III-V族半導体の世界市場、2034年までの予測：材料タイプ別、製品別、成膜技術別、ウエハーサイズ別、用途別、エンドユーザー別、地域別

Stratistics MRCによると、III-V族半導体の世界市場は2026年に194億米ドル規模となり、2034年までに348億米ドルに達すると予想されており、予測期間中はCAGR 7.6％で成長すると見込まれています。

III-V系半導体とは、周期表の第III族・第V族の元素から構成される半導体材料を指し、シリコンと比較して、より高い電子移動度、より広いバンドギャップ、直接バンドギャップ特性など、優れた電子的・光電子的特性を備えています。これらの材料には、ガリウムヒ素、窒化ガリウム、リン化インジウム、ガリウムヒ素インジウム、アルミニウムガリウムヒ素、リン化ガリウム、アンチモン化インジウム、その他のIII-V系材料が含まれ、ディスクリートデバイス、集積回路、レーザーダイオード、LED、光検出器、太陽電池などの製品に幅広く利用されています。その結果、III-V族半導体は、高性能な電子・オプトエレクトロニクス用途を実現するために不可欠なものとなっています。

高速通信・オプトエレクトロニクスに対する需要の高まり

高速通信・オプトエレクトロニクスアプリケーションに対する需要の高まりは、III-V族半導体市場の主要な成長要因となっています。III-V材料は、通信やデータセンターで使用される高周波デバイス、レーザー、光検出器に不可欠な、優れた電子移動度と直接バンドギャップ特性を備えています。5Gネットワークや光ファイバー通信システムの導入拡大が、III-Vデバイスの需要を牽引しています。レーザーや光検出器などの高性能な光電子部品の必要性が、市場の成長を支えています。通信速度が向上し続け、光電子アプリケーションが拡大するにつれ、III-V系半導体ソリューションへの需要は引き続き高まっています。

高い製造コストと複雑な製造プロセス

III-V系半導体市場は、製造コストの高さと製造プロセスの複雑さという大きな課題に直面しており、これらが生産を制約し、価格上昇を招く可能性があります。III-V系基板の製造には、分子線エピタキシーや金属有機化学気相成長法などの特殊な成長技術が必要であり、これらはシリコン加工に比べてより複雑でコストもかかります。大口径のIII-V系基板の供給が限られているため、生産規模や生産能力が制約されています。さらに、III-V系デバイスの製造における歩留まりは、一般的にシリコンよりも低いため、コスト高の一因となっています。こうしたコストや複雑さといった要因により、特にコストに敏感な用途において、III-V系の採用が制限される可能性があります。

5G、データセンター、高度なセンシング用途の拡大

5Gネットワーク、データセンターインフラ、高度なセンシング用途の拡大は、III-V系半導体メーカーにとって大きなビジネスチャンスをもたらしています。5Gインフラでは、RF増幅や信号処理のために高性能なIII-V系デバイスが必要とされます。データセンターでは、高速光通信用にレーザーや光検出器などの光電子部品が求められています。LiDARやイメージングを含む高度なセンシング用途では、III-V系光検出器やレーザーダイオードが活用されています。これらのアプリケーション分野が成長を続けるにつれ、III-V系半導体のイノベーションに向けた機会も拡大し続けています。

シリコンフォトニクス・代替材料との競合

III-V族半導体市場は、特定の用途における採用を制限しかねない、シリコンフォトニクスや代替材料からの競合という脅威に直面しています。シリコンフォトニクスは、光通信用途において、既存のシリコン製造インフラとの統合を可能にします。2次元材料やペロブスカイトなどの新興材料は、光電子用途に対する代替ソリューションとなり得ます。さらに、シリコンRFデバイスやパワーデバイスの進歩により、性能格差が縮小する可能性があります。こうした競合圧力により、III-V族半導体メーカーは、性能と機能面において明確な優位性を示すことが求められています。

新型コロナウイルス（COVID-19）の影響：

COVID-19のパンデミックは、通信、データセンター、民生用電子機器への需要を加速させる一方で、製造業務やサプライチェーンに混乱をもたらし、III-V系半導体市場に大きな影響を与えました。リモートワークへの移行により、通信インフラやデータセンター機器への需要が増加し、III-V系半導体の需要を牽引しました。サプライチェーンの混乱は、基板の供給状況や製造能力に影響を及ぼしました。需要の増加に対する半導体業界の対応が、III-V市場の継続的な成長を支えました。デジタルトランスフォーメーションや通信需要が加速する中、高速アプリケーション向けのIII-V族半導体技術への注目が高まりました。

予測期間中、ガリウムヒ素セグメントが最大の市場規模を占めると予想される

ガリウムヒ素（GaAs）セグメントは、RFデバイス、オプトエレクトロニクス、高速通信アプリケーションでの広範な利用に牽引され、通信・民生用電子機器向けに優れた電子移動度と性能を提供することから、予測期間中は最大の市場シェアを占めると予想されます。GaAsは、RF増幅・オプトエレクトロニクス用途において優れた性能を発揮します。通信・民生用電子機器の需要が引き続き堅調であることから、GaAsはIII-V族半導体市場において最大の材料セグメントとしての地位を維持しています。

窒化ガリウムセグメントは、予測期間中に最も高いCAGRを示すと予想される

予測期間中、窒化ガリウム（GaN）セグメントは、5Gインフラ、パワーエレクトロニクス、RFデバイスなど、高い電力密度と効率が不可欠な高出力・高周波アプリケーションにおける優れた性能に牽引され、最も高い成長率を示すと予測されています。GaNは、さまざまなアプリケーションにおいて、より効率的なRF増幅と電力変換を可能にします。GaN技術の成熟と採用の拡大に伴い、GaNベースのデバイスに対する需要は引き続き加速しています。

最大のシェアを占める地域：

予測期間中、アジア太平洋地域は最大の市場シェアを占めると予想されます。これは、中国、日本、韓国、台湾、マレーシアなどの国々において、民生用電子機器の製造、通信インフラの生産、オプトエレクトロニクスの製造が集中していることが要因です。同地域が民生用電子機器・通信機器の製造において主導的な地位を占めていることが、III-V族半導体の需要を支えています。さらに、オプトエレクトロニクス・半導体製造の存在も、同地域が最大の市場シェアを占める一因となっています。

CAGRが最も高い地域：

予測期間中、アジア太平洋地域は最も高いCAGRを示すと予想されており、継続的な家電製品の生産と通信分野の拡大を通じて、市場における主導的地位をさらに強固なものにする見込みです。この成長は、アジア太平洋諸国における5Gインフラ、オプトエレクトロニクス、データセンター、家電製品向けのIII-V系半導体に対する需要の増加によって牽引されています。中国のエレクトロニクス製造規模、日本の半導体技術、そして韓国の技術的リーダーシップが、同地域の成長を支えています。

無料カスタマイズサービス：

本レポートをご購入いただいたすべてのお客様は、以下の無料カスタマイズオプションの中から1つをお選びいただけます：

• 企業プロファイリング
  • 追加の市場プレイヤー（最大3社）に関する包括的なプロファイリング
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• 地域別セグメンテーション
  • お客様のご要望に応じて、主要な国における市場推計・予測、CAGR（注：実現可能性の確認次第となります）
• 競合ベンチマーキング
  • 製品ポートフォリオ、事業展開地域、戦略的提携に基づく主要企業のベンチマーキング

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

• 市場概況と主なハイライト
• 促進要因、課題、機会
• 競合情勢の概要
• 戦略的洞察と提言

第2章 調査フレームワーク

• 調査目的と範囲
• 利害関係者分析
• 調査前提条件と制約
• 調査手法

第3章 市場力学と動向分析

• 市場定義と構造
• 主要な市場促進要因
• 市場抑制要因と課題
• 成長機会と投資の注目分野
• 業界の脅威とリスク評価
• 技術とイノベーションの見通し
• 新興市場・高成長市場
• 規制・政策環境
• COVID-19の影響と回復展望

第4章 競合環境と戦略的評価

• ポーターのファイブフォース分析
  • 供給企業の交渉力
  • 買い手の交渉力
  • 代替品の脅威
  • 新規参入業者の脅威
  • 競争企業間の敵対関係
• 主要企業の市場シェア分析
• 製品のベンチマークと性能比較

第5章 世界のIII-V族半導体市場：材料タイプ別

• ヒ化ガリウム（GaAs）
• 窒化ガリウム（GaN）
• リン化インジウム（InP）
• インジウム・ガリウム・ヒ素（InGaAs）
• アルミニウム・ガリウム・ヒ素（AlGaAs）
• リン化ガリウム（GaP）
• アンチモン化インジウム（InSb）
• その他

第6章 世界のIII-V族半導体市場：製品別

• ディスクリートデバイス
• 集積回路（IC）
• レーザーダイオード
• LED
• 光検出器
• 太陽電池
• その他

第7章 世界のIII-V族半導体市場：成膜技術別

• 分子線エピタキシー（MBE）
• 有機金属気相成長法（MOCVD）
• ハイドライド気相成長法（HVPE）
• 液相エピタキシー（LPE）
• その他

第8章 世界のIII-V族半導体市場：ウエハーサイズ別

• 2インチ
• 4インチ
• 6インチ
• 8インチ
• 8インチ超

第9章 世界のIII-V族半導体市場：用途別

• 高周波（RF）
• パワーエレクトロニクス
• オプトエレクトロニクス
• フォトニクス
• データ通信
• 高速コンピューティング
• センシング
• エネルギーハーベスティング

第10章 世界のIII-V族半導体市場：エンドユーザー別

• 通信
• コンシューマーエレクトロニクス
• 自動車
• 航空宇宙・防衛
• 産業
• ヘルスケア・医療機器
• データセンター
• 再生可能エネルギー
• 研究・学術

第11章 世界のIII-V族半導体市場：地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
  • メキシコ
• 欧州
  • 英国
  • ドイツ
  • フランス
  • イタリア
  • スペイン
  • オランダ
  • ベルギー
  • スウェーデン
  • スイス
  • ポーランド
  • その他の欧州諸国
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • インド
  • 韓国
  • オーストラリア
  • インドネシア
  • タイ
  • マレーシア
  • シンガポール
  • ベトナム
  • その他のアジア太平洋諸国
• 南米
  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • コロンビア
  • チリ
  • ペルー
  • その他の南米諸国
• 世界のその他の地域（RoW）
  • 中東
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • カタール
    • イスラエル
    • その他の中東諸国
  • アフリカ
    • 南アフリカ
    • エジプト
    • モロッコ
    • その他のアフリカ諸国

第12章 戦略的市場情報

• 産業価値ネットワークとサプライチェーン評価
• 空白領域と機会マッピング
• 製品進化と市場ライフサイクル分析
• チャネル、流通業者、市場参入戦略の評価

第13章 業界動向と戦略的取り組み

• 合併・買収
• パートナーシップ、提携、合弁事業
• 新製品発売と認証
• 生産能力の拡大と投資
• その他の戦略的取り組み

第14章 企業プロファイル

• Coherent Corp.
• IQE plc
• WIN Semiconductors Corp.
• Qorvo, Inc.
• MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
• Sumitomo Electric Industries, Ltd.
• AXT, Inc.
• Broadcom Inc.
• Skyworks Solutions, Inc.
• Infineon Technologies AG
• Mitsubishi Electric Corporation
• Lumentum Holdings Inc.
• United Monolithic Semiconductors
• Global Communication Semiconductors, LLC
• Freiberger Compound Materials GmbH