルレベルセル(TLC)は、その費用対効果の高さから、3D NANDフラッシュメモリ市場で最も急成長しているセグメントとして浮上しています。例えば、2022年11月、サムスン電子は1テラビット(Tb)のトリプルレベルセル(TLC)第8世代垂直NAND(V-NAND)の量産開始を発表しました。このV-NANDは、業界で最も高いビット密度と記憶容量を持ち、次世代エンタープライズサーバーシステムにおいて、世界的により大きな記憶容量を提供します。シングルレベルセル(SLC)やマルチレベルセル(MLC)と比較して、セルあたりのストレージ容量が最も大きいTLCテクノロジーは、消費者とメーカーの両方に大きなコストメリットを提供します。予算重視のユーザーは、スマートフォンやノートパソコンなど手頃な価格の大容量デバイスから恩恵を受け、メーカーはより幅広い市場に対応する競争力のあるストレージソリューションを製造できます。この経済的優位性は、データストレージに対する需要の増加と相まって、TLCを市場成長の最前線に位置付けています。
スマートフォンとタブレットが最大市場シェアを占める
3D NANDフラッシュメモリ市場は、スマートフォン・タブレット市場が最も急成長するサブセグメントとして浮上すると予想されます。スマートフォンやタブレットの世界の人気は、機能性の向上や、様々な活動においてこれらのデバイスへの依存度が高まっていることに後押しされ、上昇を続けています。例えば、2023年6月、マイクロンテクノロジー社は、高度な232層3D NAND技術を活用したUFS 4.0モバイルソリューションを発表しました。このデバイスは、最大1TBの容量、フラッグシップスマートフォン向けの比類ないパフォーマンス、最大4300Mbpsおよび4000Mbpsのシーケンシャルリードおよびライト速度を提供します。このソリューションは、アプリの起動や動画のダウンロードを高速化し、電力効率を改善することで、ユーザー体験を向上させるもので、2023年後半に量産を開始する予定です。さらに、高解像度の写真や動画を撮影する動向は、ストレージ容量の拡大に対する絶え間ない需要を生み出しています。従来のソリューションでは、マルチメディアファイルのサイズの増大に対応するのに苦労しています。しかし、優れたストレージ密度を持つ3D NANDフラッシュメモリは、完璧なソリューションを提供します。
世界の3D NANDフラッシュメモリは、北米(米国、カナダ)、欧州(英国、イタリア、スペイン、ドイツ、フランス、その他欧州地域)、アジア太平洋地域(インド、中国、日本、韓国、その他アジア太平洋地域)、世界のその他の地域(中東とアフリカ、ラテンアメリカ)を含む、地域別にさらにセグメント化されています。
アジア太平洋地域が最大の市場シェアを占め、今後も成長が見込まれる
3D NANDフラッシュメモリ市場は地理的なパワーシフトを経験しており、アジア太平洋地域がリーダーとして台頭しています。この地域の市場成長の背景には、急速な経済成長がIT支出の増加につながり、企業や政府がデータストレージソリューションに多額の投資を行っていることがあります。例えば、インドは138のデータセンターを擁し、世界第13位のデータセンター市場となっています。2025年末までにさらに45のデータセンターが建設され、総面積は1,300万平方フィート、容量は1,015MWに達します。2021年、インドのデータセンター産業は44億米ドルと評価され、2027年には132.0%成長し101億米ドルになると予想されています。3D NANDフラッシュメモリの優れた密度と効率性は、こうした需要の高まりに理想的な選択肢となります。さらに、アジア太平洋全域の政府イニシアティブは、デジタルトランスフォーメーションを積極的に推進しています。こうした取り組みには、クラウドコンピューティングや仮想化技術への多額の投資が含まれることが多く、いずれも3D NANDのような大容量ストレージソリューションに大きく依存しています。最後に、アジア太平洋地域がスマートフォンや電子機器製造の主要拠点であることが、3D NANDフラッシュメモリ市場における優位性をさらに強めています。これらのデバイスはストレージとして3D NANDに大きく依存しているため、この地域の製造強度は地域市場の成長を促進し、最大のシェアにも寄与しています。
世界の3D NANDフラッシュメモリ市場に参入している主要企業には、HP Inc.、Intel Corporation、Samsung Electronics Co.市場競争力を維持するため、各社は提携、M&A、製品投入などの戦略を適用し、事業拡大や製品開拓にますます力を注いでいます。例えば、サムスン電子は2024年4月に、生産効率を高めるためにストリング積層技術を用いた290層の第9世代V-NANDを発表する予定です。300層以上が期待されているにもかかわらず、サムスンは歩留まりの最適化を目指しています。2025年には430層の第10世代V-NANDを計画しています。SKハイニックスやYMTCなどの競合他社も、より高い層数で開発を進めています。
Global 3D NAND Flash Memory Market Size, Share & Trends Analysis Report by Type (Single-level Cell, Multi-level Cell, and Triple-level Cell), by Application (Camera, Laptops and PCs, Smartphones & Tablets, and Others), and by End User (Automotive, Consumer Electronics, Enterprise, Healthcare, and Others) Forecast Period (2024-2031)
3D NAND flash memory market is anticipated to grow at a significant CAGR of 19.4% during the forecast period (2024-2031). 3D NAND crams more memory by stacking cells vertically, boosting storage capacity and efficiency in devices such as smartphones and laptops. It has higher capacity, compared to older tech. It also features lower power usage, and better durability, paving the way for future advancements in data storage. The market growth is driven by the rising digitization globally, and the increasing demand for data storage. The growing investments in fabrication facilities are also contributing positively towards market growth. Further, as the demand for massive data processing rises, attributed to the adoption of Artificial Intelligence (AI) and Machine Learning (ML) technologies, the demand for 3D NAND flash memory storage will continue to evolve.
Market Dynamics
3D NAND Flash Memory: A Solution to the Data Deluge of the Digital Age
The exponential growth of data generation in today's digital landscape drives the 3D NAND flash memory market. This surge arises from various sources, including high-resolution cameras in smartphones, larger applications, and multimedia file sizes on laptops, and expanding datasets in data centers. For instance, in January 2024, Google invested $1.0 billion in a new UK data center in Waltham Cross, Hertfordshire, to bolster technical infrastructure and support innovation. The 33-acre site will enhance computing capacity, benefiting businesses and Google Cloud customers across the UK and globally. 3D NAND flash memory significantly boosts storage density within the same footprint, enabling devices such as smartphones and laptops to store more data without sacrificing size. Data centers benefit from enhanced capacity, efficiently managing massive datasets to support cloud computing and big data analytics.
Enhanced Performance and Efficiency of 3D NAND Flash Memory
3D NAND flash memory offers significant performance and efficiency enhancements. Faster read and write speeds lead to smoother user experiences, while lower power consumption extends battery life for mobile devices and reduces energy costs for data centers. Moreover, increased endurance results in longer-lasting storage solutions, benefiting both users and manufacturers. Overall, the superior performance and efficiency of 3D NAND contribute to improved user experiences and operational efficiency.
Market Segmentation
The triple-level cell is anticipated to grow at the highest rate
Triple-Level Cell (TLC) emerges as the fastest-growing segment in the 3D NAND flash memory market due to its cost-effectiveness. For instance, in November 2022, Samsung Electronics announced the commencement of mass production for a 1-terabit (Tb) triple-level cell (TLC) eighth-generation Vertical NAND (V-NAND). This V-NAND has the highest bit density and storage capacity in the industry, facilitating larger storage space in next-generation enterprise server systems globally. Offering the highest storage capacity per cell compared to Single-Level Cell (SLC) and Multi-Level Cell (MLC), TLC technology provides a significant cost advantage for both consumers and manufacturers. Budget-conscious users benefit from affordable high-capacity devices such as smartphones and laptops, while manufacturers can produce competitive storage solutions catering to a broader market. This economic advantage, coupled with increasing demand for data storage, positions TLC at the forefront of market growth.
Smartphones & tablets segment to hold the largest market share
The 3D NAND flash memory market is anticipated to witness the smartphones & tablets segment emerge as its fastest-growing subsegment. The global popularity of smartphones and tablets continues to rise, fueled by advancements in functionality and our increasing reliance on these devices for various activities. For instance, in June 2023, Micron Technology, Inc. introduced its UFS 4.0 mobile solution, leveraging advanced 232-layer 3D NAND technology. The device offers capacities of up to 1TB, unparalleled performance for flagship smartphones, sequential read and write speeds of up to 4300 and 4000 Mbps, respectively. The solution enhances user experience with faster app launches, video downloads, and improved power efficiency, set for high-volume production in late 2023. Additionally, the trend toward capturing high-resolution photos and videos creates a constant demand for expanding storage capacities. Traditional solutions struggle to keep pace with the growing size of multimedia files. However, 3D NAND flash memory, with its superior storage density, offers a perfect solution.
The global 3D NAND flash memory is further segmented based on geography including North America (the US, and Canada), Europe (the UK, Italy, Spain, Germany, France, and the Rest of Europe), Asia-Pacific (India, China, Japan, South Korea, and Rest of Asia-Pacific), and the Rest of the World (the Middle East & Africa, and Latin America).
Asia Pacific holds the largest market share and is anticipated to grow in the future
The 3D NAND flash memory market is experiencing a geographical power shift, with Asia Pacific emerging as the leader. The regional market growth is attributed to the rapid economic growth that translates to increased IT spending, with businesses and governments investing heavily in data storage solutions. For instance, India ranks as the 13th largest data center market globally, with 138 data centers. By the end of 2025, an additional 45 data centers will be constructed, encompassing a total area of 13 million square feet with a capacity of 1,015 MW. In 2021, India's data center industry was valued at $ 4.4 billion, expecting a 132.0% growth to $ 10.1 billion by 2027. 3D NAND flash memory's superior density and efficiency make it the ideal choice for these growing demands. Additionally, government initiatives across the Asia Pacific actively promote digital transformation. These initiatives often involve significant investments in cloud computing and virtualization technologies, both heavily reliant on high-capacity storage solutions such as 3D NAND. Finally, Asia Pacific's position as a major hub for smartphone and electronics manufacturing further strengthens its dominance in the 3D NAND flash memory market. Since these devices rely heavily on 3D NAND for storage, the region's manufacturing strength fuels the regional market growth, also attributing to its largest share.
The major companies serving the global 3D NAND Flash Memory market include HP Inc., Intel Corporation, Samsung Electronics Co., Ltd., SK Hynix Semiconductor, Inc., and Toshiba Corporation, among others. The market players are increasingly focusing on business expansion and product development by applying strategies such as collaborations, mergers and acquisitions, product launches, to stay competitive in the market. For instance, in April 2024, Samsung Electronics plans to launch its 9th generation V-NAND with 290 layers, using a string stacking technique to enhance production efficiency. Despite expectations for over 300 layers, Samsung aims to optimize yields. Plans include a 430-layer 10th generation V-NAND in 2025. Competitors such as SK Hynix and YMTC are also advancing with higher layer counts.