ホーム 市場調査レポートについて 電子部品/半導体 2034年までのゲート・オール・アラウンド(GAAT)トランジスタ市場予測―トランジスタの種類、材料、ノードサイズ、用途、および地域別の世界分析
表紙:2034年までのゲート・オール・アラウンド(GAAT)トランジスタ市場予測―トランジスタの種類、材料、ノードサイズ、用途、および地域別の世界分析

2034年までのゲート・オール・アラウンド(GAAT)トランジスタ市場予測―トランジスタの種類、材料、ノードサイズ、用途、および地域別の世界分析

Gate-All-Around Transistor Market Forecasts to 2034 - Global Analysis By Transistor Type (Nanosheet GAA Transistors, Nanowire GAA Transistors, Forksheet GAA Transistors, Other GAA Transistor Types), Material, Node Size, Application, and By Geography

発行日
ページ情報
英文 200+ Pages
納期
2~3営業日
商品コード
2160852
  • カスタマイズ可能 お客様のご希望に応じて、既存データの加工や未掲載情報(例:国別セグメント)の追加などの対応が可能です。詳細はお問い合わせください。
  • 翻訳ツール提供対象 PDF対応AI翻訳ツールの無料貸し出しサービスのご利用が可能です

目次・概要・図表を含むサンプルPDF(数ページ~数十ページ)を、担当者からEメールでお送りします。費用はかかりません。

Stratistics MRCによると、世界のゲート・オール・アラウンド(GAA)トランジスタ市場は、2026年に8億米ドル規模となり、予測期間中にCAGR 11.4%で成長し、2034年までに19億米ドルに達すると見込まれています。

ゲート・オール・アラウンド(GAA)トランジスタは、ゲート材料がチャネルを全方向から囲む先進的な半導体デバイスであり、優れた静電制御を実現するとともに、FinFET技術を凌駕する微細化を可能にします。この市場には、ナノシートGAAトランジスタ、ナノワイヤGAAトランジスタ、フォークシートGAAトランジスタなどのトランジスタタイプが含まれ、シリコン系、ゲルマニウム系、III-V族化合物半導体GAAトランジスタなどの材料を使用したその他のGAAトランジスタタイプも対象となります。ノードサイズは3nm以下および3nm以上を含み、人工知能やハイパフォーマンスコンピューティング、スマートフォンや民生用電子機器、自動車用電子機器、データセンター、通信、産業用電子機器などの用途に対応しています。

トランジスタの微細化と性能要件の継続

トランジスタの微細化と高性能化に対する継続的な需要は、GAAトランジスタ市場の主要な促進要因です。FinFET技術は微細化の限界に近づいています。GAAは、集積度と性能の継続的な向上を可能にします。先進ノードでは、競争力のある性能を実現するためにGAAが不可欠です。半導体技術の進歩に伴い、GAAトランジスタへの需要は拡大し、市場の持続的な成長を支えています。

製造の複雑さと歩留まりの課題

GAAトランジスタに伴う製造上の複雑さと歩留まりの課題は、市場にとって大きな制約要因となっています。GAA構造は、FinFETに比べて製造がより複雑です。プロセス制御の要件も厳格です。歩留まりの最適化には時間を要します。こうした製造上の課題はコストを増加させ、採用を制限する可能性があります。

最先端のAIおよびHPCプロセッサへの採用

最先端のAIおよびHPCプロセッサにおけるGAAトランジスタの採用拡大は、市場拡大に向けた大きな機会をもたらしています。AIおよびHPCには、最高の性能と効率が求められます。GAAは、低消費電力でより高い性能を実現します。最先端のファウンダリ各社は、先進ノード向けにGAAを採用しています。AIおよびHPCの需要が拡大するにつれ、GAAは市場シェアを拡大しています。

代替トランジスタアーキテクチャからの競合

FinFETや新興技術を含む代替トランジスタアーキテクチャからの競合は、GAAトランジスタ市場の成長にとって脅威となります。FinFETは多くのノードにおいて依然として有効です。新たなアーキテクチャが登場する可能性もあります。コスト面での考慮から、確立された技術が選ばれる可能性があります。この競合により、一部のセグメントではGAAの採用が制限される可能性があります。

新型コロナウイルス(COVID-19)の影響:

COVID-19のパンデミックは、GAAトランジスタ市場に好悪両面の影響を与えました。サプライチェーンの混乱が半導体生産に影響を及ぼしました。しかし、パンデミックはデジタルトランスフォーメーションと先進チップへの需要を加速させました。AIおよびHPCへの投資が増加しました。パンデミック後、最先端半導体への継続的な需要が市場の成長を支えています。

予測期間中、ナノシートGAAトランジスタセグメントが最大の市場規模を占めると予想されます

ナノシートGAAトランジスタセグメントは、優れた性能、製造容易性、および主要ファウンダリによる採用に牽引され、予測期間中に最大の市場シェアを占めると予想されます。ナノシートGAAは、ナノワイヤよりも広いチャネル幅を持ち、より高い駆動電流を実現します。このセグメントは、業界の標準化の恩恵を受けています。最先端の生産規模が拡大するにつれ、ナノシートはトランジスタタイプ別セグメントにおいて最大のシェアを維持しています。

人工知能(AI)およびハイパフォーマンス・コンピューティング(HPC)セグメントは、予測期間中に最も高いCAGRを示すと予想されます

予測期間中、人工知能(AI)およびハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)セグメントは、最高性能を求めるAIおよびHPCの需要、最先端ノードの採用、AIモデルの複雑化の進展に後押しされ、最も高い成長率を示すと予測されています。AIおよびHPCには、利用可能な最高性能が求められます。このセグメントは、GAAの効率面での優位性から恩恵を受けています。AIおよびHPCの採用が加速するにつれ、この用途はセグメント内で最も急速な成長をもたらすでしょう。

シェアが最大の地域:

予測期間中、アジア太平洋地域は、最先端の半導体製造が集中していること、主要なファウンダリの存在、および先進技術の導入に支えられ、最大の市場シェアを占めると予想されます。台湾、韓国、日本がGAAの開発と生産をリードしています。同地域のファウンダリ能力は競争上の優位性をもたらしています。製造面でのリーダーシップにより、アジア太平洋地域は市場における支配的な地位を維持しています。

CAGRが最も高い地域:

予測期間中、アジア太平洋地域は、最先端技術への継続的な投資、ファウンダリの生産能力拡大、およびAI需要に牽引され、最も高いCAGRを示すと予想されます。中国、日本、韓国は、先進ノードへの投資を進めています。政府による半導体関連の取り組みも加速しています。GAAの採用が拡大するにつれ、アジア太平洋地域は世界中で最も急速な市場成長を遂げることになります。

無料カスタマイズサービス:

本レポートをご購入いただいたすべてのお客様は、以下の無料カスタマイズオプションのいずれか1つをご利用いただけます:

  • 企業プロファイリング
    • 追加の市場プレイヤー(最大3社)に関する包括的なプロファイリング
    • 主要企業(最大3社)のSWOT分析
  • 地域別セグメンテーション
    • お客様のご要望に応じて、主要な国における市場推計・予測、およびCAGR(注:実現可能性の確認次第となります)
  • 競合ベンチマーキング
    • 製品ポートフォリオ、地理的展開、戦略的提携に基づく主要企業のベンチマーキング

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

  • 市場概況と主なハイライト
  • 促進要因、課題、機会
  • 競合情勢の概要
  • 戦略的洞察と提言

第2章 調査フレームワーク

  • 調査目的と範囲
  • 利害関係者分析
  • 調査前提条件と制約
  • 調査手法

第3章 市場力学と動向分析

  • 市場定義と構造
  • 主要な市場促進要因
  • 市場抑制要因と課題
  • 成長機会と投資の注目分野
  • 業界の脅威とリスク評価
  • 技術とイノベーションの見通し
  • 新興市場・高成長市場
  • 規制および政策環境
  • COVID-19の影響と回復展望

第4章 競合環境と戦略的評価

  • ポーターのファイブフォース分析
    • 供給企業の交渉力
    • 買い手の交渉力
    • 代替品の脅威
    • 新規参入業者の脅威
    • 競争企業間の敵対関係
  • 主要企業の市場シェア分析
  • 製品のベンチマークと性能比較

第5章 世界のゲート・オール・アラウンド(GAAT)トランジスタ市場:トランジスタの種類別

  • ナノシートGAAトランジスタ
  • ナノワイヤGAAトランジスタ
  • Forksheet GAAトランジスタ
  • その他のGAAトランジスタの種類

第6章 世界のゲート・オール・アラウンド(GAAT)トランジスタ市場:素材別

  • シリコン系GAAトランジスタ
  • ゲルマニウム系GAAトランジスタ
  • III-V族化合物半導体GAAトランジスタ

第7章 世界のゲート・オール・アラウンド(GAAT)トランジスタ市場:ノードサイズ別

  • 3 nm以下
  • 3 nm以上

第8章 世界のゲート・オール・アラウンド(GAAT)トランジスタ市場:用途別

  • 人工知能およびハイパフォーマンス・コンピューティング
  • スマートフォンおよび民生用電子機器
  • 自動車用電子機器
  • データセンター
  • 電気通信
  • 産業用エレクトロニクス

第9章 世界のゲート・オール・アラウンド(GAAT)トランジスタ市場:地域別

  • 北米
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
  • 欧州
    • 英国
    • ドイツ
    • フランス
    • イタリア
    • スペイン
    • オランダ
    • ベルギー
    • スウェーデン
    • スイス
    • ポーランド
    • その他の欧州諸国
  • アジア太平洋
    • 中国
    • 日本
    • インド
    • 韓国
    • オーストラリア
    • インドネシア
    • タイ
    • マレーシア
    • シンガポール
    • ベトナム
    • その他のアジア太平洋諸国
  • 南米
    • ブラジル
    • アルゼンチン
    • コロンビア
    • チリ
    • ペルー
    • その他の南米諸国
  • 世界のその他の地域(RoW)
    • 中東
      • サウジアラビア
      • アラブ首長国連邦
      • カタール
      • イスラエル
      • その他の中東諸国
    • アフリカ
      • 南アフリカ
      • エジプト
      • モロッコ
      • その他のアフリカ諸国

第10章 戦略的市場情報

  • 産業価値ネットワークとサプライチェーン評価
  • 空白領域と機会マッピング
  • 製品進化と市場ライフサイクル分析
  • チャネル、流通業者、および市場参入戦略の評価

第11章 業界動向と戦略的取り組み

  • 合併・買収
  • パートナーシップ、提携、および合弁事業
  • 新製品発売と認証
  • 生産能力の拡大と投資
  • その他の戦略的取り組み

第12章 企業プロファイル

  • Intel Corporation
  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
  • Samsung Electronics Co., Ltd.
  • SK hynix Inc.
  • Micron Technology, Inc.
  • Advanced Micro Devices, Inc.
  • NVIDIA Corporation
  • IBM Corporation
  • GlobalFoundries Inc.
  • Semiconductor Manufacturing International Corporation
  • United Microelectronics Corporation
  • imec
  • Applied Materials, Inc.
  • Lam Research Corporation
  • Tokyo Electron Limited