SiC/GaNパワー半導体が「AIの電力壁」を打ち破り、データセンターの電源供給を再構築

2026年、パワー半導体は従来の部品から、世界のエネルギー情勢を一新する戦略的基盤技術へと進化を遂げました。AIデータセンターが「パワーウォール」というボトルネックに直面し、EVが800V高電圧アーキテクチャの普及を加速させる中、SiCおよびGaN技術は、世界中のインフラにおいて大規模に導入される段階に入っています。

主なハイライト

• パワー半導体は、従来の部品から、世界のエネルギー情勢を再構築する戦略的基盤へと変貌を遂げました。
• SiCおよびGaN技術は、世界中のインフラにおいて大規模導入の段階に入っています。
• AIデータセンターは「パワーウォール」というボトルネックに直面しており、高度な電力ソリューションへの需要を牽引しています。
• 電気自動車（EV）は高電圧アーキテクチャの採用を加速させており、パワー半導体の需要をさらに押し上げています。
• AIインフラのニーズとEV技術の進歩が相まって、次世代パワー半導体技術に対する前例のない需要が生まれています。

目次

第1章 SiC/GaNは新興技術からグリーンエネルギーとAIエコシステムの標準インフラへと進化する

第2章 VISがGaN-on-Si製品ポートフォリオを拡充し、パワー半導体分野に新たな地平を切り開く

第3章 Innoscienceがティア1に参入し、AI電力サプライチェーンの様相を一変させる

第4章 STMicroelectronicsは「SiC基盤＋GaN拡張」戦略で市場浸透を加速

第5章 TIは、統合型GaNアーキテクチャでAI時代の電力管理の中核を構築

第6章 ROHMは自社でのGaN生産と「メイク・イン・インディア」協力により、世界のパワーエレクトロニクス防衛ラインを構築する

第7章 Infineonは「SiCコア、GaN拡張」戦略で高効率電力革命を推進する

第8章 TRIの視点