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市場調査レポート
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1625296

3D NANDフラッシュメモリ市場の2030年までの予測： タイプ別、フォームファクター別、メモリ密度別、用途別、エンドユーザー別、地域別の世界分析

3D Nand Flash Memory Market Forecasts to 2030 - Global Analysis By Type (Single-Level Cell, Multi-Level Cell, Triple-Level Cell and Quad-Level Cell), Form Factor, Memory Density, Application, End User and By Geography

出版日
ページ情報
英文 200+ Pages
納期
2～3営業日
カスタマイズ可能
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価格表記: USDを日本円(税抜)に換算
本日の銀行送金レート: 1USD=143.57円
3D NANDフラッシュメモリ市場の2030年までの予測： タイプ別、フォームファクター別、メモリ密度別、用途別、エンドユーザー別、地域別の世界分析
出版日: 2025年01月01日
発行: Stratistics Market Research Consulting
ページ情報: 英文 200+ Pages
納期: 2～3営業日
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  • 概要
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  • 目次
概要

Stratistics MRCによると、世界の3D NANDフラッシュメモリ市場は2024年に222億米ドルを占め、予測期間中のCAGRは17%で2030年には570億米ドルに達すると予測されています。

3D NANDフラッシュメモリは、メモリセルの3Dアレイにデータを保存する不揮発性ストレージ技術であり、従来の2D NANDに比べてストレージ密度が高く、性能が向上しています。この技術はメモリセルを垂直方向に多層に積み重ねるため、表面積を増やすことなく記憶容量を増やすことができます。ソリッド・ステート・ドライブ、メモリーカード、スマートフォン、データセンターなどのアプリケーションで広く使用されています。3D NANDは、旧来のNAND技術に比べ、データアクセス速度が速く、消費電力が低く、耐久性が高いです。

エリクソンのモビリティレポートによると、北米地域では2024年末までに5G契約がモバイル契約の55%を占めると予想されています。

ストレージ容量への需要の高まり

3D NANDフラッシュメモリは、従来の2D NAND技術の物理的制約に対する解決策を提供するもので、シリコンウエハー上の水平方向のスペース制約による限界があります。メモリセルを垂直に積み重ねることで、3D NANDは所与の領域におけるデータの記憶容量を増加させる。SSD、スマートフォン、ラップトップなどの大容量デバイスの需要が高まるにつれ、3D NANDはメーカーがより大容量のストレージソリューションを製造するための実行可能なソリューションを提供し、市場の成長を後押ししています。

信頼性と耐久性への懸念

3D NANDフラッシュメモリは、プログラム/消去サイクルで測定される有限の寿命を持っています。2D NANDよりも耐久性が向上しているにもかかわらず、メモリセルの積層が増加するため、セルは時間の経過とともに劣化し続けます。この寿命の低下は、データの信頼性と耐久性が重要な高性能サーバー、データセンター、自動車システムなどのアプリケーションにとって懸念事項です。さらに、早期摩耗はデータの破損や損失につながる可能性があり、こうした分野での技術の魅力が損なわれ、市場の妨げとなっています。

従来のハードディスクドライブ（HDD）からソリッドステートドライブ（SSD）へのシフトの増加

SSDは、3D NAND技術により、HDDよりも高速な読み取り/書き込み速度を提供します。この技術は待ち時間を短縮し、より小さな領域に多くのデータを保存することで、データ転送速度を向上させる。ゲーム、映像制作、AI、ビッグデータ分析などのアプリケーションでは、より高速なストレージが求められるため、3D NANDは高性能SSDにとって極めて重要です。SSDには可動部品がないため、物理的な損傷を受けにくく、耐久性にも優れています。企業や消費者が信頼性を優先するにつれ、SSDがますます好まれるようになり、3D NANDベースのストレージソリューションの需要が高まっています。

代替技術との競合

インテルとマイクロンが開発した不揮発性メモリ技術である3D XPointは、3D NANDに代わる潜在的な技術であり、より高い性能、より低いレイテンシ、より高い耐久性を提供します。高性能ストレージ・アプリケーションにおいて、3D NANDの強力な競争相手となると見られています。まだ採用の初期段階だが、3D XPointの速度と耐久性における優位性は、データセンターやエンタープライズ市場で強力な競争相手となります。コスト効率が向上し、広く採用されれば、3D XPointは3D NANDの需要を減少させる可能性があります。

COVID-19の影響

COVID-19の流行は3D NANDフラッシュメモリ市場に大きな影響を与えました。半導体の不足や工場の操業停止などサプライチェーンの混乱が生産の遅れとコスト増につながった。しかし、リモートワーク、eコマース、デジタルサービスの急増は、データストレージの需要増を促進し、市場に恩恵をもたらしました。クラウドコンピューティング、ゲーム、AIアプリケーションの拡大も、3D NANDを搭載したSSDの成長を後押ししました。

予測期間中、ユニバーサルフラッシュストレージセグメントが最大になる見込み

ユニバーサルフラッシュストレージセグメントは、高性能メモリソリューションの需要により、予測期間を通じて最大の市場シェアを確保すると予測されます。最新バージョンであるユニバーサルフラッシュストレージ2.1およびユニバーサルフラッシュストレージ3.1は、3D NANDのような先進的なNANDフラッシュ技術を使用し、より高速な読み書きを実現しています。ユニバーサルフラッシュストレージ3.1のスマートフォン、タブレット、ラップトップへの採用が増加しているため、高速NANDメモリ、特にユニバーサルフラッシュストレージの性能基準を満たす3D NANDの需要が高まっており、家電における3D NAND市場が強化されています。

予測期間中、データセンターとクラウドサービス分野のCAGRが最も高くなる見込み

データセンターとクラウドサービスは、高速データ検索、リアルタイム処理、高速データ転送のための3D NANDを搭載したソリッドステートドライブのような高度なストレージ技術により、予測期間中に有利な成長を記録すると予想されます。3D NANDは、HDDのような従来のストレージソリューションと比較して、より高速な読み取り/書き込み速度、低レイテンシ、強化された耐久性を提供し、クラウドストレージや高性能コンピューティングアプリケーションに理想的であるため、3D NANDフラッシュメモリ市場の成長を加速させています。

最大のシェアを占める地域：

北米、特に米国はストレージ技術革新の中心地であり、Intel、Micron Technology、Western Digitalなどの大手半導体メーカーが3D NANDフラッシュメモリの市場開発を主導しています。この技術革新におけるリーダーシップが3D NANDフラッシュメモリの開発と採用を加速し、マルチレベルセル（MLC）、トリプルレベルセル（TLC）、クアッドレベルセル（QLC）3D NANDメモリのような先駆的なイノベーションを通じて世界市場の成長を牽引しています。

CAGRが最も高い地域：

アジア太平洋地域のデジタル変革が、特にクラウドコンピューティング、ビッグデータ分析、AIベースのアプリケーションにおいて、堅牢なデータストレージソリューションの需要を押し上げているためです。3D NANDなどの高性能ストレージソリューションは、その速度、信頼性、耐久性により、これらのサービスに適しています。3D NANDの需要は、APAC全体でのクラウドサービスとデータセンターの拡大により増加しており、市場の成長を促進しています。

無料のカスタマイズサービス

本レポートをご購読のお客様には、以下の無料カスタマイズオプションのいずれかをご提供いたします：

  • 企業プロファイル
    • 追加市場企業の包括的プロファイリング（3社まで）
    • 主要企業のSWOT分析（3社まで）
  • 地域セグメンテーション
    • 顧客の関心に応じた主要国の市場推計・予測・CAGR（注：フィージビリティチェックによる）
  • 競合ベンチマーキング
    • 製品ポートフォリオ、地理的プレゼンス、戦略的提携に基づく主要企業のベンチマーキング

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 序文

  • 概要
  • ステークホルダー
  • 調査範囲
  • 調査手法
    • データマイニング
    • データ分析
    • データ検証
    • 調査アプローチ
  • 調査情報源
    • 1次調査情報源
    • 2次調査情報源
    • 前提条件

第3章 市場動向分析

  • 促進要因
  • 抑制要因
  • 機会
  • 脅威
  • 用途分析
  • エンドユーザー分析
  • 新興市場
  • COVID-19の影響

第4章 ポーターのファイブフォース分析

  • 供給企業の交渉力
  • 買い手の交渉力
  • 代替品の脅威
  • 新規参入業者の脅威
  • 競争企業間の敵対関係

第5章 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場：タイプ別

  • シングルレベルセル
  • マルチレベルセル
  • トリプルレベルセル
  • クアッドレベルセル

第6章 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場：フォームファクター別

  • ユニバーサルフラッシュストレージ
  • 不揮発性メモリエクスプレス
  • 組み込みマルチメディアカード
  • ソリッドステートドライブ
  • その他のフォームファクター

第7章 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場：メモリ密度別

  • 低密度メモリ
  • 高密度メモリ

第8章 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場：アプリケーション別

  • スマートフォンとウェアラブル
  • タブレットとノートパソコン
  • データセンターとクラウドサービス
  • 高性能コンピューティング
  • ストレージアレイとサーバー
  • 先進運転支援システム
  • その他のアプリケーション

第9章 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場：エンドユーザー別

  • 家電
  • 自動車
  • 産業とIoT
  • エンタープライズストレージ
  • その他のエンドユーザー

第10章 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場：地域別

  • 北米
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
  • 欧州
    • ドイツ
    • 英国
    • イタリア
    • フランス
    • スペイン
    • その他欧州
  • アジア太平洋
    • 日本
    • 中国
    • インド
    • オーストラリア
    • ニュージーランド
    • 韓国
    • その他アジア太平洋地域
  • 南米
    • アルゼンチン
    • ブラジル
    • チリ
    • その他南米
  • 中東・アフリカ
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • カタール
    • 南アフリカ
    • その他中東とアフリカ

第11章 主な発展

  • 契約、パートナーシップ、コラボレーション、合弁事業
  • 買収と合併
  • 新製品発売
  • 事業拡大
  • その他の主要戦略

第12章 企業プロファイリング

  • Samsung Electronics Co.Ltd.
  • Toshiba Corporation
  • SK Hynix Semiconductor Inc.
  • Micron Technology Inc.
  • Intel Corporation
  • Apple Inc.
  • Lenovo Group Ltd
  • Advanced Micro Devices
  • STMicroelectronics
  • SanDisk Corporation
  • Western Digital
  • VIA Technologies INC.
  • Infineon Technologies AG
  • Microchip Technology Inc.
  • ON Semiconductor
  • Integrated Silicon Solution Inc.
  • Realtek Semiconductor Corp.
図表

List of Tables

  • Table 1 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Region (2022-2030) ($MN)
  • Table 2 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Type (2022-2030) ($MN)
  • Table 3 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Single-Level Cell (2022-2030) ($MN)
  • Table 4 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Multi-Level Cell (2022-2030) ($MN)
  • Table 5 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Triple-Level Cell (2022-2030) ($MN)
  • Table 6 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Quad-Level Cell (2022-2030) ($MN)
  • Table 7 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Form Factor (2022-2030) ($MN)
  • Table 8 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Universal Flash Storage (2022-2030) ($MN)
  • Table 9 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Non-Volatile Memory Express (2022-2030) ($MN)
  • Table 10 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By embedded MultiMediaCard (2022-2030) ($MN)
  • Table 11 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Solid-State Drives (2022-2030) ($MN)
  • Table 12 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Other Form Factors (2022-2030) ($MN)
  • Table 13 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Memory Density (2022-2030) ($MN)
  • Table 14 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Low-Density Memory (2022-2030) ($MN)
  • Table 15 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By High-Density Memory (2022-2030) ($MN)
  • Table 16 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Application (2022-2030) ($MN)
  • Table 17 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Smartphones & Wearables (2022-2030) ($MN)
  • Table 18 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Tablets & Laptops (2022-2030) ($MN)
  • Table 19 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Data Centers & Cloud Services (2022-2030) ($MN)
  • Table 20 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By High-Performance Computing (2022-2030) ($MN)
  • Table 21 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Storage Arrays & Servers (2022-2030) ($MN)
  • Table 22 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Advanced Driver-Assistance Systems (2022-2030) ($MN)
  • Table 23 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Other Applications (2022-2030) ($MN)
  • Table 24 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By End User (2022-2030) ($MN)
  • Table 25 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Consumer Electronics (2022-2030) ($MN)
  • Table 26 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Automotive (2022-2030) ($MN)
  • Table 27 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Industrial and IoT (2022-2030) ($MN)
  • Table 28 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Enterprise Storage (2022-2030) ($MN)
  • Table 29 Global 3D Nand Flash Memory Market Outlook, By Other End User (2022-2030) ($MN)

Note: Tables for North America, Europe, APAC, South America, and Middle East & Africa Regions are also represented in the same manner as above.

目次
Product Code: SMRC28251

According to Stratistics MRC, the Global 3D Nand Flash Memory Market is accounted for $22.2 billion in 2024 and is expected to reach $57.0 billion by 2030 growing at a CAGR of 17% during the forecast period. 3D NAND Flash Memory is a non-volatile storage technology that stores data in a 3D array of memory cells, resulting in higher storage density and improved performance compared to traditional 2D NAND. This technology stacks memory cells vertically in multiple layers, increasing storage capacity without requiring more surface area. It is widely used in applications like solid-state drives, memory cards, smartphones, and data centers. 3D NAND offers faster data access speeds, lower power consumption, and higher durability compared to older NAND technologies.

According to the Ericsson Mobility report, in the North American region, 5G subscriptions are expected to account for 55% of mobile subscriptions by the end of 2024.

Market Dynamics:

Driver:

Increasing demand for storage capacity

3D NAND flash memory offers a solution to the physical limitations of traditional 2D NAND technology, which has limitations due to horizontal space constraints on silicon wafers. By stacking memory cells vertically, 3D NAND increases the storage capacity of data in a given area. As demand for high-capacity devices like SSDs, smartphones, and laptops increases, 3D NAND provides a viable solution for manufacturers to produce storage solutions with higher capacities boosting the market growth.

Restraint:

Reliability and durability concerns

3D NAND flash memory has a finite lifespan, measured in Program/Erase cycles. Despite its improved endurance over 2D NAND, the cells continue to degrade over time due to increased stacking of memory cells. This reduced lifespan is a concern for applications like high-performance servers, data centers, and automotive systems, where data reliability and endurance are crucial. Moreover premature wear can lead to data corruption or loss, undermining the technology's appeal in these sectors hampers the market.

Opportunity:

Increasing shift from traditional hard disk drives (HDDs) to solid-state drives (SSDs)

SSDs offer faster read/write speeds compared to HDDs, thanks to 3D NAND technology. This technology reduces latency and stores more data in a smaller area, enhancing data transfer speeds. As applications like gaming, video production, AI, and big data analytics demand faster storage, 3D NAND is crucial for high-performance SSDs. SSDs also offer superior durability due to their lack of moving parts, making them less susceptible to physical damage. As businesses and consumers prioritize reliability, SSDs are increasingly preferred, boosting demand for 3D NAND-based storage solutions.

Threat:

Competition from alternative technologies

3D XPoint, a non-volatile memory technology developed by Intel and Micron, is a potential alternative to 3D NAND, offering higher performance, lower latency, and greater endurance. It is seen as a strong competitor to 3D NAND in high-performance storage applications. Although still in its early stages of adoption, 3D XPoint's advantages in speed and endurance make it a strong competitor in the data center and enterprise markets. If more cost-effective and widely adopted, 3D XPoint could reduce demand for 3D NAND.

Covid-19 Impact

The COVID-19 pandemic significantly impacted the 3D NAND flash memory market. Supply chain disruptions, including semiconductor shortages and factory shutdowns, led to delays in production and increased costs. However, the surge in remote work, e-commerce, and digital services drove higher demand for data storage, benefiting the market. The expansion of cloud computing, gaming, and AI applications also fueled growth in SSDs powered by 3D NAND.

The universal flash storage segment is expected to be the largest during the forecast period

The universal flash storage segment is predicted to secure the largest market share throughout the forecast period owing to demand for high-performance memory solutions. The latest versions, universal flash storage 2.1 and universal flash storage 3.1, use advanced NAND flash technology like 3D NAND for faster read and write speeds. The growing adoption of universal flash storage 3.1 in smartphones, tablets, and laptops is boosting demand for high-speed NAND memory, particularly 3D NAND, which meets universal flash storage performance standards, strengthening the 3D NAND market in consumer electronics.

The data centers & cloud services segment is expected to have the highest CAGR during the forecast period

The data centers & cloud services is expected to register lucrative growth during the estimation period due to advanced storage technologies like solid-state drives powered by 3D NAND for rapid data retrieval, real-time processing, and high-speed data transfer. 3D NAND offers faster read/write speeds, lower latency, and enhanced durability compared to traditional storage solutions like HDDs, making it ideal for cloud storage and high-performance computing applications accelerating the growth of the 3D NAND flash memory market.

Region with largest share:

During the estimation period, the North America region is expected to capture the largest market share owing to North America, particularly the US, is a hub for innovation in storage technologies, with leading semiconductor manufacturers like Intel, Micron Technology, and Western Digital leading the development of 3D NAND flash memory. This leadership in technological innovation accelerates the development and adoption of 3D NAND flash memory, driving global market growth through pioneering innovations like multi-level cell (MLC), triple-level cell (TLC), and quad-level cell (QLC) 3D NAND memory.

Region with highest CAGR:

Over the forecasted timeframe, the Asia Pacific is anticipated to exhibit the highest CAGR due to region's digital transformation is boosting the demand for robust data storage solutions, especially in cloud computing, big data analytics, and AI-based applications. High-performance storage solutions, such as 3D NAND, are well-suited for these services due to their speed, reliability, and endurance. The demand for 3D NAND is increasing due to the expansion of cloud services and data centers across APAC, fostering market growth.

Key players in the market

Some of the key players in 3D Nand Flash Memory market include Samsung Electronics Co.Ltd., Toshiba Corporation, SK Hynix Semiconductor Inc., Micron Technology Inc., Intel Corporation, Apple Inc., Lenovo Group Ltd, Advanced Micro Devices, STMicroelectronics, SanDisk Corporation, Western Digital, VIA Technologies INC, Infineon Technologies AG, Microchip Technology Inc., ON Semiconductor, Integrated Silicon Solution Inc. and Realtek Semiconductor Corp.

Key Developments:

In December 2024, Quobly Forges & STMicroelectronics announced a transformative collaboration with STMicroelectronics, a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics applications, to produce quantum processor units (QPUs) at scale.

In November 2024, Nimbus and Toshiba announced joint development of next-generation pure hydrogen fuel cell stack. Under this agreement, Nimbus will combine its patented "four-fluid stack technology" with Toshiba's long-established "fuel cell commercialization and mass production technology" to jointly develop the pure hydrogen fuel cell stack.

In November 2024, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched TLX9152M an automotive photorelay with an output withstand voltage of 900V (min) that is highly suitable for application in high voltage automotive batteries. The new photorelay is housed in an SO16L-T package Volume shipments.

In May 2024, Bosch Ventures Amplifies Commitment to Cleantech with two Battery Recycling Investments. In an electrified world, battery recycling makes a significant contribution to conserving natural resources.

Types Covered:

  • Single-Level Cell
  • Multi-Level Cell
  • Triple-Level Cell
  • Quad-Level Cell

Form Factors Covered:

  • Universal Flash Storage
  • Non-Volatile Memory Express
  • embedded MultiMediaCard
  • Solid-State Drives
  • Other Form Factors

Memory Densities Covered:

  • Low-Density Memory
  • High-Density Memory

Applications Covered:

  • Smartphones & Wearables
  • Tablets & Laptops
  • Data Centers & Cloud Services
  • High-Performance Computing
  • Storage Arrays & Servers
  • Advanced Driver-Assistance Systems
  • Other Applications

End Users Covered:

  • Consumer Electronics
  • Automotive
  • Industrial and IoT
  • Enterprise Storage
  • Other End User

Regions Covered:

  • North America
    • US
    • Canada
    • Mexico
  • Europe
    • Germany
    • UK
    • Italy
    • France
    • Spain
    • Rest of Europe
  • Asia Pacific
    • Japan
    • China
    • India
    • Australia
    • New Zealand
    • South Korea
    • Rest of Asia Pacific
  • South America
    • Argentina
    • Brazil
    • Chile
    • Rest of South America
  • Middle East & Africa
    • Saudi Arabia
    • UAE
    • Qatar
    • South Africa
    • Rest of Middle East & Africa

What our report offers:

  • Market share assessments for the regional and country-level segments
  • Strategic recommendations for the new entrants
  • Covers Market data for the years 2022, 2023, 2024, 2026, and 2030
  • Market Trends (Drivers, Constraints, Opportunities, Threats, Challenges, Investment Opportunities, and recommendations)
  • Strategic recommendations in key business segments based on the market estimations
  • Competitive landscaping mapping the key common trends
  • Company profiling with detailed strategies, financials, and recent developments
  • Supply chain trends mapping the latest technological advancements

Free Customization Offerings:

All the customers of this report will be entitled to receive one of the following free customization options:

  • Company Profiling
    • Comprehensive profiling of additional market players (up to 3)
    • SWOT Analysis of key players (up to 3)
  • Regional Segmentation
    • Market estimations, Forecasts and CAGR of any prominent country as per the client's interest (Note: Depends on feasibility check)
  • Competitive Benchmarking
    • Benchmarking of key players based on product portfolio, geographical presence, and strategic alliances

Table of Contents

1 Executive Summary

2 Preface

  • 2.1 Abstract
  • 2.2 Stake Holders
  • 2.3 Research Scope
  • 2.4 Research Methodology
    • 2.4.1 Data Mining
    • 2.4.2 Data Analysis
    • 2.4.3 Data Validation
    • 2.4.4 Research Approach
  • 2.5 Research Sources
    • 2.5.1 Primary Research Sources
    • 2.5.2 Secondary Research Sources
    • 2.5.3 Assumptions

3 Market Trend Analysis

  • 3.1 Introduction
  • 3.2 Drivers
  • 3.3 Restraints
  • 3.4 Opportunities
  • 3.5 Threats
  • 3.6 Application Analysis
  • 3.7 End User Analysis
  • 3.8 Emerging Markets
  • 3.9 Impact of Covid-19

4 Porters Five Force Analysis

  • 4.1 Bargaining power of suppliers
  • 4.2 Bargaining power of buyers
  • 4.3 Threat of substitutes
  • 4.4 Threat of new entrants
  • 4.5 Competitive rivalry

5 Global 3D Nand Flash Memory Market, By Type

  • 5.1 Introduction
  • 5.2 Single-Level Cell
  • 5.3 Multi-Level Cell
  • 5.4 Triple-Level Cell
  • 5.5 Quad-Level Cell

6 Global 3D Nand Flash Memory Market, By Form Factor

  • 6.1 Introduction
  • 6.2 Universal Flash Storage
  • 6.3 Non-Volatile Memory Express
  • 6.4 embedded MultiMediaCard
  • 6.5 Solid-State Drives
  • 6.6 Other Form Factors

7 Global 3D Nand Flash Memory Market, By Memory Density

  • 7.1 Introduction
  • 7.2 Low-Density Memory
  • 7.3 High-Density Memory

8 Global 3D Nand Flash Memory Market, By Application

  • 8.1 Introduction
  • 8.2 Smartphones & Wearables
  • 8.3 Tablets & Laptops
  • 8.4 Data Centers & Cloud Services
  • 8.5 High-Performance Computing
  • 8.6 Storage Arrays & Servers
  • 8.7 Advanced Driver-Assistance Systems
  • 8.8 Other Applications

9 Global 3D Nand Flash Memory Market, By End User

  • 9.1 Introduction
  • 9.2 Consumer Electronics
  • 9.3 Automotive
  • 9.4 Industrial and IoT
  • 9.5 Enterprise Storage
  • 9.6 Other End User

10 Global 3D Nand Flash Memory Market, By Geography

  • 10.1 Introduction
  • 10.2 North America
    • 10.2.1 US
    • 10.2.2 Canada
    • 10.2.3 Mexico
  • 10.3 Europe
    • 10.3.1 Germany
    • 10.3.2 UK
    • 10.3.3 Italy
    • 10.3.4 France
    • 10.3.5 Spain
    • 10.3.6 Rest of Europe
  • 10.4 Asia Pacific
    • 10.4.1 Japan
    • 10.4.2 China
    • 10.4.3 India
    • 10.4.4 Australia
    • 10.4.5 New Zealand
    • 10.4.6 South Korea
    • 10.4.7 Rest of Asia Pacific
  • 10.5 South America
    • 10.5.1 Argentina
    • 10.5.2 Brazil
    • 10.5.3 Chile
    • 10.5.4 Rest of South America
  • 10.6 Middle East & Africa
    • 10.6.1 Saudi Arabia
    • 10.6.2 UAE
    • 10.6.3 Qatar
    • 10.6.4 South Africa
    • 10.6.5 Rest of Middle East & Africa

11 Key Developments

  • 11.1 Agreements, Partnerships, Collaborations and Joint Ventures
  • 11.2 Acquisitions & Mergers
  • 11.3 New Product Launch
  • 11.4 Expansions
  • 11.5 Other Key Strategies

12 Company Profiling

  • 12.1 Samsung Electronics Co.Ltd.
  • 12.2 Toshiba Corporation
  • 12.3 SK Hynix Semiconductor Inc.
  • 12.4 Micron Technology Inc.
  • 12.5 Intel Corporation
  • 12.6 Apple Inc.
  • 12.7 Lenovo Group Ltd
  • 12.8 Advanced Micro Devices
  • 12.9 STMicroelectronics
  • 12.10 SanDisk Corporation
  • 12.11 Western Digital
  • 12.12 VIA Technologies INC.
  • 12.13 Infineon Technologies AG
  • 12.14 Microchip Technology Inc.
  • 12.15 ON Semiconductor
  • 12.16 Integrated Silicon Solution Inc.
  • 12.17 Realtek Semiconductor Corp.