極端紫外線リソグラフィー：市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2026～2031年）

Mordor Intelligenceによると、2026年の極端紫外線リソグラフィー市場の規模は259億3,000万米ドルと推定されており、2025年の237億1,000万米ドルから成長し、2031年の予測値は405億4,000万米ドルとなり、2026～2031年にかけてCAGR9.35％で成長すると見込まれています。

本レポートは、製品タイプ（光源、ミラー・光学系、その他）、エンドユーザータイプ別（ファウンダリ、垂直統合型デバイスメーカー（IDM））、技術ノード（7nm以上、5nm、その他）、光源技術（レーザー生成プラズマ、ガス放電プラズマ、その他）、地域（北米、欧州、その他）によって分類されています。市場予測は金額（米ドル）ベースで提示されています。

世界の極端紫外線（EUV）リソグラフィー市場の動向と洞察

5nm未満ノードへの需要

2025年に予定されている2nmチップの量産計画では、EUV露光でしか実現できない線幅が求められています。TSMCはEUV装置群に123億米ドルを計上しており、この予算は3nm設計と比較して10～15％の速度向上、あるいは25～30％の消費電力削減を目標としています。スマートフォンやデータセンター用チップの購入企業は、すでにこれらのノードの注文を並べており、これによりベンダーは数年分の受注残を確保できています。その結果、EUVリソグラフィー市場は、ノードの微細化が進むにつれて、予測可能な出荷パイプラインを享受しています。

AI/5G/HPC用生産能力の拡大加速

AIアクセラレータ、5Gベースバンド用半導体、高帯域幅メモリは、いずれも微細ピッチのメタライゼーションを必要とします。TSMCの2024年第4四半期の売上高は前年同期比37％増の268億8,000万米ドルに達し、需要の規模を如実に示しています。この需要に対応するため、同社は2025年の設備投資予算として320億～360億米ドルを計上し、これには約60台のEUVスキャナーが含まれています。このような受注により、装置のリードタイムが短縮され、ペリクル、マスクブランク、レジストなどの小規模ベンダーも、EUVリソグラフィー市場の成長の波に乗ることになります。

1億5,000万米ドル以上のシステムコストとファブ改修の複雑さ

標準EUVスキャナーの定価は約1億5,000万米ドルですが、高NA（開口数）の機種ではその2倍以上の価格となります。また、ファブでもクリーンルームの気流、振動抑制、電力配線もアップグレードする必要があります。中小規模のファウンダリは、こうした支出の償却に苦慮しており、技術格差が生じるリスクがあり、EUVリソグラフィー市場の潜在的な顧客層が狭まる恐れがあります。DUVとEUVを並行して稼働させるデュアルレーン方式では、設備投資予算がさらに膨らみます。

セグメント分析

2025年のEUVリソグラフィー市場規模のうち、光源が45.85％を占めており、スキャナーにおいて最も高価なサブシステムであるという地位を裏付けています。現在のレーザー生成プラズマ（LPP）モジュールは、CO2レーザーのパルスとスズ滴を13.5nmの放射に変換していますが、変換効率が5％未満にとどまっていることから、自由電子方式への代替技術に関する調査が引き続き進められています。平均出力の高さも、高度なコレクターミラーのコーティングやデブリフィルターなどのアップグレードを促進しており、出力の安定性を保証するサービス契約により、サプライヤーには継続的な収益がもたらされています。

ペリクルは最も急成長している製品であり、2031年のCAGRは17.9％と予測されています。カーボンナノチューブ（CNT）膜は現在、97～98％の透過率を実現し、1,000Wの照射に耐えることができ、従来型窒化ケイ素膜から飛躍的な進歩を遂げています。主要なファウンダリ各社は、2nmプロセスフロー用のCNTペリクルの使用を承認しており、これにより、すべてのマスク層に保護が必要となる交換サイクルが始まっています。スケールの拡大により、すでに単価は低下しつつあります。

ファウンダリ企業が受託製造に依存しているため、2025年のEUVリソグラフィー市場において、ファウンダリが52.75％を占めました。ファウンダリは専門化により、スキャナーをロット単位で発注し、サービス容量を確保し、装置サプライヤーとプロセスを共同開発することができます。TSMC一社だけで、導入済みのEUV露光能力の56％を掌握しており、台湾における地理的な集積が、サプライチェーンの効率化と学習曲線によるコスト削減につながっています。

一方、IDM（垂直統合型半導体メーカー）はCAGR13.6％という速いペースで拡大しています。Intelの「IDM 2.0」モデルでは、自社ファブを外部顧客に開放すると同時に、2025年まで確保された高NA（開口数）の生産能力を追加しています。補助金交付により実効資本コストが低下し、純粋なファウンダリ企業との単位コストの差が縮小しています。IDM各社がゲートオール・アラウンド（GAA）トランジスタへ移行するにつれ、設計とプロセスのフィードバックループを社内に取り込むことになり、この優位性により、今後10年間でEUVリソグラフィー市場におけるIDM各社のシェアは上昇する見込みです。

地域別分析

アジア太平洋は、2025年の売上高の63.85％を占め、EUVリソグラフィー市場を牽引しました。台湾のTSMCだけでも、前述の123億米ドルのEUV予算により資金調達された約60台のスキャナーを導入しています。Samsungの韓国国内のファブでは、2025年第1四半期に初のHigh-NA装置を稼働させる予定です。HOYAなどの日本のサプライヤーは、EUVマスクブランクの主要供給源であり続けており、地域的な集積化をさらに強めています。

北米では勢いが増しています。「CHIPS法」では、オールバニのEUVアクセラレーターに8億2,500万米ドルが割り当てられており、Intelによる高NA装置の導入は、第一弾のスキャナーすべてへの早期アクセスという恩恵を受けています。エネルギー省の助成金により、ローレンス・リバモア国立研究所での次世代光源研究が資金提供されており、同地域はイノベーションの拠点としての地位を確立しています。

中東・アフリカは、基盤は小さいが、アラブ首長国連邦やサウジアラビアの政府系ファンドが、将来的には高度チップ供給を必要とするAIインフラに投資しているため、2031年までにCAGR10.9％で成長すると予測されています。米国の装置ベンダーとの初期段階の覚書には、パイロットファブやクリーンルームの設計が含まれており、エコシステムが成熟すればEUV導入への道が開かれる見込みです。

その他の特典

• エクセル形態の市場予測（ME）シート
• 3ヶ月間のアナリストサポート

よくあるご質問

• 2026年の極端紫外線リソグラフィー市場の規模はどのように予測されていますか？
  • 2026年の市場規模は259億3,000万米ドルと推定されており、2031年の予測値は405億4,000万米ドルとなります。2026～2031年にかけてCAGRは9.35％で成長すると見込まれています。
• EUVリソグラフィー市場における5nm未満ノードへの需要はどのように影響していますか？
  • 2025年に予定されている2nmチップの量産計画では、EUV露光でしか実現できない線幅が求められ、これによりEUVリソグラフィー市場は予測可能な出荷パイプラインを享受しています。
• AI/5G/HPC用生産能力の拡大はどのように進んでいますか？
  • TSMCは2025年の設備投資予算として320億～360億米ドルを計上し、約60台のEUVスキャナーを含めています。
• EUVスキャナーのシステムコストはどのくらいですか？
  • 標準EUVスキャナーの定価は約1億5,000万米ドルですが、高NAの機種ではその2倍以上の価格となります。
• 2025年のEUVリソグラフィー市場における光源の割合はどのくらいですか？
  • 2025年のEUVリソグラフィー市場規模のうち、光源が45.85％を占めています。
• ファウンダリ企業の市場シェアはどのくらいですか？
  • 2025年のEUVリソグラフィー市場において、ファウンダリが52.75％を占めています。
• IDM（垂直統合型半導体メーカー）の成長率はどのくらいですか？
  • IDMはCAGR13.6％という速いペースで拡大しています。
• アジア太平洋地域のEUVリソグラフィー市場の売上高はどのくらいですか？
  • アジア太平洋は2025年の売上高の63.85％を占めています。
• 北米におけるEUVリソグラフィー市場の動向はどうですか？
  • 北米では「CHIPS法」により、EUVアクセラレーターに8億2,500万米ドルが割り当てられ、Intelによる高NA装置の導入が進んでいます。
• 中東・アフリカ地域のEUVリソグラフィー市場の成長予測はどのくらいですか？
  • 中東・アフリカは2031年までにCAGR10.9％で成長すると予測されています。
• EUVリソグラフィー市場における主要企業はどこですか？
  • ASML Holding N.V.、Canon Inc.、Nikon Corporation、ZEISS SMT、Ushio Inc.、Gigaphoton Inc.、Cymer LLC、Toppan Photomasks Inc.、Hoya Corporation、AGC Inc.、Shin-Etsu Chemical Co.、JSR Corp.、Tokyo Ohka Kogyo（TOK）などです。

目次

第1章 イントロダクション

• 調査の前提条件と市場の定義
• 調査範囲

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 市場情勢

• 市場概要
• 市場促進要因
  • 5nm未満のロジック・メモリノードへの需要 <5nmロジックとメモリノード
  • AI・5G・HPCの生産能力拡大の加速
  • 政府による半導体補助金制度
  • 高NA（0.55 NA）EUVプラットフォームへの移行
  • ペリクル膜の技術的ブレークスルーによる生産性の飛躍的向上
  • ERLを用いたコンパクトなEUV光源の研究開発の進展
• 市場抑制要因
  • 1億5,000万米ドル以上のシステムコストとファブ改修の複雑さ
  • 単一ベンダーへの依存とサプライチェーンのボトルネック
  • EUVフォトレジストの確率的欠陥率
  • EUVの訓練を受けたフィールドサービスエンジニアの不足
• バリューチェーン分析
• 規制情勢
• 技術展望
• ポーターのファイブフォース分析
• マクロ経済要因の影響の評価

第5章 市場規模と成長予測

• 製品タイプ別
  • 光源
  • ミラー・光学系
  • マスク
  • ペリクル
  • マスクブランク
• エンドユーザータイプ別
  • ファウンダリ
  • 垂直統合型デバイスメーカー（IDM）
• 技術ノード別
  • 7nm以上
  • 5nm
  • 3nm
  • 2nm以下
• 光源技術別
  • レーザー生成プラズマ（LPP）
  • ガス放電プラズマ
  • 真空スパーク
  • ERL-EUV
• 地域別
  • 北米
    • 米国
    • カナダ
  • 南米
    • ブラジル
    • その他の南米諸国
  • 欧州
    • ドイツ
    • オランダ
    • 英国
    • フランス
    • イタリア
    • ロシア
    • その他の欧州諸国
  • アジア太平洋
    • 台湾
    • 韓国
    • 日本
    • 中国
    • シンガポール
    • その他のアジア太平洋諸国
  • 中東・アフリカ
    • 中東
      • GCC
      • トルコ
      • サウジアラビア
      • その他の中東諸国
    • アフリカ
      • 南アフリカ
      • その他のアフリカ

第6章 競合情勢

• 市場集中度
• 戦略的動向
• 市場シェア分析
• 企業プロファイル
  • ASML Holding N.V.
  • Canon Inc.
  • Nikon Corporation
  • ZEISS SMT
  • Ushio Inc.
  • Gigaphoton Inc.
  • Cymer LLC
  • Toppan Photomasks Inc.
  • Hoya Corporation
  • AGC Inc.
  • Shin-Etsu Chemical Co.
  • JSR Corp.
  • Tokyo Ohka Kogyo（TOK）
  • DuPont de Nemours Inc.
  • Carl Zeiss High-NA Systems
  • Eulitha AG
  • Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH
  • KLA Corporation
  • Applied Materials Inc.
  • Lam Research Corp.
  • Hitachi High-Tech Corp.
  • Inpria Corporation
  • JEOL Ltd.
  • Veeco Instruments Inc.
  • Onto Innovation Inc.

第7章 市場機会と将来の展望