トランジスタ：市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2026年～2031年）

Mordor Intelligenceによると、2026年のトランジスタ市場規模は200億2,000万米ドルと推定されており、2025年の186億3,000万米ドルから拡大し、2031年には286億6,000万米ドルに達すると予測されています。

2026年から2031年にかけては、CAGR7.46％で成長すると見込まれています。

本レポートは、トランジスタの種類（バイポーラ接合型トランジスタ（BJT）など）、材料（シリコン（Si）など）、技術ノード（65ナノメートル以上など）、パッケージタイプ（スルーホール、表面実装など）、エンドユーザー産業（民生用電子機器、情報通信技術（ICT）など）、および地域ごとに分類されています。市場予測は金額（米ドル）ベースで提示されています。

世界のトランジスタ市場の動向と洞察

省電力モバイルSoCへの需要急増

モバイル用システムオンチップ（SoC）のサプライヤーは、バッテリーを消耗させることなくデバイス上で推論タスクを実行するAIアクセラレータを統合するため、トランジスタ数を増やしています。チップアーキテクチャでは、高性能ロジックと、10 mW未満の待機電力に最適化されたアナログブロックが融合されており、購入基準は単価から「1操作あたりのジュール」へと移行しています。TSMCの3nm製造ラインは、主にスマートフォン向けSoCに対応するため、2025年に量産を開始しました。これは、ノード移行が依然としてモバイルワークロードに根ざしていることを浮き彫りにしています。設計者がニューラル処理コアと電源管理回路を単一のウエハー上に配置するにつれ、異種集積化によりウエハーレベルパッケージングの採用が促進されています。世界のスマートフォン出荷台数は頭打ちとなりましたが、1台あたりのシリコン使用量の増加により、トランジスタ市場全体の売上高の伸びが維持されています。

輸送手段および充電インフラの急速な電動化

電気自動車には、内燃機関車に比べて約10倍の半導体が組み込まれており、その大部分は、トラクションインバータ、車載充電器、DC-DCコンバータを制御する大電流トランジスタです。業界における400 Vシステムから800 Vシステムへの移行は、シリコンデバイスの安全動作領域を超えているため、自動車メーカーは定格1,200 VのSiC MOSFETやIGBTモジュールを指定するようになっています。東芝の新しい300 mm製造施設は、自動車用パワー半導体の生産量を3倍に増やすことを目指しており、この長期的なビジネスチャンスに対するサプライヤーの対応を示しています。公共の急速充電器の導入拡大もさらなる追い風となっています。各充電ステーションには複数のIGBTスタックとゲートドライバが組み込まれているためです。AEC-Q100規格への適合には最大2年もの設計サイクルを要するため、需要の見通しと供給の確保との間に持続的なギャップが生じ、これが堅調な価格形成を支えています。

3 nm以下のノードにおける量子トンネル効果の限界

3 nm未満の微細構造では、量子トンネル効果による許容できないレベルのリーク電流が発生し、これまでノード微細化を正当化してきたエネルギー・遅延の利点が損なわれています。ゲート・オール・アラウンド（GAA）ナノシートトランジスタは静電損失を部分的に軽減しますが、複雑なパターニング手順や高コストなEUVマルチパターニング工程を必要とします。そのため、ファウンダリ各社は、純粋なリソグラフィの微細化を追求するのではなく、ゲート長の緩やかな短縮と、3D積層やチプレットといったシステムレベルの革新を組み合わせることで、性能ロードマップの延長を図っています。現在、3 nm未満のマスクセット1セットのコストは1,000万米ドルを超えているため、金型費用を償却できるのは、生産量が最も多いコンシューマー向けおよびクラウド向けプロセッサに限られます。

セグメント分析

世界のIGBT売上高は、2026年から2031年にかけてCAGR8.66％で拡大すると予測されており、e-モビリティや再生可能エネルギー用インバーターが高効率のスイッチング部品を必要としていることから、トランジスタ市場全体の成長率を上回る見込みです。従来のBJTカテゴリーは、高速スイッチングや極端な耐電圧を必要としない、コスト重視の民生用および産業用設計に対応することで、2025年のトランジスタ市場規模において48.35％のシェアを維持しました。サプライヤー各社は、ウエハーレベルパッケージを活用し、スイッチング損失を競争力のある水準に抑えつつ、IGBTの定格電流を1,000 A以上に引き上げる取り組みを進めています。

ISO 26262を含む自動車安全基準は、拡張ミッションプロファイル試験を義務付けることで参入障壁を高めており、この要因がプレミアム価格設定を支え、業界の適度な集中化を強めています。NexperiaによるGaNおよびSiCプロセスへの2億米ドル規模の投資拡大は、シリコンIGBT構造の耐久性の限界を超える代替材料を求める顧客のロードマップと合致しています。電界効果トランジスタ（FET）はロジック用途において依然として不可欠ですが、ノードの微細化が鈍化し、スマートフォンやPCにおけるディスクリート部品の使用数が頭打ちとなっているため、そのシェア拡大は緩やかなものにとどまっています。

2025年のトランジスタ市場シェアにおいて、シリコンは68.85％を維持しましたが、トラクションインバータ、太陽光発電用インバータ、産業用ドライブが、スイッチング損失の低減が評価される1,200 V設計へと移行するにつれ、炭化ケイ素デバイスは2031年までに8.86％という最高のCAGRで推移すると予測されています。RFおよび急速充電器のパワーステージにおける窒化ガリウムのニッチ市場は拡大していますが、基板コストとウエハー歩留まりが、大量普及の障壁となっています。

SiCパイロットライン向けの「CHIPS法」に基づく専用助成金などの政府によるインセンティブにより、国内のファブにおける初期コストが軽減され、結晶成長への投資の回収期間が短縮されます。とはいえ、ワイドバンドギャップ材料のウエハー歩留まりはシリコンより20～30パーセントポイント低く、ダイコストを押し上げているため、その採用は、性能上のメリットによって割高なコストが正当化される用途に限定されています。SiC JFETオーディオアンプの実験室での実証は、電力変換以外の分野への適用範囲が拡大していることを示しており、ワイドバンドギャップ材料サプライヤーにとっての将来の多角化の道筋を示唆しています。

地域別分析

アジア太平洋地域は2025年に売上高の55.90％を占め、2031年までCAGR10.62％を記録すると予測されています。中国の国内ファウンダリは政策の要請に基づき28nmおよび14nmラインの拡大を進めていますが、最先端技術の制約により、台湾や韓国のファブからの調達が進んでいます。インドの生産連動型インセンティブプログラムにより、複数のOSAT企業による進出が発表されていますが、物流や熟練労働力の不足が依然として短期的な生産量を抑制しています。日本は、フォトレジスト、シリコンウエハー、成膜装置の供給において重要な役割を維持しており、ウエハーファブの生産能力は限られているもの、トランジスタ市場における存在感を維持しています。ベトナムやマレーシアといった新興の東南アジア拠点は、多国籍企業が中国沿岸部からの多角化を進める中で、セカンドソースとしての選択肢として台頭しています。

北米は、クラウドデータセンターの拡張、電気自動車の組立生産の拡大、および国内調達を優先する防衛プログラムの要件から恩恵を受けています。『CHIPS法』による520億米ドルの予算配分により、TSMC、サムスン、インテルによる複数のファブへの投資が実現し、長期的な供給の安定性が向上しています。カナダでは、5Gインフラやバッテリー式電気バスへの注力が、RFデバイスや高出力デバイスに対する専門的な需要を喚起しています。一方、米国国境に近いメキシコのEMSクラスターは、自動車業界のティア1サプライヤー向けにサービスを提供するトランジスタ組立ラインを誘致しています。サプライチェーンのレジリエンスを重視する地域政策は、人件費や建設費の高騰を部分的に相殺する価格プレミアムを支えています。

欧州のトランジスタ市場は、ドイツのeモビリティへの転換、フランスの航空宇宙セクター、そして非効率な電力変換にペナルティを課す地域全体の「グリーン・ディール」を中心に展開しています。ドイツのOEM各社は、インバーターのロードマップを安定させるため、SiCデバイスを単独調達しており、一方、フランスの防衛プログラムでは、過酷な宇宙線環境に耐える耐放射線性トランジスタが指定されています。欧州チップ共同事業体（European Chips Joint Undertaking）は、戦略的自立と測定可能なカーボンフットプリントの削減という二つの目的を掲げ、先進ノードのパイロットラインに資金を提供しています。ブレグジットに関連する貿易摩擦により、英国のOEM各社は欧州大陸のOSATからアセンブリをデュアルソーシングするよう促されており、ベネルクス地域における現地サプライヤーにとってシェア拡大の機会が生まれています。

その他の特典：

• エクセル形式の市場予測（ME）シート
• 3ヶ月間のアナリストによるサポート

よくあるご質問

• 2026年のトランジスタ市場規模はどのように予測されていますか？
  • 200億2,000万米ドルと推定されており、2025年の186億3,000万米ドルから拡大し、2031年には286億6,000万米ドルに達すると予測されています。CAGRは7.46%です。
• 世界のトランジスタ市場の動向はどのようなものですか？
  • 省電力モバイルSoCへの需要急増、輸送手段および充電インフラの急速な電動化、3 nm以下のノードにおける量子トンネル効果の限界などが挙げられます。
• IGBTの売上高はどのように予測されていますか？
  • 2026年から2031年にかけてCAGR8.66%で拡大すると予測されています。
• トランジスタ市場におけるシリコンのシェアはどのように推移していますか？
  • 2025年のトランジスタ市場シェアにおいて、シリコンは68.85%を維持しました。
• アジア太平洋地域のトランジスタ市場の成長率はどのように予測されていますか？
  • 2031年までCAGR10.62%を記録すると予測されています。
• トランジスタ市場における主要企業はどこですか？
  • onsemi Corporation、Infineon Technologies AG、STMicroelectronics N.V.、Texas Instruments Incorporated、Vishay Intertechnology, Inc.などです。

目次

第1章 イントロダクション

• 調査の前提条件と市場の定義
• 調査範囲

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 市場情勢

• 市場概要
• 市場促進要因
  • 省電力モバイルSoCへの需要が急増しています
  • 交通手段および充電インフラの急速な電動化
  • エッジにおけるAI/ML推論が、ディスクリートパワーデバイスの需要を牽引しています
  • 5Gから6GへのRFフロントエンドのアップグレード
  • ワイドバンドギャップファブ（SiC、GaN）に対する政府の奨励措置
  • 先進的なパッケージング技術（チップレット、3Dスタッキング）の採用
• 市場抑制要因
  • 3 nm以下のノードにおける量子トンネル効果による制約
  • 台湾および中国南部のサプライチェーンの集中
  • 人材不足を背景としたファブ建設投資の増加
  • 自動車用デバイスの高い認定コスト
• 業界のサプライチェーン分析
• 規制情勢
• 技術展望
• ポーターのファイブフォース分析

第5章 市場規模と成長予測

• トランジスタの種類別
  • バイポーラ接合トランジスタ（BJT）
  • 電界効果トランジスタ（FET）
  • 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）
  • ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）
• 素材別
  • シリコン（Si）
  • 炭化ケイ素（SiC）
  • 窒化ガリウム（GaN）
  • ゲルマニウム（Ge）
• 技術ノード別
  • 65 nm以上
  • 45～28 nm
  • 22～16 nm
  • 14～10 nm
  • 10 nm未満
• 包装タイプ別
  • スルーホール
  • 表面実装型
  • チップスケールパッケージ（CSP）
  • ウエハーレベルパッケージ（WLP）
• エンドユーザー産業別
  • 家庭用電子機器
  • ICT
  • 自動車・輸送産業
  • 工業製造
  • エネルギー・電力
  • 航空宇宙・防衛
  • ヘルスケアおよび医療機器
• 地域別
  • 北米
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
  • 南米
    • ブラジル
    • アルゼンチン
    • コロンビア
    • その他の南米諸国
  • 欧州
    • 英国
    • ドイツ
    • フランス
    • イタリア
    • スペイン
    • その他の欧州諸国
  • アジア太平洋
    • 中国
    • 日本
    • 韓国
    • インド
    • その他のアジア太平洋諸国
  • 中東・アフリカ
    • 中東
      • サウジアラビア
      • アラブ首長国連邦
      • その他の中東諸国
    • アフリカ
      • 南アフリカ
      • エジプト
      • その他のアフリカ諸国

第6章 競合情勢

• 市場集中度
• 戦略的動向
• 市場シェア分析
• 企業プロファイル
  • onsemi Corporation
  • Infineon Technologies AG
  • STMicroelectronics N.V.
  • Texas Instruments Incorporated
  • Vishay Intertechnology, Inc.
  • Diodes Incorporated
  • NXP Semiconductors N.V.
  • Renesas Electronics Corporation
  • Linear Integrated Systems, Inc.
  • ROHM Co., Ltd.
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
  • Microchip Technology Inc.
  • Broadcom Inc.
  • Samsung Electronics Co., Ltd.
  • Fuji Electric Co., Ltd.
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • Alpha and Omega Semiconductor Limited
  • Qorvo, Inc.
  • Wolfspeed, Inc.
  • Analog Devices, Inc.

第7章 市場機会と将来の展望