|
市場調査レポート
商品コード
1900270
窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体市場規模、シェア、成長分析：プロセッサ別、電力範囲別、業界別、地域別－業界予測2026-2033年GaN and SiC Power Semiconductor Market Size, Share, and Growth Analysis, By Processor (SiC power module, GaN power module), By Power range (Low-Power, Medium-Power), By Vertical, By Region - Industry Forecast 2026-2033 |
||||||
|
|||||||
| 窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体市場規模、シェア、成長分析：プロセッサ別、電力範囲別、業界別、地域別－業界予測2026-2033年 |
|
出版日: 2025年12月19日
発行: SkyQuest
ページ情報: 英文 197 Pages
納期: 3～5営業日
|
概要
GaNおよびSiCパワー半導体市場規模は、2024年に28億9,000万米ドルと評価され、2025年の36億3,000万米ドルから2033年までに224億8,000万米ドルへ成長する見込みです。予測期間（2026年～2033年）におけるCAGRは25.6％と予測されています。
GaN（窒化ガリウム）およびSiC（炭化ケイ素）パワー半導体市場は著しい成長と革新を遂げており、従来のシリコンベースの選択肢に代わる重要な代替品として台頭しています。これらの材料は、効率性、スイッチング速度、耐熱性において性能を大幅に向上させ、高周波および高温環境でのニーズに対応します。自動車、産業、再生可能エネルギー、民生用電子機器、通信などの分野における省エネルギー電子機器への需要増加が、市場拡大を推進しています。GaNおよびSiC半導体は、コンパクトで軽量かつ効率的なパワーコンポーネントの実現を可能にし、システム全体の機能性を最適化します。特に自動車分野では、電気自動車やハイブリッド車向けにこれらの技術を活用し、エネルギー変換効率とバッテリーの寿命向上を図っています。製造コスト削減に向けた調査が継続されているもの、生産の拡張性や統合の複雑さといった課題は依然として残っています。
GaNおよびSiCパワー半導体市場の促進要因
GaNおよびSiCパワー半導体の需要は、従来のシリコンベースの代替品に比べて優れたエネルギー効率を有することから、大きく促進されています。産業界と消費者の双方が省エネルギーと炭素排出量の最小化に注力する中、これらの先進的な半導体はエネルギー変換と管理を向上させる能力により注目を集めています。持続可能性へのこの重点化と、高性能な電力ソリューションへの需要の高まりが相まって、GaNおよびSiC技術の採用を推進しており、エネルギー使用の最適化と環境負荷の低減が求められる様々な用途で高い需要を集めています。
GaNおよびSiCパワー半導体市場の抑制要因
GaNおよびSiCパワー半導体市場は、従来のシリコンベースの部品と比較してこれらの先進材料に関連する初期コストが高いことから、重大な課題に直面しています。長期的なエネルギー効率の優位性が最終的には投資を正当化できるもの、初期費用の高さが一部の産業やアプリケーションにおけるこれらの技術の採用を妨げる可能性があります。この財政的障壁はGaNおよびSiCソリューションの導入を遅らせ、優れた性能特性から恩恵を受け得る様々な分野への浸透を制限する恐れがあります。したがって、これらの革新的な半導体技術への移行を検討する組織にとって、価格面は依然として重要な考慮事項となります。
GaNおよびSiCパワー半導体市場の動向
GaNおよびSiCパワー半導体市場は、電気自動車（EV）の普及拡大に牽引され、著しい成長を遂げております。これらの先進材料は、効率向上、急速充電機能、航続距離の延長といった優れた性能特性を提供し、EVアプリケーションにおける現代のパワーエレクトロニクスに極めて適しております。SiC半導体は、過酷な熱的・電気的条件に耐える能力から、インバーターや車載充電器を含む高電圧アプリケーションで特に好まれております。一方、GaNはDC-DCコンバータやその他の重要パワーコンポーネントにおける優先選択肢として台頭しており、クリーンエネルギー技術の絶え間なく進化する分野におけるその役割を確固たるものとしています。
よくあるご質問
目次
イントロダクション
- 調査の目的
- 調査範囲
- 定義
調査手法
- 情報調達
- 二次と一次データの方法
- 市場規模予測
- 市場の前提条件と制限
エグゼクティブサマリー
- 世界市場の見通し
- 供給と需要の動向分析
- セグメント別機会分析
市場力学と見通し
- 市場規模
- 市場力学
- 促進要因と機会
- 抑制要因と課題
- ポーターの分析
主な市場の考察
- 重要成功要因
- 競合の程度
- 主な投資機会
- 市場エコシステム
- 市場の魅力指数（2025年）
- PESTEL分析
- マクロ経済指標
- バリューチェーン分析
- 価格分析
- ケーススタディ
- 顧客および購買基準分析
- 技術分析
世界の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体市場規模：プロセッサ別& CAGR（2026-2033）
- SiCパワーモジュール
- GaNパワーモジュール
- ディスクリートSiC
- ディスクリートGaN
世界の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体市場規模：電力範囲別& CAGR（2026-2033）
- 低電力
- 中電力
- 高電力
世界の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体市場規模：業界別& CAGR（2026-2033）
- 電源装置
- 産業用モーター駆動装置
- ハイブリッド車・電気自動車（H/EV）
- 太陽光発電用インバーター
- トラクション
- その他
世界の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体市場規模& CAGR（2026-2033）
- 北米
- 米国
- カナダ
- 欧州
- ドイツ
- スペイン
- フランス
- 英国
- イタリア
- その他欧州地域
- アジア太平洋地域
- 中国
- インド
- 日本
- 韓国
- その他アジア太平洋地域
- ラテンアメリカ
- ブラジル
- その他ラテンアメリカ地域
- 中東・アフリカ
- GCC諸国
- 南アフリカ
- その他中東・アフリカ
競合情報
- 上位5社の比較
- 主要企業の市場ポジショニング（2025年）
- 主な市場企業が採用した戦略
- 最近の市場動向
- 企業の市場シェア分析（2025年）
- 主要企業の企業プロファイル
- 企業の詳細
- 製品ポートフォリオ分析
- 企業のセグメント別シェア分析
- 収益の前年比比較（2023-2025年）
主要企業プロファイル
- Infineon Technologies AG（Germany）
- Cree（Wolfspeed）（US）
- ROHM Semiconductor（Japan）
- STMicroelectronics N.V.（Switzerland）
- ON Semiconductor（US）
- Mitsubishi Electric Corporation（Japan）
- Fuji Electric Co., Ltd.（Japan）
- Littelfuse, Inc.（US）
- Global Power Technology Group（China）
- BASiC Semiconductor（China）
- VisIC Technologies Ltd.（Israel）
- Panasonic Corporation（Japan）
- Cambridge Electronics（UK）
- Avogy, Inc.（US）
- Vincotech GmbH（Germany）
- STMicroelectronics N.V.（Switzerland）
- Raytheon Company（US）
- Genesic semiconductor Inc.（Taiwan）
- Alpha & Omega Semiconductor Limited（AOS）（China）
- Renesas Electronics Corporation（Japan）
- SEMIKRON International GmbH.（Germany）
