パワー半導体：市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2026年～2031年）
Power Semiconductor - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031)
- 発行日
- ページ情報
- 英文 120 Pages
- 納期
- 2～3営業日
- 商品コード
- 2122656
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概要
Mordor Intelligenceによると、パワー半導体市場の規模は2025年に568億7,000万米ドルと評価され、2026年の599億8,000万米ドルから2031年までに782億5,000万米ドルに達すると予測されており、予測期間（2026年～2031年）におけるCAGRは5.46％となる見込みです。
本レポートは、コンポーネント別（ディスクリート、モジュール、パワーIC）、材料別（シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム、その他）、エンドユーザー産業別（自動車、家庭用電子機器・家電、ICT、産業・製造、エネルギー・電力、航空宇宙・防衛、医療・医療機器、その他）、および地域別に分類されています。市場予測は金額（米ドル）ベースで提示されています。
世界のパワー半導体市場の動向と洞察
EVおよび充電インフラへの需要の急増
電気自動車（EV）では、駆動系の効率を高め、充電時間を短縮するSiC MOSFETへの依存度が高まっています。800 Vシステムへの移行を進める自動車メーカーは、インバーターの損失を低減するためにSiCを指定しており、オンセミコンダクターとフォルクスワーゲンの契約などのFORVIA（供給保証契約）が、チップからモジュールまでの垂直統合された安定供給を確保し、割り当てリスクを軽減していることがその証拠です。並列DC急速充電器の導入には、8 kWから1 MWのパワーブロックが必要であり、これにより車両搭載分だけでSiCの需要が実質的に倍増することになります。自動車グレード製品の歩留まりは依然として課題となっているため、IDM各社は自社内の基板生産能力を増強し、コスト曲線を安定させ、利益率を確保しています。
5G基地局の普及
GaN高電子移動度トランジスタは、6 GHz未満およびミリ波周波数帯において、LDMOSよりも高い利得と効率を実現します。通信事業者が高騰するエネルギーコストに対処する中、スモールセルの高密度化により、GaNの出荷量は10年末までに4倍に増加すると見込まれます。NXPは、Si LDMOSとGaNダイを組み合わせたマルチチップ・マッシブMIMOモジュールを提供しており、これによりアンテナアレイが統合され、熱設計が簡素化されます。パワー半導体サプライヤーは、225°Cを超えるホットスポット温度に対応するため、焼結型ダイアタッチ材料を採用しています。通信業界が総所有コスト（TCO）を重視する中、効率の漸進的な向上が運用コスト（OPEX）の削減につながり、次の段階の展開においてGaNの採用が定着しつつあります。
シリコンウエハー供給逼迫のサイクル
ウエハーの総需要は現在、認定生産能力を上回っており、メモリサプライヤーにおける在庫削減が短期的な購買行動に歪みをもたらしています。地政学的摩擦によりファブ建設コストが膨らむ一方、水使用制限により、干ばつが発生しやすい地域での新規用地確保が制限されています。中国からの新規参入企業が価格競争を展開しており、サプライチェーン全体で利益率が圧迫されています。フロントエンド設備の受注は回復の兆しを見せていますが、PCやスマートフォンといったエンド市場の低迷により、生産量の回復は鈍化しており、これは景気循環的な不均衡というよりは、構造的な不均衡を露呈しています。
セグメント分析
パワーICは、2025年のパワー半導体市場規模に大きく寄与しており、2031年までCAGR6.02％で拡大する見込みです。自動車用バッテリー管理ユニットには、コンパクトなPMICフットプリントで実現されるマルチレールレギュレータおよび機能安全診断機能が求められています。インフィニオンのISO 26262準拠製品「OPTIREG TLF35585」は、安全関連の電子制御ユニットを支えており、シングルチップ・パワーマネジメントの動向を示しています。大電流経路においてはディスクリートデバイスが依然として不可欠であり、売上高シェアの44.60％を維持しています。しかし、スペースに制約のあるサブシステムにおいて、設計者がコスト最適化されたモジュールやICソリューションを好む動向があるため、ディスクリートデバイスのシェアは徐々に低下しています。
サプライヤーのロードマップでは、ゲート駆動、センシング、保護機能を統合したインテリジェント・パワー・モジュール内にGaNまたはSiCダイを組み込んでおり、これによりインバータや充電器アセンブリの市場投入までの時間を短縮しています。モジュールの統合は、社内にパッケージングの専門知識を持たない中規模の産業用および住宅用エネルギー顧客にとってメリットとなります。一方、民生用電子機器のODMは、基板レベルの柔軟性と価格面での利点を活かすため、アダプター設計において依然としてディスクリートMOSFETを調達しています。ディスクリート、モジュール、ICの各形式が共存することで、パワー半導体市場はより豊かになり、性能とコストの最適なバランスを実現することが可能となります。
地域別分析
2025年、アジア太平洋地域はパワー半導体市場シェアの51.35％を占め、2031年までCAGR6.74％を維持しました。中国は、国の補助金と垂直統合されたサプライチェーンに支えられ、SiCおよびGaNの生産能力拡大を牽引しています。インドは、1日あたり1,500万ユニットを目標とする7,600カロールインドルピー規模のOSATキャンパスの建設を急ピッチで進めており、組立工程の国内回帰を図る意向を示しています。台湾と韓国は、それぞれ先進パッケージングとメモリ分野でのリーダーシップを守り続けており、日本は上流材料分野での主導権を強化しています。
北米は、「CHIPS法」による500億米ドルの奨励措置の恩恵を受けており、これによりWolfspeed、Bosch、および海外からの新規参入企業による既存工場の転換や新規ファブの建設が促進されています。自動車、防衛、データセンターの各クラスターが需要を集中させ、現地調達要件を後押ししています。SEMIは、2027年までに同地域のファブ設備投資額が2倍の247億米ドルに達すると予測しており、長期的な規模拡大を裏付けています。
欧州は、自動車および再生可能エネルギー政策の整合性を活用し、SiCおよびGaNの普及を促進しています。ドイツで承認された50億ユーロ規模のドレスデン工場は、自給率向上に向けた官民連携の好例です。フランスとイタリアは、最先端のモジュールおよび基板に関するノウハウを維持するため、追加の助成金パッケージを提供しています。中東・アフリカ、ラテンアメリカの新興市場では、依然としてコスト意識が高く、成熟したシリコンプラットフォームを採用しつつ、ユーティリティ規模の太陽光発電や鉄道の電化向けにWBGを段階的に試験導入しています。
その他の特典：
- エクセル形式の市場予測（ME）シート
- 3ヶ月間のアナリストによるサポート
よくあるご質問
目次
第1章 イントロダクション
- 調査の前提条件と市場の定義
- 調査範囲
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 市場情勢
- 市場概要
- 市場促進要因
- EVおよび充電インフラに対する需要の急増
- 5G基地局の普及
- 再生可能エネルギー主導の電力変換市場の成長
- 産業用オートメーションおよびモーター駆動システムのアップグレード
- HAPSおよび全電気式航空機用パワートレイン
- アジアにおける急速充電対応の2／3輪EVアーキテクチャ
- 市場抑制要因
- シリコンウエハーの供給逼迫サイクル
- 高コスト／WBGデバイスの設計の複雑さ
- 高密度EV用インバーターにおける熱的限界
- GaNエピタキシー装置に対する輸出規制
- バリュー・サプライチェーン分析
- 規制情勢
- 技術展望
- ポーターのファイブフォース分析
- 投資分析
第5章 市場規模と成長予測
- コンポーネント別
- ディスクリート
- 整流器
- バイポーラ
- MOSFET
- IGBT
- その他のディスクリート部品（サイリスタ、HEMTなど）
- モジュール
- サイリスタモジュール
- IGBTモジュール
- MOSFETモジュール
- インテリジェント・パワー・モジュール（IPM）
- パワーIC
- PMIC（マルチチャンネル）
- スイッチングレギュレータ（AC/DC、DC/DC、アイソ/非アイソ）
- リニアレギュレータ
- バッテリー管理IC
- その他のパワーIC
- ディスクリート
- 材料別
- シリコン
- 炭化ケイ素（SiC）
- 窒化ガリウム（GaN）
- その他
- エンドユーザー産業別
- 自動車
- 家庭用電子機器および家電製品
- ICT（ITおよび通信）
- 産業・製造
- エネルギー・電力（再生可能エネルギー、送電網）
- 航空宇宙・防衛
- 医療機器
- その他（鉄道、船舶）
- 地域別
- 北米
- 米国
- カナダ
- メキシコ
- 欧州
- ドイツ
- フランス
- 英国
- イタリア
- その他の欧州諸国
- アジア太平洋
- 中国
- 日本
- 韓国
- インド
- その他のアジア太平洋諸国
- 南米
- ブラジル
- アルゼンチン
- その他の南米諸国
- 中東
- イスラエル
- サウジアラビア
- アラブ首長国連邦
- その他の中東諸国
- アフリカ
- 南アフリカ
- エジプト
- その他のアフリカ諸国
- 北米
第6章 競合情勢
- 市場集中度
- 戦略的動向
- 市場シェア分析
- 企業プロファイル
- Infineon Technologies AG
- Texas Instruments Incorporated
- Qorvo Inc.
- STMicroelectronics N.V.
- NXP Semiconductors N.V.
- ON Semiconductor Corporation
- Renesas Electronics Corporation
- Broadcom Inc.
- Toshiba Corporation
- Mitsubishi Electric Corporation
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Semikron Danfoss GmbH and Co. KG
- Wolfspeed Inc.
- ROHM Co., Ltd.
- Vishay Intertechnology Inc.
- Nexperia B.V.
- Alpha and Omega Semiconductor Ltd.
- Magnachip Semiconductor Corp.
- Microchip Technology Inc.
- Littelfuse Inc.
- Navitas Semiconductor Corp.
- Power Integrations Inc.
- Monolithic Power Systems Inc.
第7章 市場機会と将来の展望
- 発行日
- 発行
- Mordor Intelligence
- ページ情報
- 英文 120 Pages
- 納期
- 2～3営業日
