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市場調査レポート
商品コード
1872335

自立型GaN基板ウエハー:世界市場シェアとランキング、総売上高および需要予測2025-2031年

Free-standing GaN Substrate Wafer - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031


出版日
発行
QYResearch
ページ情報
英文 98 Pages
納期
2~3営業日
カスタマイズ可能
適宜更新あり
自立型GaN基板ウエハー:世界市場シェアとランキング、総売上高および需要予測2025-2031年
出版日: 2025年10月22日
発行: QYResearch
ページ情報: 英文 98 Pages
納期: 2~3営業日
GIIご利用のメリット
  • 概要

自立型GaN基板ウエハーの世界市場規模は、2024年に1億6,900万米ドルと推定され、2025年から2031年の予測期間中にCAGR13.0%で拡大し、2031年までに4億300万米ドルに再調整される見込みです。

本報告書では、自立型GaN基板ウエハーに関する最近の関税調整と国際的な戦略的対抗措置について、越境的な産業フットプリント、資本配分パターン、地域経済の相互依存性、サプライチェーンの再構築といった観点から包括的な評価を提供します。

自立型GaN基板ウエハーは、ホモエピタキシャル成長技術により製造される独立した窒化ガリウム(GaN)単結晶基板であり、サファイアや炭化ケイ素などの異種基板に依存することなく支持されます。その主な特徴は、低欠陥密度、高熱伝導率、高絶縁破壊電圧であり、高性能オプトエレクトロニクス(LED/LD)、パワーエレクトロニクス、高周波エレクトロニクスなどの分野に適しています。

自立型窒化ガリウム(GaN)基板ウエハーは、次世代電子・光電子デバイスの開発における基盤材料として台頭しており、サファイア、炭化ケイ素(SiC)、シリコンなどの従来基板に比べて大きな利点を提供します。これらの基板は完全にGaN結晶で構成されており、異種基板上でのヘテロエピタキシャル成長で一般的に見られる格子定数や熱膨張係数の不一致を解消します。この一致性により、特にスレッディング転位などの欠陥密度が劇的に低減され、高性能かつ長期信頼性を備えたGaNベースデバイスの実現に極めて重要です。自立型GaN基板の需要は、主に高出力・高周波アプリケーション(RFパワーアンプ、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、電力変換器、レーザーダイオードなど)における重要な役割によって牽引されており、これらの用途では優れた熱管理と電気的性能が求められます。

用途別では、生産成熟度が高くコストが低いことから、2インチウエハーが現在市場を独占しており、2024年には約84.13%のシェアを占めました。4インチウエハーは、特に高電力・高周波電子機器分野で商業利用が徐々に進みつつありますが、歩留まりとコストパフォーマンスの最適化が依然として求められています。一方、6インチ自立型GaN基板は、次世代パワーエレクトロニクスおよびフォトニック応用に向けた量産化を目標に、世界の主要企業および中国企業によって活発に開発が進められています。欠陥密度やスケーラビリティといった技術的課題が克服されれば、これらの大型基板は規模の経済を実現し、より効率的なGaNデバイス製造を可能にすると期待されています。

用途面では、自立型GaN基板は主に光電子工学(青/紫/緑色レーザーダイオードやLEDを含む)、高周波RF電子機器(基地局部品や衛星通信など)、パワーエレクトロニクス(電気自動車用インバーターや産業用電源など)に活用されています。このうち、光電子応用分野は2024年時点で70.06%を占めております。これは、低転位密度と高光学性能に対する厳しい要求が、ヘテロエピタキシャル法よりも自立型GaN基板が優位性を発揮する領域であるためです。特に、プロジェクション、AR/VR、医療診断分野で使用されるGaNベースのレーザーダイオード市場は、急速な拡大を続けております。GaNパワーデバイスがEV、再生可能エネルギー、民生電子機器分野へさらに浸透するにつれ、大口径かつ高品質な自立型GaN基板の需要は増加が見込まれ、業界は4インチおよび6インチウエハーの中商業化へと向かうでしょう。

しかしながら、自立型GaNウエハーの製造には技術的・コスト面での課題が存在します。現行の製造方法には、水素化物気相エピタキシー(HVPE)、アンモニア熱法、ナトリウムフラックス法などが挙げられます。このうちHVPEは、高い成長速度とスケーラビリティを理由に、最も商業的に成熟し広く採用されている手法です。住友電気工業、SCIOCS、三菱化学などの世界的な主要メーカーや、蘇州ナノウィン、Eta Research Ltd.などの新興中国企業は、生産能力拡大に向けて積極的に投資を進めております。売上高ベースでは、2024年に世界トップ3社が約78.84%のシェアを占めております。

本レポートは、自立型GaN基板ウエハーの世界市場について、総販売数量、売上高、価格、主要企業の市場シェアおよび順位に焦点を当て、地域・国別、タイプ別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としています。

自立型GaNウエハー市場の市場規模・推定・予測は、販売数量(千個)および売上高(百万米ドル)で提示され、2024年を基準年とし、2020年から2031年までの期間における過去データと予測データを含みます。定量的および定性的分析の両方を用いて、読者の皆様がビジネス/成長戦略を策定し、市場の競争状況を評価し、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けを分析し、自立型GaN基板ウエハーに関する情報に基づいたビジネス上の意思決定を行うことを支援します。

市場セグメンテーション

企業別

  • Sumitomo Chemical(SCIOCS)
  • Mitsubishi Chemical
  • Sumitomo Electric Industries
  • Suzhou Nanowin Science and Technology
  • Eta Research Ltd.
  • Sino Nitride Semiconductor Technology
  • PAM XIAMEN
  • Kyma Technologies
  • Goetsu Semiconductor
  • Homray Material Technology(HMT)

タイプ別セグメント

  • 2インチ
  • 4インチ以上

用途別セグメント

  • オプトエレクトロニクス
  • パワーエレクトロニクス
  • 高周波電子機器

地域別

  • 北米
    • 米国
    • カナダ
  • アジア太平洋
    • 中国
    • 日本
    • 韓国
    • 東南アジア
    • インド
    • オーストラリア
    • その他アジア太平洋地域
  • 欧州
    • ドイツ
    • フランス
    • 英国
    • イタリア
    • オランダ
    • 北欧諸国
    • その他欧州
  • ラテンアメリカ
    • メキシコ
    • ブラジル
    • その他ラテンアメリカ
  • 中東・アフリカ
    • トルコ
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • その他中東・アフリカ