化合物半導体：市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2026年～2031年）

Mordor Intelligenceによると、2026年の化合物半導体市場の規模は400億2,000万米ドルと推定されており、2025年の359億5,000万米ドルから拡大し、2031年には684億7,000万米ドルに達すると予測されています。

2026年から2031年にかけてのCAGRは11.32％となる見込みです。

本レポートは、材料タイプ（ヒ素化ガリウム、窒化ガリウム、炭化ケイ素など）、ウエハーサイズ（100mm以下、150mm、200mm、300mm以上）、デバイスタイプ（RFおよびマイクロ波デバイスなど）、エンドユーザー産業（通信・データ通信インフラ、民生用電子機器、産業・エネルギーなど）、および地域（北米、欧州、アジア太平洋、南米、中東・アフリカ）ごとに分類されています。

世界の化合物半導体市場の動向と洞察

EUおよび中国のEV充電器におけるGaN-on-Siパワーデバイス

欧州の排出ガス規制および中国の高速道路電化政策により、350 kW以上の急速充電器におけるGaN-on-Siの採用が促進されました。これにより、95％の電力変換効率を達成し、シリコン製代替品と比較して設置コストを最大40％削減することができました。広帯域ギャップ半導体製造工場向けにEUグリーンディールから20億ユーロ（22億6,000万米ドル）の資金が拠出されたことで、この移行がさらに加速しました。一方、中国によるガリウム輸出規制は、現地調達戦略を後押ししました。

米国およびアジア太平洋地域における5GマッシブMIMO RFフロントエンド

スタンドアロン型5Gおよび64T64R以上のアンテナアレイへの移行に伴い、基地局のエネルギー消費を40％削減し、ミリ波帯のカバレッジを実現するGaAsおよびGaNパワーアンプが必要となりました。韓国での初期導入では人口の95％をカバーするに至り、CHIPS法による助成金により、米国のファブは国内におけるGaAs生産の拡大に向けた準備を整えました。

200 mm SiC基板の供給不足

メーカー各社は、インゴット成長サイクルに最大14日を要し、炉の容量にも限りがあったため、200mm SiCウエハーの供給不足が40％に上ると報告しました。そのため、自動車OEM各社は割高な価格で複数年にわたる契約を締結し、II-VIなどの基板メーカーは価格決定力を獲得しました。

セグメント分析

材料分野における化合物半導体市場の規模では、2025年においてもガリウムヒ素が46.85％のシェアを維持しました。炭化ケイ素は、トラクションインバータや急速充電用パワーモジュールに支えられ、CAGR 18.1％が見込まれました。窒化ガリウムは、650 V双方向ICの発売により、エネルギー貯蔵用双方向充電器での採用が拡大し、シェアを徐々に伸ばしました。リン化インジウムは、絶対数量は少なかったもの、LiDAR用フォトニック集積回路やサブTHz帯6Gプロトタイプにおいて不可欠な素材であり続けました。

各セグメントの成長は、シリコンでは実現できない広帯域ギャップ特性、高い電子移動度、および高い絶縁破壊電圧に左右されました。RF用GaN-on-Siにおける調査の進展により、GaNの用途が6G基地局用PAへ拡大することが期待されました。ガリウムおよびインジウムの原料が依然として輸出規制の対象となっているため、コスト面での圧力は続いており、リサイクル原料やAlYNなどの代替材料への関心が高まっています。

2025年には、150 mm基板が売上高の48.02%を占めましたが、200 mmプラットフォームは14.95%という最も高いCAGRが見込まれました。ダイ数の多さを必要とする自動車用パワーモジュールでは、150 mmラインに比べてウエハー当たりのダイコストを30%削減できると予測されることから、200 mmが好まれました。インフィニオンのマレーシア・メガファブは、2030年までに世界供給量の30％を賄うことを目指して設計された200mm SiC生産ラインにより、スケールメリットを実証しました。

より小型の（100 mm以下）フォーマットは、衛星通信など、生産量は少ないもの性能が極めて重要な分野での地位を維持しました。一方、GaN-on-Siのプロトタイプにおいて300 mmのビジネスチャンスが浮上したもの、膜応力、反り制御、欠陥密度といった技術的課題により、商用化は予測期間を過ぎても実現しませんでした。装置サプライヤーは、稼働率を最大化し、設備投資コストを償却するために85～90％の稼働率を目標として、200 mmリアクタープラットフォームを優先しました。

地域別分析

アジア太平洋地域は2025年に売上高の58.25％を占め、2031年までのCAGRは13.95％と見込まれています。同地域の化合物半導体市場規模は、中国が計画する月産860万ウエハーの生産能力と、台湾のファウンダリ業界における優位性によって恩恵を受けました。2024年に導入されたガリウム、ゲルマニウム、インジウムに対する輸出規制は、集中リスクを浮き彫りにし、各地方政府が上流材料への補助金拠出に踏み切るきっかけとなりました。

北米では、390億米ドルの「CHIPSインセンティブ」の下で、国内サプライチェーンの整備が推進されました。スカイワークス社とコーヴォ社はGaAsの生産拡大プロジェクトを計画し、TSMCの1,650億米ドル規模のアリゾナ・クラスターは、化合物半導体の先端パッケージング能力を組み込むべく加速しました。III-V族デバイスへの確実なアクセスを確保するという防衛上の要件も、さらなる推進力となりました。

欧州は、ワイドバンドギャップ半導体を「グリーン・ディール」および「欧州チップ法」の柱として位置づけました。ドイツは国内生産に20億ユーロ（22億6,000万米ドル）を割り当て、一方、ネクスペリアはハンブルクのSiC生産ラインに2億米ドルを投じました。サプライチェーンの現地化は、世界の超高純度石英の70～90％を脅かしたノースカロライナ州の石英鉱山での供給混乱など、アジアに偏った供給網による衝撃を軽減することを目的としています。

その他の特典：

• エクセル形式の市場予測（ME）シート
• 3ヶ月間のアナリストによるサポート

よくあるご質問

• 2026年の化合物半導体市場の規模はどのように予測されていますか？
  • 400億2,000万米ドルと推定されており、2025年の359億5,000万米ドルから拡大し、2031年には684億7,000万米ドルに達すると予測されています。CAGRは11.32％です。
• 化合物半導体市場はどのような材料タイプに分類されていますか？
  • ヒ素化ガリウム、窒化ガリウム、炭化ケイ素などに分類されています。
• 化合物半導体市場はどのようなウエハーサイズに分類されていますか？
  • 100mm以下、150mm、200mm、300mm以上に分類されています。
• 化合物半導体市場はどのようなデバイスタイプに分類されていますか？
  • RFおよびマイクロ波デバイスなどに分類されています。
• 化合物半導体市場はどのようなエンドユーザー産業に分類されていますか？
  • 通信・データ通信インフラ、民生用電子機器、産業・エネルギーなどに分類されています。
• アジア太平洋地域の化合物半導体市場の売上高はどのくらいですか？
  • 2025年に売上高の58.25％を占め、2031年までのCAGRは13.95％と見込まれています。
• 化合物半導体市場における主要企業はどこですか？
  • Wolfspeed Inc.、Skyworks Solutions Inc.、Qorvo Inc.、Infineon Technologies AG、STMicroelectronics N.V.などです。
• 200 mm SiC基板の供給不足はどのような影響を与えていますか？
  • 供給不足が40％に上ると報告され、自動車OEM各社は割高な価格で複数年にわたる契約を締結しています。

目次

第1章 イントロダクション

• 調査の前提条件と市場の定義
• 調査範囲

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 市場情勢

• 市場概要
• 市場促進要因
  • EUおよび中国のEV充電器におけるGaN-on-Siパワーデバイス
  • 米国およびアジア太平洋地域における5G Massive-MIMO RFフロントエンド
  • テレビおよびARウェアラブル機器におけるMicro/Mini-LEDの採用
  • 欧州の商用EV向けSiCトラクションインバータ
  • 米国・EUのCHIPS法に基づくIII-V FABへの優遇措置
  • 自動運転車向けInP系LiDAR用PIC
• 市場抑制要因
  • 200 mm SiC基板の供給不足
  • MOCVDリアクターの高額な設備投資
  • 650 V超のGaNデバイスにおける信頼性に関する懸念
  • 中国向けエピツールに対する米国の輸出規制
• バリューチェーン分析
• 技術展望
• 規制展望
• ポーターのファイブフォース分析
• マクロ経済動向が化合物半導体の需要に与える影響

第5章 市場規模と成長予測

• 材料タイプ別
  • ヒ素ガリウム（GaAs）
  • 窒化ガリウム（GaN）
  • 炭化ケイ素（SiC）
  • リン化インジウム（InP）
  • リン化ガリウム（GaP）
  • その他のIII-V系およびII-VI系化合物
• ウエハーサイズ別
  • 100 mm以下
  • 150 mm
  • 200 mm
  • 300 mm以上
• デバイスタイプ別
  • 発光ダイオード（LED）
  • 高周波・マイクロ波デバイス
  • オプトエレクトロニクス（レーザー、光検出器）
  • パワーエレクトロニクス
  • 太陽電池セル
• エンドユーザー産業別
  • 通信・データ通信インフラ
  • 家庭用電子機器
  • 自動車・輸送産業
  • 産業・エネルギー
  • 航空宇宙・防衛
  • ヘルスケア・ライフサイエンス
  • その他
• 地域別
  • 北米
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
  • 欧州
    • ドイツ
    • 英国
    • フランス
    • イタリア
    • 北欧諸国（スウェーデン、フィンランド、ノルウェー、デンマーク）
    • その他の欧州諸国
  • アジア太平洋
    • 中国
    • 日本
    • 韓国
    • インド
    • 台湾
    • その他のアジア太平洋諸国
  • 南米
    • ブラジル
    • アルゼンチン
    • メキシコ
    • その他の南米諸国
  • 中東・アフリカ
    • 中東
      • サウジアラビア
      • アラブ首長国連邦
      • トルコ
      • その他の中東諸国
    • アフリカ
      • 南アフリカ
      • その他のアフリカ諸国

第6章 競合情勢

• 市場集中度
• 戦略的動向
• 市場シェア分析
• 企業プロファイル
  • Wolfspeed Inc.
  • Skyworks Solutions Inc.
  • Qorvo Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • STMicroelectronics N.V.
  • Onsemi（Semiconductor Components Industries LLC）
  • Analog Devices Inc.
  • Texas Instruments Inc.
  • ams-OSRAM AG
  • Rohm Semiconductor
  • NXP Semiconductors N.V.
  • GaN Systems Inc.
  • Transphorm Inc.
  • MACOM Technology Solutions Holdings Inc.
  • IQE plc
  • Coherent Corp.（II-VI）
  • WIN Semiconductors Corp.
  • Advanced Wireless Semiconductor Company
  • Nichia Corporation
  • Epistar Corporation
  • Sumitomo Electric Industries Ltd.
  • Renesas Electronics Corporation
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • Microchip Technology Inc.
  • Veeco Instruments Inc.

第7章 市場機会と将来の展望