SiCベースパワーエレクトロニクス：世界市場シェアとランキング、総販売および需要予測（2025年～2031年）

世界のSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模は2024年に48億7,200万米ドルと推定され、2025年から2031年の予測期間においてCAGR20.5％で推移し、2031年までに183億6,600万米ドルに拡大すると予測されております。

本レポートでは、SiCベースパワーエレクトロニクスに関する最近の関税調整と国際的な戦略的対抗措置について、越境的な産業フットプリント、資本配分パターン、地域経済の相互依存性、サプライチェーンの再構築を包括的に評価しております。

炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスは、ワイドバンドギャップ半導体部品であり、主にSiCショットキーバリアダイオード（SBD）、SiC MOSFET（ディスクリートおよびトレンチ/プラナーバリエーション）、SiC JFET、および集積型SiCパワーモジュールで構成されます。これらはシリコン製デバイスと比較して、はるかに高い絶縁破壊電圧、高速スイッチング、低い導通損失およびスイッチング損失、優れた熱性能を提供します。製品タイプは、車載充電器（OBC）やDC-DCコンバータに使用される低電圧（200-650 V以下）および自動車グレードの600-1200 VディスクリートMOSFETやSBDから、EVトラクションインバータ、太陽光発電／電力用インバータ、産業用モーター駆動装置、トラクション／鉄道アプリケーションに展開されるパッケージモジュールまで多岐にわたります。現在の主要用途は電気自動車（トラクションインバータおよび車載充電器）、急速充電器、再生可能エネルギー用インバータ、データセンター・通信機器用電源、産業用駆動装置が中心です。これらの分野ではSiCの効率性と熱特性が最も効果を発揮し、システムレベルのコストと効率のトレードオフがSiC採用を後押ししています。

SiCのエコシステム（バリューチェーン）は、上流の原材料・基板サプライヤー（バルクSiC結晶成長装置メーカーおよびウエハーメーカー）、エピタキシャル（エピ）ウエハーメーカー、デバイスファブ（前工程加工）、パワーモジュールおよびパッケージング専門企業、試験・認定サービス、下流のシステムインテグレーター／OEM（自動車ティア1サプライヤー、インバーターメーカー、データセンターPSUベンダー）に及びます。上流工程における集中化と生産能力（基板/エピタキシャル）は、コストと歩留まりを決定する戦略的ボトルネックです。中流のデバイスメーカーはプロセスIP（イオン注入、ゲート技術、トレンチまたは平面MOS構造）と自動車向けAEC-Q/TS規格への適合性を付加します。下流のプレーヤーはモジュールへの統合や冷却/熱管理ソリューションを推進しています。主要デバイスサプライヤーには、STマイクロエレクトロニクス、インフィニオン、ウルフスピード（クリー傘下）、ローム、オンセミ、東芝/三菱電機、ならびに複数の中国・日本の新興企業が名を連ねます。これらの企業が150～200mmウエハー生産を拡大し、モジュール提携を推進する中、競合は激化しています。業界の動向として注目すべき点は、単価低減のための200mm SiC製造への大規模移行（主要ベンダーが200mmロードマップを発表）、統合と垂直統合（基板・エピタキシー分野での買収・提携）、信頼性向上と自動車向け認証取得の推進、システムレベル最適化（SiC＋Siハイブリッドトポロジー、スマートなパッケージング・冷却技術）です。市場予測では、EV駆動システムや再生可能エネルギー分野におけるSiCの浸透拡大に伴い、複数年にわたる二桁のCAGRが見込まれます。ただし、供給状況や短期的な需要変動により、特定メーカーには変動が生じる可能性があります。

本レポートは、SiCベースパワーエレクトロニクスに関する世界市場を包括的に提示することを目的としております。総販売数量、売上高、価格、主要企業の市場シェアおよび順位に焦点を当てるとともに、地域・国別、タイプ別、用途別のSiCベースパワーエレクトロニクス分析を含みます。

SiCベースパワーエレクトロニクス市場の規模、推定・予測は、販売数量（千個）および売上高（百万米ドル）で提供され、2024年を基準年とし、2020年から2031年までの期間における過去データと予測データを含みます。定量的および定性的分析の両方を用いて、読者の皆様がビジネス/成長戦略の策定、市場競争の評価、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けの分析、SiCベースパワーエレクトロニクスに関する情報に基づいたビジネス上の意思決定を行うお手伝いをいたします。

市場セグメンテーション

企業別

• STMicroelectronics
• Infineon
• Wolfspeed
• Rohm
• onsemi
• BYD Semiconductor
• Microchip (Microsemi)
• Mitsubishi Electric (Vincotech)
• Semikron Danfoss
• Fuji Electric
• Navitas (GeneSiC)
• Toshiba
• San'an Optoelectronics
• Littelfuse
• CETC 55
• WeEn Semiconductors
• BASiC Semiconductor
• SemiQ
• Diodes Incorporated
• SanRex
• Alpha & Omega Semiconductor
• Bosch
• GE Aerospace
• KEC Corporation
• PANJIT Group
• Nexperia
• Vishay Intertechnology
• Zhuzhou CRRC Times Electric
• China Resources Microelectronics Limited
• StarPower
• Yangzhou Yangjie Electronic Technology
• Guangdong AccoPower Semiconductor
• Changzhou Galaxy Century Microelectronics
• Hangzhou Silan Microelectronics
• Cissoid
• Hebei Sinopack Electronic Technology
• PN Junction Semiconductor（Hangzhou）
• United Nova Technology
• InventChip Technology
• Leadrive Technology
• HAIMOSIC（SHANGHAI）
• Suzhou Sko Semiconductor
• Shenzhen Aishite Technology
• Suzhou Xizhi Technology
• Archimedes Semiconductor（Hefei）
• Grecon Semiconductor（Shanghai）

タイプ別セグメント

• SiC MOSFETモジュール
• SiC MOSFETディスクリート
• SiC SBD
• その他（SiC JFETおよびFET）

用途別セグメント

• 自動車およびEV/HEV
• EV充電
• 産業用モーター／ドライブ
• 太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電
• UPS、データセンターおよびサーバー
• 鉄道輸送
• その他

地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • 韓国
  • 東南アジア
  • インド
  • オーストラリア
  • その他アジア太平洋地域
• 欧州
  • ドイツ
  • フランス
  • 英国
  • イタリア
  • オランダ
  • 北欧諸国
  • その他欧州
• ラテンアメリカ
  • メキシコ
  • ブラジル
  • その他ラテンアメリカ
• 中東・アフリカ
  • トルコ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • その他中東・アフリカ