スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）：市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2026～2031年）
Static Random Access Memory (SRAM) - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031)
- 発行日
- ページ情報
- 英文 123 Pages
- 納期
- 2～3営業日
- 商品コード
- 2122290
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概要
Mordor Intelligenceによると、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）の市場規模は2025年に17億1,000万米ドルと評価され、2026年の18億1,000万米ドルから2031年までに23億7,000万米ドルに達すると予測されており、予測期間（2026～2031年）におけるCAGRは5.56％となる見込みです。
本レポートは、機能別（非同期SRAM、同期SRAM）、製品タイプ別（疑似SRAM、不揮発性SRAM、その他の製品タイプ）、メモリ密度別（8Mb以下、8～64Mb、64～256Mb、256Mb超）、エンドユーザー別（家庭用電子機器、産業、通信インフラ、その他）、地域（北米、南米、欧州、アジア太平洋、中東・アフリカ）ごとに分類されています。
世界のスタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）市場の動向と洞察
高速キャッシュメモリに対する需要の高まり
2025年に出荷された高度なCPUとGPUは、推論レイテンシを短縮するためにより大容量のオンチップキャッシュを搭載しており、IntelのXeon 6はキャッシュの最適化により1.4倍の性能向上を実現しました。TSMCの2nmプラットフォームは、競合する18Aノードよりも高いSRAMセル密度を実現し、ハイパースケール顧客にワットあたりのL3キャッシュ容量を増加させました。マーベル社は、6Gbの低消費電力メモリを搭載した2nmカスタムSRAMを発表し、従来型ノードと比較してエネルギー消費を66％削減しました。こうした革新により、AIアクセラレータはモデルパラメータを演算ユニットにより近くに保持できるようになり、スループットを維持しつつDRAMトラフィックを抑制することが可能になりました。その結果、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）市場は、データセンターとエッジ用シリコンにおける継続的な容量アップグレードの恩恵を受けました。
データセンター・5Gネットワークの拡大
クラウド事業者は、AIサーバーをホストするためにラック密度を2倍に高め、これによりトップ・オブラックスイッチにおけるSRAMベースパケットバッファーの利用が拡大しました。Microsoftは、サーバーホールで246～275GHzの無線バックプレーンを検査導入しましたが、そこではマイクロ秒単位のバッファリングに高速SRAMが活用されました。シスコのコンバージド5Gトランスポートは決定論的なレイテンシを促進し、ルーターに大規模なSRAMキューを必要としました。コーニング社は、AIラック1台あたりのファイバー需要が18倍に急増すると予測しており、これは同期SRAMを基盤とするスイッチバッファのスケール拡大を反映しています。このインフラの波は、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）市場の短期的な収益展望を強固なものにしました。
DRAM/NANDと比較した高いビット単価
SRAMは、汎用DRAMに比べてビットあたりのコストが依然として数倍高かったため、設計者は大衆市場用ガジェットでの使用量を削減せざるを得ませんでした。2025年上半期にはDDR4モジュールの価格が約50％上昇し、メモリスタック全体にわたる価格変動の激しさが浮き彫りになりました。Samsungは供給逼迫を好機としてLPDDR4の価格を引き上げましたが、その戦略は、部品コストを抑えるためにSRAMとDRAMを組み合わせたハイブリッドアーキテクチャへのOEM各社の関心を加速させるリスクを伴っていました。その結果、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）市場は、密度とコストのトレードオフが改善されるまで、エントリーレベルのコンシューマーセグメントにおいて反発に直面しました。
セグメント分析
2025年、同期SRAMはスタティックランダムアクセスメモリ市場で58.05％のシェアを占め、CPU、GPU、ネットワークASICにおける決定論的なキャッシュ動作に不可欠であることを裏付けました。自動車用MCUでは、運転支援ワークロードの厳しいリアルタイム要件を満たすために、同期SRAMアレイが採用されました。高度なプロセスノードにより周波数範囲が拡大し、コア電圧が低減されるにつれ、このセグメントは引き続き主導的な地位を維持する見込みです。
非同期SRAMはCAGR 6.21％で拡大し、消費電力の制約がレイテンシの目標を上回るIoTウェアラブル機器やエッジゲートウェイへの採用がますます進みました。省エネルギー設計によりクロックツリーが排除され、基板レイアウトが簡素化されたことは、Syntiantのニューラルコプロセッサを採用するバッテリー駆動の医療機器にとって大きな恩恵となりました。この分岐は、画一的な性能追求ではなく、アプリケーションに特化した最適化に向かうSRAM市場の動向を浮き彫りにしました。
疑似SRAMは、SRAMスタイルのインターフェースの背後にDRAMセルを組み込むことで、システムレベルでのリフレッシュ管理を必要とせずに高密度化を実現し、2025年には54.02％のシェアを占めました。RAAAM Memory TechnologiesとNXPは、従来型高密度SRAMと比較して面積を50％削減し、消費電力を10分の1に低減したと主張しており、これは大衆市場用のマイクロコントローラにとって魅力的なものでした。
不揮発性SRAM（nvSRAM）は、工場や自動車において電圧低下時のデータ整合性が求められるようになったことから、CAGR8.42％という最も高い成長率を記録しました。産業用オートメーションセグメントの企業は、プロセス変数を保護し、コストのかかるダウンタイムを回避するために、nvSRAMモジュールを採用しました。ニッチな市場ではありますが、このセグメントは付加価値の高い耐障害性機能により、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）市場の市場情勢を豊かにしました。
地域別分析
アジア太平洋は、台湾のファウンダリ産業における優位性、韓国のメモリ技術革新、中国の規模拡大への取り組みに後押しされ、2025年においてもスタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）市場シェアの61.02％を維持しました。SK Hynixが世界のDRAM生産量の36％を占めるまでに成長したことは、同地域の技術力の深さを浮き彫りにしました。しかし、2024年の台湾地震は集中リスクを露呈させ、日本やシンガポールでの緊急用ファブ建設を促しました。日本は2026年度に半導体製造装置の売上高が5兆5,100億円（383億5,000万米ドル）に達すると予測されており、生産能力の継続的な拡大が強調されています。
中東・アフリカは、湾岸地域を3大陸にまたがるデータハブとして位置づけるための政府系ファンドによる投資に支えられ、7.23％という最も高いCAGRを記録しました。同地域の倉庫自動化市場は、2025年までに年率17.5％の成長で16億米ドルに達すると見込まれており、信頼性の高いオンボードキャッシュへの需要を牽引しています。アフリカのエネルギープロジェクトでは、2030年までに7,300億米ドルの新規設備投資が計上されており、決定論的な応答を実現するためにSRAMに依存する産業用制御システムが必要とされています。
北米ではAIデータセンターの展開に注力する一方、欧州では430億ユーロ規模の「チップス法」を通じて、自国主導体制の強化に力を入れています。STMicroelectronicsは、イタリアの炭化ケイ素（SiC）キャンパス建設のために50億ユーロ（54億米ドル）を確保し、特殊なSRAMも消費するパワーエレクトロニクスセグメントにおける地域的な競合を拡大しました。しかし、人材不足が事業拡大の脅威となっており、ASMLは移民規制が強化された場合、事業拠点を移転する可能性があると警告しています。こうした対照的な状況は、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）市場を形作る、地域による多様な要因を浮き彫りにしています。
その他の特典
- エクセル形態の市場予測（ME）シート
- 3ヶ月間のアナリストサポート
よくあるご質問
目次
第1章 イントロダクション
- 調査の前提条件と市場の定義
- 調査範囲
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 市場情勢
- 市場概要
- 市場促進要因
- 高速キャッシュメモリに対する需要の高まり
- データセンター・5Gネットワークの拡大
- IoT・ウェアラブルデバイスの普及
- チップレット用3D集積型SRAM
- 低地球軌道（LEO）衛星用耐放射線性SRAM
- インメモリAIアクセラレータの導入
- 市場抑制要因
- DRAM/NANDと比較した高いビット単価
- 5nm以下のノードにおける消費電力の増大
- 新興NVM（MRAM/ReRAM）による市場シェアの置き換え
- リソグラフィのばらつきによる歩留まりの低下
- バリューチェーン分析
- 規制情勢
- 技術展望
- ポーターのファイブフォース分析
- マクロ経済要因の影響
第5章 市場規模と成長予測
- 機能別
- 非同期SRAM
- 同期SRAM
- 製品タイプ別
- 疑似SRAM（PSRAM）
- 不揮発性SRAM（nvSRAM）
- その他
- メモリ密度別
- 8Mb以下
- 8～64Mb
- 64～256Mb
- 256Mb超
- エンドユーザー別
- 家庭用電子機器
- 産業
- 通信インフラ
- 自動車・航空宇宙
- その他
- 地域別
- 北米
- 米国
- カナダ
- メキシコ
- 南米
- ブラジル
- アルゼンチン
- その他の南米諸国
- 欧州
- ドイツ
- 英国
- フランス
- イタリア
- ロシア
- その他の欧州諸国
- アジア太平洋
- 中国
- 日本
- 韓国
- インド
- 台湾
- その他のアジア太平洋諸国
- 中東・アフリカ
- 中東
- トルコ
- イスラエル
- GCC
- その他の中東諸国
- アフリカ
- 南アフリカ
- ナイジェリア
- その他のアフリカ
- 中東
- 北米
第6章 競合情勢
- 市場集中度
- 戦略的動向
- 市場シェア分析
- 企業プロファイル
- GSI Technology Inc.
- Cypress Semiconductor Corp.（Infineon）
- Renesas Electronics Corp.
- Integrated Silicon Solution Inc.
- Alliance Memory Inc.
- Everspin Technologies Inc.
- Samsung Electronics Co., Ltd.
- Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.
- STMicroelectronics N.V.
- SK hynix Inc.
- Micron Technology Inc.
- Nanya Technology Corp.
- Winbond Electronics Corp.
- Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
- Chiplus Semiconductor Corp.
- Powerchip Semiconductor Mfg. Corp.
- Puya Semiconductor Technology Co., Ltd.
- Lyontek Inc.
- ON Semiconductor Corporation
- Texas Instruments Incorporated
- Integrated Device Technology Inc.
- NXP Semiconductors N.V.
- Etron Technology Inc.
- Espressif Systems（Shanghai）Co., Ltd.
- SKYHigh Memory Ltd.
第7章 市場機会と将来の展望
- 発行日
- 発行
- Mordor Intelligence
- ページ情報
- 英文 123 Pages
- 納期
- 2～3営業日
