2034年までのEUVリソグラフィー材料市場の予測―材料の種類、フォトレジストの化学組成、層、テクノロジーノード、エンドユーザー、地域別の世界分析

Stratistics MRCによると、世界のEUVリソグラフィー材料市場は2026年に18億米ドル規模となり、予測期間中はCAGR 14.2％で拡大し、2034年までに52億米ドルに達すると見込まれています。

EUVリソグラフィー材料とは、極端紫外線（EUV）リソグラフィーにおいて、極めて微細な半導体構造を形成するために使用される特殊な材料のことです。このカテゴリーには、約13.5ナノメートルのEUV放射を用いてパターン転写を可能にする、EUVフォトレジスト、アンダーレイヤー、ハードマスク、現像液、および関連するプロセス用化学薬品が含まれます。これらの材料は、高解像度、高感度、パターンの忠実度、およびプロセスに関連する欠陥に対する耐性を備えている必要があります。これらは、最先端のプロセスノードにおける高度なロジックデバイスやメモリデバイスの製造に不可欠です。EUVレジストシステムは、解像度と露光効率のバランスを取りつつ、ラインエッジの粗さやパターンのばらつきといった確率的欠陥を抑制する必要があります。半導体の微細化が進むにつれ、先進的なEUV材料への需要が高まっています。調査は、金属含有レジストや化学増幅型レジスト、改良されたアンダーレイヤー、欠陥の低減、そしてますます複雑化する高NA EUVリソグラフィープロセスを支えることのできる材料に焦点を当てています。

市場力学

先進ノード製造への需要の高まり

AI、5G、および高性能コンピューティング用途向けに、EUVリソグラフィーを用いた先進ノード半導体の生産が増加しており、これがEUVリソグラフィー材料の需要を牽引しています。EUVリソグラフィーは7nm以下の微細構造のパターニングを可能にし、これはムーアの法則に基づく微細化を継続するために不可欠です。デバイスあたりのEUV層数が増加するにつれ、ウエハーあたりの材料消費量も増加しています。EUVスキャナーの導入台数が増加していることで、互換性のあるフォトレジストや関連材料への需要が高まっています。先進ノードにおける解像度の向上と欠陥の低減に対する需要が、高品質な材料の採用を後押ししています。

高い材料コストとプロセスの複雑さ

EUVフォトレジストおよび関連材料の高コストは、特にコストに敏感な用途において、採用の大きな障壁となっています。EUVリソグラフィのプロセスの複雑さには、専門的な知識と広範なプロセス最適化が求められます。確率的な欠陥やラインエッジの粗さといった課題に対処するためには、継続的な材料の革新が必要です。認定されたEUV材料サプライヤーの数が限られているため、サプライチェーンの柔軟性が制約されています。金属含有レジストに対する環境および安全要件は、総所有コスト（TCO）をさらに押し上げています。

金属酸化物レジストの採用と新化学組成の開発

先端ノード向け金属酸化物レジストの採用拡大は、材料サプライヤーにとって大きなビジネスチャンスとなります。2nm未満のノード向け新規フォトレジスト化学系技術の開発は、他社との差別化を図る機会を生み出します。メモリ製造へのEUVリソグラフィの拡大は、新たな材料需要を生み出します。先進パッケージング用途におけるEUVパターニングの拡大は、対象市場を広げます。サステナビリティへの取り組みは、環境に優しいEUV材料の代替品に対する需要を後押ししています。

技術の移行と量産における課題

技術の移行により、既存のEUV材料の配合が陳腐化する可能性があり、継続的なイノベーションへの投資が必要となります。金属酸化物レジストの大量生産における課題が、導入スケジュールを制限する可能性があります。半導体市場の景気循環は、EUV材料の需要に影響を与えます。地政学的緊張により、重要なEUV材料のサプライチェーンが混乱する可能性があります。代替パターニング技術との競合により、特定の用途における成長が制限される可能性があります。

新型コロナウイルス（COVID-19）の影響：

新型コロナウイルス感染症（COVID-19）のパンデミックは、デジタルトランスフォーメーションと半導体需要を加速させ、先進ノードの製造能力への投資およびEUVリソグラフィの導入を後押ししました。サプライチェーンの混乱は、EUV材料の供給安定性の重要性を浮き彫りにし、地域での生産イニシアチブを加速させました。パンデミック後の期間においても、EUVリソグラフィの生産能力への持続的な投資が見られ、材料需要を支えています。半導体製造に対する政府の支援が拡大しており、市場の成長を引き続き牽引しています。次世代デバイスアーキテクチャを実現するためには、EUV材料の革新が依然として不可欠です。

予測期間中、EUVフォトレジストセグメントが最大の市場規模を占めると予想されます

EUVフォトレジストセグメントは、予測期間中に最大の市場シェアを占めると予想されます。これは、フォトレジストがEUVパターニングを可能にする重要な材料であるためです。先進ノード製造への需要の高まりが、フォトレジストの消費量増加と性能要件の向上を牽引しています。フォトレジストの化学的進歩により、解像度の向上と欠陥の低減が可能となっています。確立された供給関係と応用に関する専門知識が、このセグメントの主導的地位を支えています。EUVフォトレジストは、先進ノードにおいて必要なパターン忠実度を達成するために不可欠です。

金属酸化物レジストセグメントは、予測期間中に最も高いCAGRを示すと予想されます

予測期間中、金属酸化物レジストセグメントは、先進ノードにおける重要層への採用拡大に牽引され、最も高い成長率を示すと予測されています。金属酸化物レジストは、化学増幅型レジストと比較して、より高いエッチング耐性と解像度の向上を実現します。2nm以下のパターニングに対する需要の高まりが、このセグメントの成長を支えています。金属酸化物レジストの配合技術の進歩により、性能が向上し、欠陥が低減されています。困難なEUV用途においては、金属酸化物レジストがますます好まれるようになっています。

シェアが最大の地域：

予測期間中、台湾、韓国、日本における先進ノードの製造拠点が支配的であることから、アジア太平洋地域が最大の市場シェアを占めると予想されます。同地域には、EUVリソグラフィーを広く採用している世界有数のファウンダリやメモリメーカーが拠点を置いています。主要な半導体メーカーが、EUV材料に対する大幅な需要を牽引しています。半導体製造に対する政府の支援が、同地域の市場における主導的地位を強化しています。先進ノードの生産能力拡大が継続することで、EUV材料の需要が促進されます。

CAGRが最も高い地域：

予測期間中、アジア太平洋地域は、同地域全体における先進ノードの生産能力拡大とEUVの導入が継続することを背景に、最も高いCAGRを示すと予想されます。韓国と台湾は、メモリおよびロジックデバイス向けのEUVリソグラフィー生産能力を拡大しています。中国は国内のEUV開発に投資しており、長期的な需要の潜在力を生み出しています。先進ノード生産への投資拡大は、EUV材料の需要を加速させます。地域的なサプライチェーンの整備が市場の成長を支えています。

無料カスタマイズサービス：

本レポートをご購入いただいたすべてのお客様は、以下の無料カスタマイズオプションの中から1つをお選びいただけます：

• 企業プロファイリング
  • 追加の市場プレイヤー（最大3社）に関する包括的なプロファイリング
  • 主要企業のSWOT分析（最大3社）
• 地域別セグメンテーション
  • お客様の関心に応じて、主要な国における市場推計・予測、およびCAGR（注：実現可能性の確認次第となります）
• 競合ベンチマーキング
  • 製品ポートフォリオ、地理的展開、戦略的提携に基づく主要企業のベンチマーキング

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

• 市場概況と主なハイライト
• 促進要因、課題、機会
• 競合情勢の概要
• 戦略的洞察と提言

第2章 調査フレームワーク

• 調査目的と範囲
• 利害関係者分析
• 調査前提条件と制約
• 調査手法

第3章 市場力学と動向分析

• 市場定義と構造
• 主要な市場促進要因
• 市場抑制要因と課題
• 成長機会と投資の注目分野
• 業界の脅威とリスク評価
• 技術とイノベーションの見通し
• 新興市場・高成長市場
• 規制および政策環境
• COVID-19の影響と回復展望

第4章 競合環境と戦略的評価

• ポーターのファイブフォース分析
  • 供給企業の交渉力
  • 買い手の交渉力
  • 代替品の脅威
  • 新規参入業者の脅威
  • 競争企業間の敵対関係
• 主要企業の市場シェア分析
• 製品のベンチマークと性能比較

第5章 世界のEUVリソグラフィー材料市場：素材のタイプ別

• EUVフォトレジスト
• 下地材料
• トップコート材料
• 現像液ソリューション
• リソグラフィ用補助化学薬品
• その他のEUV材料

第6章 世界のEUVリソグラフィー材料市場：フォトレジストの化学組成別

• 化学増感型レジスト
• 金属酸化物レジスト
• 分子ガラス系レジスト
• 非化学増感型レジスト
• ハイブリッドレジスト
• その他のフォトレジストの化学組成

第7章 世界のEUVリソグラフィー材料市場：層別

• 重要金属層
• 配線層
• コンタクト層
• ビア層
• カット層およびブロック層
• その他の層

第8章 世界のEUVリソグラフィー材料市場：テクノロジーノード別

• 7 nmクラスノード
• 5 nmクラスノード
• 3 nmクラスノード
• 2 nmクラスノード
• 2 nm未満のノード

第9章 世界のEUVリソグラフィー材料市場：エンドユーザー別

• ロジックデバイスメーカー
• メモリメーカー
• ファウンダリ
• 垂直統合型デバイスメーカー
• 研究開発施設
• その他のエンドユーザー

第10章 世界のEUVリソグラフィー材料市場：地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
  • メキシコ
• 欧州
  • 英国
  • ドイツ
  • フランス
  • イタリア
  • スペイン
  • オランダ
  • ベルギー
  • スウェーデン
  • スイス
  • ポーランド
  • その他の欧州諸国
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • インド
  • 韓国
  • オーストラリア
  • インドネシア
  • タイ
  • マレーシア
  • シンガポール
  • ベトナム
  • その他のアジア太平洋諸国
• 南米
  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • コロンビア
  • チリ
  • ペルー
  • その他の南米諸国
• 世界のその他の地域（RoW）
  • 中東
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • カタール
    • イスラエル
    • その他の中東諸国
  • アフリカ
    • 南アフリカ
    • エジプト
    • モロッコ
    • その他のアフリカ諸国

第11章 戦略的市場情報

• 産業価値ネットワークとサプライチェーン評価
• 空白領域と機会マッピング
• 製品進化と市場ライフサイクル分析
• チャネル、流通業者、および市場参入戦略の評価

第12章 業界動向と戦略的取り組み

• 合併・買収
• パートナーシップ、提携、および合弁事業
• 新製品発売と認証
• 生産能力の拡大と投資
• その他の戦略的取り組み

第13章 企業プロファイル

• Japan Advanced Semiconductor Technology Co., Ltd.
• Japan Electronic Materials Corporation
• Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.
• TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
• JSR Corporation
• Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
• Fujifilm Holdings Corporation
• Merck KGaA
• DuPont de Nemours, Inc.
• SCREEN Holdings Co., Ltd.
• Entegris, Inc.
• AGC Inc.
• Resonac Holdings Corporation
• ArF Monomer Co., Ltd.
• Inpria Corporation