ガリウムヒ素（GaAs）ウエハー：市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2026～2031年）
Gallium Arsenide GaAs Wafer - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031)
- 発行日
- ページ情報
- 英文 120 Pages
- 納期
- 2～3営業日
- 商品コード
- 2123025
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概要
Mordor Intelligenceによると、2026年のガリウムヒ素（GaAs）ウエハー市場規模は14億6,000万米ドルと推定されており、2025年の13億1,000万米ドルから拡大し、2031年には24億8,000万米ドルに達すると予測されています。
2026～2031年にかけては、CAGR11.27％で成長すると見込まれています。
本レポートは、用途別（無線周波数（RF）エレクトロニクス、その他）、ウエハー径別（2インチ、3インチ、4インチ、その他）、成長技術別（LEC、VGF、その他）、最終用途産業別（通信・5Gインフラ、その他）、導電性タイプ別（半絶縁性GaAs、半導電性GaAs）、地域（北米、その他）ごとに分類されています。市場予測は金額（米ドル）で提示されています。
世界のガリウムヒ素（GaAs）ウエハー市場の動向と洞察
5Gインフラの展開がGaAs RF需要を牽引
通信事業者は、高密度な5Gマクロセルとスモールセル基地局を展開しており、これらには28GHzをはるかに超える周波数域で線形出力を維持できるパワーアンプが必要ですが、シリコンLDMOSではこの領域で性能が低下します。ガリウムヒ素ウエハーは、約8,500cm2/V*sの電子移動度を実現し、都市部でのカバレッジを確保するためのマッシブMIMOアレイにおいて、信号の完全性を維持する高効率なフロントエンドモジュールを可能にします。ネットワークベンダー各社は、垂直統合型のGaAsメーカーと複数年にわたる供給契約を締結しており、これにより4Gハードウェアの更新サイクルが2027年まで予測可能な需要へと転換されています。
光電子デバイスのブーム（VCSEL、レーザー）
ハイパースケールデータセンターは、低遅延と低消費電力を実現するため、GaAsベースのVCSELアレイを採用した400Gと800G光通信デバイスへ移行しています。スマートフォンメーカーは生体認証モジュールに3Dセンシング用VCSELを組み込んでおり、自動車OEM各社はLiDAR用にGaAsレーザーを採用しています。エピタキシャル再成長技術の進歩により放熱性が向上し、デバイスの寿命が延び、ウエハーの平均販売価格（ASP）の高水準が維持されています。
Si・SiCと比較した高い製造コスト
GaAs結晶の引き出しには、加圧されたヒ素ガス環境と有毒ガスの取り扱いが必要であり、これにより設備投資（CapEx）と運用コスト（Opex）がシリコンよりも高くなります。4インチや6インチといった小型形態では、300mmシリコンの「ウエハーあたりのダイ数」における経済性に及ばず、価格に敏感な民生用ガジェットにおけるGaAsの採用を制限しています。
セグメント分析
2025年には、パワーアンプやスイッチが5Gインフラのアップグレードにおいて依然として中核をなしているため、無線周波数（RF）エレクトロニクスが売上高の43.65％を占めました。ガリウムヒ素（GaAs）ウエハー市場規模におけるこの割合は、スモールセルの高密度化計画に伴い、着実に上昇すると予測されています。VCSEL相互接続やAR/VR用光学素子に牽引されるフォトニクス・イメージングデバイスは、CAGR13.25％で他のすべての用途を上回る成長が見込まれており、これによりガリウムヒ素（GaAs）ウエハー市場の将来の出荷量は再構築される見込みです。
スマートフォンメーカーがVCSELベースの顔認証モジュールを統合するにつれ、セグメント横断的な需要の波及が生じており、共通の6インチエピタキシャルラインにおけるフォトニクスとRFの生産量の両方を押し上げています。GaAsを用いた太陽電池は依然として宇宙船用のニッチ市場にとどまっていますが、新たなヘテロ統合の概念により、多接合設計が地上の集光型アレイに導入される可能性があります。
4インチ基板は、成熟した製造設備のおかげで依然として売上高の35.85％を占めていますが、生産能力に関する発表によると、6インチラインがCAGR12.85％で増加分の需要の大部分を吸収することになります。この移行により、1回の製造あたりのダイ数が向上し、固定費が分散されるため、ガリウムヒ素（GaAs）ウエハー市場全体の平均販売価格（ASP）は低下する方向へと向かっています。
装置ベンダー各社は、6インチを超える規模への拡大に向けて、温度勾配の制御やヒ素蒸気の管理に取り組んでいます。初期の8インチパイロット生産は有望な結果を示していますが、商用展開にはさらなる欠陥率の低減が必要です。
地域別分析
アジア太平洋は、エピタキシャル製造ラインの集積、充実した下請け基盤、政府主導の5Gインフラ整備により、2025年にはガリウムヒ素（GaAs）ウエハー市場の60.10％を占めました。政府の優遇措置により、中国本土では化合物半導体ファブの拡大が進んでおり、一方、台湾と韓国はファウンダリと装置セグメントでの相乗効果を通じて、供給の多様性を強化しています。
北米は、安全な国内生産を必要とする航空宇宙・防衛セグメントの需要に支えられ、第2位にランクインしています。最近の「CHIPS法」によるインセンティブにより、レーダーや衛星プログラム用の半絶縁材料専用の新しい結晶成長炉やクリーンルームへの資金が供給され、長期的な国内供給体制が確固たるものとなっています。
欧州は、自動車と産業用オートメーションセグメントで依然として強みを発揮しています。ティア1サプライヤーは、ADASレーダーや工場用センシングを支援するためにGaAsパワーデバイスを調達しており、一方で、厳格な環境指令がウエハー再生に関する循環型経済の調査を後押ししています。EUによる協調的な資金提供により、150mm化合物半導体ウエハーのパイロットラインが支援されており、アジアとの生産能力の格差を縮めることが目指されています。
その他の特典
- エクセル形態の市場予測（ME）シート
- 3ヶ月間のアナリストによるサポート
よくあるご質問
目次
第1章 イントロダクション
- 調査の前提条件と市場の定義
- 調査範囲
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 市場情勢
- 市場概要
- 市場促進要因
- 5Gインフラの展開によるGaAs RF需要の後押し
- 光電子デバイスのブーム（VCSEL、レーザー）
- 航空宇宙・防衛セグメントにおける高周波レーダーの採用
- アジアのエピタキシー生産能力の拡大による供給の増加と平均販売価格（ASP）の低下
- AR/VRウェアラブル機器におけるMicro-LEDの採用
- リモートエピタキシーによる基板の再利用に伴うウエハーコストの削減
- 市場抑制要因
- Si・SiCと比較した高い製造コスト
- ガリウムの供給集中と輸出規制
- RF/パワーセグメントにおけるGaNとSiCの競合
- 環境と安全に関するコンプライアンス
- 産業バリューチェーン分析
- 規制情勢
- 技術展望
- ポーターのファイブフォース分析
第5章 市場規模と成長予測
- 用途別
- 無線周波数（RF）エレクトロニクス
- 光・赤外線LED
- 太陽光発電・太陽電池
- フォトニクス・イメージングデバイス
- その他
- ウエハー径別
- 2インチ（50mm）
- 3インチ（76mm）
- 4インチ（100mm）
- 6インチ（150mm）
- 8インチ（200mm）以上
- 成長技術別
- 液体封入式チョクラルスキー法（LEC）
- 垂直勾配凍結（VGF）
- 水平型ブリッジマン法（HB）
- 分子ビームエピタキシー（MBE）
- 金属有機化学気相成長法（MOCVD）
- 最終用途産業別
- 通信・5Gインフラ
- 家庭用電子機器
- 航空宇宙・防衛
- 自動車（ADAS、EV）
- 産業・エネルギー
- 導電性タイプ別
- 半絶縁性GaAs
- 半導電性GaAs（n型・p型）
- 地域別
- 北米
- 米国
- カナダ
- メキシコ
- 南米
- ブラジル
- アルゼンチン
- その他の南米諸国
- 欧州
- ドイツ
- 英国
- フランス
- イタリア
- その他の欧州諸国
- アジア太平洋
- 中国
- 日本
- 韓国
- インド
- その他のアジア太平洋諸国
- 中東
- サウジアラビア
- アラブ首長国連邦
- その他の中東諸国
- アフリカ
- 南アフリカ
- その他のアフリカ
- 北米
第6章 競合情勢
- 市場集中度
- 戦略的動向
- 市場シェア分析
- 企業プロファイル
- AXT Inc.
- China Crystal Technologies Co. Ltd.
- Freiberger Compound Materials GmbH
- Semiconductor Wafer Inc.
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.
- Wafer Technology Ltd.
- Vital Materials Co., Ltd.
- DOWA Electronics Materials Co., Ltd.
- American Elements, Inc.
- IQE plc
- WIN Semiconductors Corp.
- Advanced Wireless Semiconductor Co.
- Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd.（VPEC）
- IntelliEPI, Inc.
- Global Communication Semiconductors, LLC
- Roditi Ltd.
- Veeco Instruments Inc.
- Applied Materials, Inc.
- AIXTRON SE
第7章 市場機会と将来の展望
- 発行日
- 発行
- Mordor Intelligence
- ページ情報
- 英文 120 Pages
- 納期
- 2～3営業日