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市場調査レポート
商品コード
1914620
パワートランジスタ市場- 世界の産業規模、シェア、動向、機会、および予測:タイプ別、用途別、最終用途別、地域別、競合状況、2021-2031年Power Transistor Market - Global Industry Size, Share, Trends, Opportunities, and Forecast Segmented By Type, By Application, By End-Use, By Region & Competition, 2021-2031F |
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カスタマイズ可能
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| パワートランジスタ市場- 世界の産業規模、シェア、動向、機会、および予測:タイプ別、用途別、最終用途別、地域別、競合状況、2021-2031年 |
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出版日: 2026年01月19日
発行: TechSci Research
ページ情報: 英文 185 Pages
納期: 2~3営業日
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概要
世界のパワートランジスタ市場は、2025年の169億3,000万米ドルから2031年までに254億6,000万米ドルへと拡大し、CAGR 7.04%を記録すると予測されております。
エネルギー効率を確保するための電力のスイッチングや増幅に不可欠なこれらの半導体デバイスは、自動車分野の急速な電動化や太陽光インバーターなどの再生可能エネルギーインフラの世界の発展を背景に、需要の増加が見込まれています。さらに、産業オートメーションにおける効率的な電力変換の必要性もこの成長を後押ししており、SEMIの製造データが示すように、2024年には世界のディスクリート半導体生産能力が7%増加し、月間440万枚に達すると予測されています。
| 市場概要 | |
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| 予測期間 | 2027-2031 |
| 市場規模:2025年 | 169億3,000万米ドル |
| 市場規模:2031年 | 254億6,000万米ドル |
| CAGR:2026年~2031年 | 7.04% |
| 最も成長が速いセグメント | バイポーラ接合トランジスタ |
| 最大の市場 | 北米 |
しかしながら、市場はサプライチェーンの複雑さと、特に炭化ケイ素(SiC)といった先端材料の不足という重大な障壁に直面しております。地政学的な貿易摩擦や原材料価格の変動といった問題は生産の安定性を脅かし、重要部品の不足を引き起こす可能性があります。さらに、これらの先端材料を生産ラインに統合する際の高い資本集約性と技術的障壁が供給量を制限し、急増する世界の需要を完全に満たす業界の能力を制約する恐れがあります。
市場促進要因
電気自動車およびハイブリッド車のパワートレインの急速な普及は、パワートランジスタ分野における主要な促進要因として機能し、自動車メーカーの部品ニーズを根本的に変革しています。内燃機関とは異なり、電気自動車は、トラクションインバーター、車載充電器、およびバッテリー管理システムにおける電力フローを管理するために、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)および金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を大幅に多く必要とします。この変化により、自動車の普及拡大と半導体需要が直接結びついています。国際エネルギー機関(IEA)の『Global EV Outlook 2024』によると、2023年の世界の電気自動車販売台数は約1,400万台に達し、自動車用パワーデバイスの対象市場が大幅に拡大していることを示しています。
同時に、業界は高効率な炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)技術への移行を進めております。これらは従来のシリコンと比較し、優れたスイッチング速度と熱伝導性を提供します。これらのワイドバンドギャップ材料は、急速充電ステーションや産業用電源装置などの高電圧アプリケーションにおけるエネルギー損失の最小化に不可欠です。この転換の商業的成功は、堅調な収益源によって裏付けられています。例えば、STマイクロエレクトロニクスは2024年1月、2023年通年で11億4,000万米ドルの炭化ケイ素関連収益を達成したと報告しました。この成長は安定した業界環境によって支えられており、半導体産業協会(SIA)は2023年の世界半導体売上高が5,268億米ドルに達したと報告しており、次世代パワーエレクトロニクスへのさらなる投資を後押ししています。
市場の課題
世界のパワートランジスタ市場を阻む重大な課題は、サプライチェーンの複雑さと、特にシリコンカーバイド(SiC)といった先端材料の不足が組み合わさった状況です。電気自動車や再生可能エネルギー分野における高電圧用途で、業界がこれらの特殊材料への依存度を高める中、原料供給源の集中は重大な脆弱性を生み出しています。この脆弱なエコシステムは、地政学的貿易摩擦やコスト変動によってさらに不安定化しており、部品の供給が予測不能となる結果、メーカーはリードタイムの延長や生産コスト増の吸収を余儀なくされ、成長が阻害されるだけでなく、最終的にエンドユーザーへの導入が遅延しています。
高度な材料の安定供給を確保できない状況は、業界の積極的な生産能力拡大と直接的に相反し、製造インフラの稼働率低下を招いています。生産ポテンシャルと材料入手可能性の乖離は、需要増に対応するための市場の効率的な拡大能力を制約しています。この製造投資の規模はリスクを浮き彫りにしています。SEMIの予測によれば、2024年には世界の半導体製造能力が6%増加し、月間3,370万枚という過去最高を記録する見込みです。この拡大する生産能力を支える強靭なサプライチェーンがなければ、市場は収益の可能性を制限し、省エネルギー技術の普及を遅らせるボトルネックに直面することになります。
市場動向
300mmウエハー製造への移行は、生産効率の最適化と規模の経済による単価低減を目指すメーカーにより、生産構造を再構築しています。標準的な200mm基板から大型の300mmウエハーへの移行により、製造施設は1回の加工サイクルあたりのチップ歩留まりを大幅に増加させることが可能となり、施設面積を比例的に拡大することなく大量生産需要に対応する上で極めて重要です。この移行は特に窒化ガリウム(GaN)デバイスに大きな影響を与えます。インフィニオン・テクノロジーズの2025年7月プレスリリースによれば、300mmウエハーでのチップ生産は200mm基板と比較してウエハー当たり2.3倍のチップ製造を可能とし、資本効率を大幅に向上させます。
同時に、人工知能インフラが前例のない電力密度とエネルギー効率を要求する中、GaN技術のハイデンシティデータセンターおよびAIサーバー向け電源への展開が加速しています。従来の産業用途とは異なり、AIサーバーは限られた空間内で発熱を最小限に抑えつつ、大規模な負荷変動に対応できる電源ユニットを必要としており、これがシリコンからワイドバンドギャップ材料への置換を推進しています。この分野は重要な収益源として台頭しており、インフィニオン・テクノロジーズは2025年11月の決算発表において、高性能コンピューティングハードウェアの導入率急増を反映し、2026年度におけるAIデータセンター向け電源ソリューションの収益目標を約15億ユーロに引き上げました。
よくあるご質問
目次
第1章 概要
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 顧客の声
第5章 世界のパワートランジスタ市場展望
- 市場規模・予測
- 金額別
- 市場シェア・予測
- 種類別(バイポーラ接合トランジスタ、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、静電誘導トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
- 用途別(スイッチング電源、リレー、コンバータ、パワーアンプ、DC-ACコンバータ、電源装置、電力制御回路、インバータ)
- 用途別(民生用電子機器、通信・テクノロジー、自動車、製造業、エネルギー、電力、その他)
- 地域別
- 企業別(2025)
- 市場マップ
第6章 北米のパワートランジスタ市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 北米:国別分析
- 米国
- カナダ
- メキシコ
第7章 欧州のパワートランジスタ市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 欧州:国別分析
- ドイツ
- フランス
- 英国
- イタリア
- スペイン
第8章 アジア太平洋地域のパワートランジスタ市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- アジア太平洋地域:国別分析
- 中国
- インド
- 日本
- 韓国
- オーストラリア
第9章 中東・アフリカのパワートランジスタ市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 中東・アフリカ:国別分析
- サウジアラビア
- アラブ首長国連邦
- 南アフリカ
第10章 南米のパワートランジスタ市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 南米:国別分析
- ブラジル
- コロンビア
- アルゼンチン
第11章 市場力学
- 促進要因
- 課題
第12章 市場動向と発展
- 合併・買収
- 製品上市
- 最近の動向
第13章 世界のパワートランジスタ市場:SWOT分析
第14章 ポーターのファイブフォース分析
- 業界内の競合
- 新規参入の可能性
- サプライヤーの力
- 顧客の力
- 代替品の脅威
第15章 競合情勢
- Infineon Technologies AG
- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
- TE Connectivity
- NXP Semiconductors
- Analog Devices, Inc.
- Torex Semiconductor Ltd.
- Qorvo, Inc
- Vishay Intertechnology, Inc.
- ABB Semiconductors

