炭化ケイ素（SiC）パワー半導体：世界市場シェアとランキング、総販売および需要予測（2025年～2031年）

炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の世界市場規模は、2024年に39億4,400万米ドルと推定され、2025年から2031年の予測期間においてCAGR19.5％で拡大し、2031年までに135億2,000万米ドルに再調整される見込みです。

本レポートでは、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の越境的な産業フットプリント、資本配分パターン、地域経済の相互依存性、サプライチェーンの再構築に関する、最近の関税調整と国際的な戦略的対抗措置について包括的な評価を提供します。

本レポートでは、SiC MOSFETモジュール、SiC MOSFETディスクリート、SiCダイオードを含む炭化ケイ素（SiC）パワー半導体を研究対象としています。

炭化ケイ素MOSFETは、低いオン抵抗と小さなスイッチング損失という特性を有し、デバイス損失を低減しシステム効率を向上させることができ、高周波回路に適しています。新エネルギー車モーターコントローラー、車載電源、太陽光インバーター、充電スタンド、UPS、PFC電源などの分野で広く使用されています。

炭化ケイ素（SiC）ショットキーダイオードは、半導体と金属の接合によって形成される半導体ダイオードです。SiCショットキーバリアダイオードは、シリコン製ダイオードと比較して逆方向漏れ電流が大幅に低く、順方向電圧も高い特性を持っています。これにより損失を大幅に低減できるため、システム効率の向上や製品小型化に貢献します。

SiCのエコシステム（バリューチェーン）は、上流の原材料・基板サプライヤー（バルクSiC結晶成長装置メーカー、ウエハーメーカー）、エピタキシャル（エピ）ウエハーメーカー、デバイスファブ（前工程加工）、パワーモジュール・パッケージング専門企業、試験・認定サービス、下流のシステムインテグレーター／OEM（自動車ティア1サプライヤー、インバーターメーカー、データセンター用電源装置ベンダー）に及びます。上流工程における集積化と生産能力（基板/エピ）は、コストと歩留まりを決定する戦略的ボトルネックです。中流のデバイスメーカーはプロセスIP（イオン注入、ゲート技術、トレンチまたは平面MOS構造）と自動車向けAEC-Q/TS規格への適合性を付加します。下流のプレーヤーはモジュールへの統合や冷却/熱管理ソリューションを推進しています。主要デバイスサプライヤーには、STマイクロエレクトロニクス、インフィニオン、ウルフスピード（クリー社）、ローム、オンセミ、東芝/三菱電機、ならびに複数の中国・日本の新興企業が名を連ねます。これらの企業が150～200mmウエハーの量産体制を拡大し、モジュール分野での提携を推進する中、競合は激化しています。業界の動向として注目すべき点は、単価低減のための200mm SiC製造への大規模移行（主要ベンダーが200mmロードマップを発表）、統合と垂直統合（基板・エピタキシー分野での買収・提携）、信頼性向上と自動車向け認証取得の推進、システムレベル最適化（SiC＋Siハイブリッドトポロジー、スマートなパッケージング・冷却技術）です。市場予測では、EV駆動装置や再生可能エネルギー分野におけるSiCの浸透拡大に伴い、複数年にわたる二桁のCAGRが見込まれます。ただし、供給状況や短期的な需要変動により、特定メーカーには変動が生じる可能性があります。

本レポートは、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の世界市場について、総販売数量、売上高、価格、主要企業の市場シェアおよび順位に焦点を当て、地域・国別、タイプ別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としております。

本報告書では、2024年を基準年とし、2020年から2031年までの過去データと予測データに基づき、販売数量（千単位）および売上高（百万米ドル）の観点から、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体市場の規模、推定・予測を提供しております。定量的・定性的分析の両面から、読者の皆様がビジネス／成長戦略の策定、市場競争の評価、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けの分析、および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体に関する情報に基づいたビジネス判断を行うお手伝いをいたします。

市場セグメンテーション

企業別

• STMicroelectronics
• Infineon
• Wolfspeed
• Rohm
• onsemi
• BYD Semiconductor
• Microchip（Microsemi）
• Mitsubishi Electric（Vincotech）
• Semikron Danfoss
• Fuji Electric
• Navitas（GeneSiC）
• Toshiba
• San'an Optoelectronics
• Littelfuse
• CETC 55
• WeEn Semiconductors
• BASiC Semiconductor
• SemiQ
• Diodes Incorporated
• SanRex
• Alpha & Omega Semiconductor
• Bosch
• GE Aerospace
• KEC Corporation
• PANJIT Group
• Nexperia
• Vishay Intertechnology
• Zhuzhou CRRC Times Electric
• China Resources Microelectronics Limited
• StarPower
• Yangzhou Yangjie Electronic Technology
• Guangdong AccoPower Semiconductor
• Changzhou Galaxy Century Microelectronics
• Hangzhou Silan Microelectronics
• Cissoid
• Hebei Sinopack Electronic Technology
• PN Junction Semiconductor（Hangzhou）
• United Nova Technology
• InventChip Technology
• Leadrive Technology
• HAIMOSIC（SHANGHAI）
• Suzhou Sko Semiconductor
• Shenzhen Aishite Technology
• Suzhou Xizhi Technology
• Archimedes Semiconductor（Hefei）
• Grecon Semiconductor（Shanghai）

タイプ別セグメント

• SiC MOSFETモジュール
• SiC MOSFETディスクリート
• SiC SBD
• その他（SiC JFETおよびFET）

用途別セグメント

• 自動車およびEV/HEV
• EV充電
• 産業用モーター／ドライブ
• 太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電
• UPS、データセンターおよびサーバー
• 鉄道輸送
• その他

地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • 韓国
  • 東南アジア
  • インド
  • オーストラリア
  • その他アジア太平洋地域
• 欧州
  • ドイツ
  • フランス
  • 英国
  • イタリア
  • オランダ
  • 北欧諸国
  • その他欧州
• ラテンアメリカ
  • メキシコ
  • ブラジル
  • その他ラテンアメリカ
• 中東・アフリカ
  • トルコ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • その他中東・アフリカ