インドの半導体：市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2026～2031年）
India Semiconductor - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031)
- 発行日
- ページ情報
- 英文 197 Pages
- 納期
- 2～3営業日
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- 2125748
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概要
Mordor Intelligenceによると、インドの半導体市場規模は2026年に124億1,000万米ドルとなり、2031年までに174億2,000万米ドルに達すると予測されており、2026～2031年にかけてCAGR7.02％で拡大すると見込まれています。
本レポートは、デバイスタイプ（ディスクリート半導体、オプトエレクトロニクス、センサ・MEMS、集積回路）、集積回路タイプ（アナログ、マイクロ、ロジック、メモリ）、技術ノード（3nm以下、5nm、7nm、16nm、28nm、それ以上）、エンドユーザー産業（自動車、通信、家電、その他）ごとに分類されています。市場予測は金額（米ドル）ベースで提示されています。
インドの半導体市場の動向と洞察
政府のインセンティブ制度（PLI、DLI）
生産連動型インセンティブ（PLI）と設計連動型インセンティブ（DLI）プログラムの下で計7,600億インドルピー（91億米ドル）が投入されており、これにより適格プロジェクトの資本コストは最大50％削減され、かつては実現が困難だったグリーンフィールドのファブも商業的に採算が取れるようになっています。タタエレクトロニクスは、ドレラにおいて、成熟ノードで月産5万ウエハーを目標とする300mm施設の用地整備を開始しました。また、サナンドにあるマイクロンテクノロジーのバックエンド工場は、2024年末に最初のパッケージ済みメモリを出荷しました。2025年度連邦予算では、リソグラフィ装置と超高純度ガスに対する関税がさらに撤廃され、建設期間の短縮と輸入障壁の低減が図られました。これらの財政措置が相まって、インドの半導体市場はより垂直統合化された基盤へと導かれています。
輸送部門の急速な電動化
「ハイブリッド車と電気自動車の普及・製造促進（FAME）」スキームの下で、電気自動車の販売台数は急増しており、同スキームでは充電インフラに1,000億インドルピー（12億米ドル）が割り当てられています。高電圧の駆動系には、炭化ケイ素（SiC）MOSFET、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）、パワーマネジメントICが必要となり、これまではインドが輸入に依存してきたデバイスの需要を押し上げています。そのため、自動車セグメントのエンドユーザー売上高はCAGR8.66％で拡大すると予測されており、これはすべての業種の中で最も高い成長率となります。建設が予定されているドレラ工場では、生産能力の一部を電動二輪車と乗用車用のアナログ電源管理ICとマイクロコントローラに充てる予定であり、これにより海外ファウンドリへのサプライチェーン依存度が低減される見込みです。
先端ノードエンジニアリングにおける人材不足
インド電子・半導体協会（IESA）の推定によると、2027年までに8万5,000人の追加人材が必要と見込まれるにもかかわらず、設計、製造、テストの各セグメントで計30万人のエンジニアが不足するとされています。現地の大学はカリキュラムを拡充しており、インド半導体ミッションも奨学金や見習い制度のために50億インドルピー（6,000万米ドル）を計上していますが、主要な設計拠点では依然として20％を超える離職率が継続しています。この人材不足により、特に2nm以下のプロセスにおいて、テープアウトの遅延や量産開始までの期間の長期化が懸念されています。
セグメント分析
2025年には、トランジスタがディスクリートデバイスの売上高の48.92％を占めていましたが、電気自動車用充電器や再生可能エネルギー用インバータでは、スイッチング損失を最小限に抑える炭化ケイ素（SiC）ショットキー設計が好まれるため、ダイオードは2031年までCAGR7.82％で成長すると予想されています。したがって、FAMEプログラムに関連した全国的な充電器の導入に伴い、インドのディスクリートダイオードの半導体市場規模は拡大する見込みです。バリスタ、サイリスタ、過渡電圧サプレッサは、通信機器や民生用機器におけるサージ保護において依然として重要な役割を果たしており、バランスの取れた製品構成を確保しています。
2026年半ばの量産開始が予定されているCyient-AzimuthのARKA GKT-1システムオンチップは、ゲートドライバとMOSFETを1つのダイに集積しており、二輪車OEMの基板スペースを削減します。「Design Linked Incentive」スキームが化合物半導体を重視していることから、国内における窒化ガリウムトランジスタの開発が促進され、5G基地局機器や衛星端末の輸入依存度が低下する見込みです。産業用オートメーションやUPS（無停電電源装置）の用途において、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は引き続き大電流スイッチングセグメントを支配しており、ダイオードの出荷が加速する中でもトランジスタ需要の基盤となっています。
2025年には発光ダイオードがオプトエレクトロニクス売上高の38.83％を占めましたが、データセンターの400ギガビットと800ギガビットイーサネットへのアップグレードを反映し、レーザーダイオードはCAGR8.02％で発光ダイオードを上回る成長が見込まれています。主にCMOSからなるイメージセンサは、年間出荷台数1億5,000万台を超える活況を呈するスマートフォン市場を支えており、一方、オプトカプラは産業用モーター駆動装置において電気的絶縁を実現しています。
インド国内のオプトエレクトロニクス生産は依然として初期段階にあり、部品の80％以上が輸入に依存しているため、フォトニックICファブに対して資本金の15％を補助する段階的な製造プログラムが導入されています。BharatNetによる光ファイバー網の整備には、2030年までに約5,000万個の光トランシーバーが必要となり、垂直共振器表面発光レーザー（VCSEL）にとって相当規模の独占市場が創出される見込みです。ケララ州とテランガーナ州では、フォトニクス組立ラインの導入に向けた取り組みが進められており、インドの半導体市場における地域分散化の初期段階が示されています。
その他の特典
- エクセル形式の市場予測（ME）シート
- 3ヶ月間のアナリストによるサポート
よくあるご質問
目次
第1章 イントロダクション
- 調査の前提条件と市場の定義
- 調査範囲
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 市場情勢
- 市場概要
- 市場促進要因
- 政府のインセンティブ制度（PLI、DLI）
- 輸送部門の急速な電動化
- 5Gの展開とBharatNetによる光ファイバー網の拡大
- データセンターとAIワークロード
- 国内のGaN/SiCパイロットファブ
- 信頼性の高い防衛グレードのファブ認定
- 市場抑制要因
- 先端ノードエンジニアリングにおける人材不足
- 限られた超高純度水と電力インフラ
- 分散したOSAT生産能力
- 土地と環境に関する認可手続きの遅れ
- 産業バリューチェーン分析
- 規制とインセンティブの枠組み
- 技術展望
- ポーターのファイブフォース
- SWOT分析（インドのIC設計・ファブ・ATP）
- 投資分析（設備投資の動向と資金の流れ）
第5章 市場規模と成長予測
- デバイスタイプ別
- ディスクリート半導体
- ダイオード
- トランジスタ
- パワートランジスタ
- 整流器とサイリスタ
- その他のディスクリートデバイス
- オプトエレクトロニクス
- 発光ダイオード（LED）
- レーザーダイオード
- イメージセンサ
- オプトカプラ
- その他の光電子デバイス
- センサ・MEMS
- 圧力センサ
- 磁場センサ
- アクチュエータ
- 加速度センサとヨーレートセンサ
- 温度センサとその他のセンサ
- 集積回路
- 集積回路タイプ別
- アナログ
- マイクロ
- マイクロプロセッサ（MPU）
- マイクロコントローラ（MCU）
- デジタル信号プロセッサ
- ロジック
- メモリ
- 技術ノード（集積回路用）別
- 3nm以下
- 5nm
- 7nm
- 16nm
- 28nm
- 28nm超
- 集積回路タイプ別
- ディスクリート半導体
- エンドユーザー産業別
- 自動車
- 通信（有線と無線）
- 家電
- 産業
- コンピューティングとデータストレージ
- データセンター
- 人工知能
- 政府（航空宇宙・防衛）
第6章 競合情勢
- 市場集中度
- 戦略的動き（M&A、合弁事業、基本合意書）
- 市場シェア分析
- 企業プロファイル{世界全体概要、市場概要、主要セグメント、財務情報、戦略情報、市場順位/シェア、製品・サービス、最近の動向を含みます}
- Tata Electronics Private Limited
- Vedanta-Foxconn Semiconductors Limited
- Bharat Electronics Limited
- MosChip Technologies Limited
- Applied Materials India Private Limited
- ASM Technologies Limited
- Suchi Semiconductors Private Limited
- NXP Semiconductors N.V.
- HCL Technologies Limited
- Infineon Technologies AG
- Renesas Electronics Corporation
- STMicroelectronics N.V.
- Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation
- Intel Corporation
- Samsung Electronics Co., Ltd.
- Qualcomm Incorporated
- Micron Technology, Inc.
- Texas Instruments Incorporated
- MediaTek Inc.
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
第7章 市場機会と将来の展望
- 発行日
- 発行
- Mordor Intelligence
- ページ情報
- 英文 197 Pages
- 納期
- 2～3営業日
