GaN半導体デバイス：市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2026年～2031年）
GaN Semiconductor Devices - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031)
- 発行日
- ページ情報
- 英文 164 Pages
- 納期
- 2～3営業日
- 商品コード
- 2121381
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概要
Mordor Intelligenceによると、2026年のGaN半導体デバイスの市場規模は48億3,000万米ドルと推定されており、2025年の41億3,000万米ドルから拡大し、2031年には105億5,000万米ドルに達すると予測されています。
2026年から2031年にかけては、CAGR 16.92％で成長すると見込まれています。
本レポートは、デバイスタイプ別（パワー半導体など）、コンポーネント（トランジスタなど）、定格電圧（100V未満など）、ウエハーサイズ（2インチなど）、基板技術（GaN-On-SiCなど）、パッケージング（表面実装など）、エンドユーザー産業（自動車・モビリティなど）、地域（北米、南米、欧州、アジア太平洋、中東・アフリカ）ごとに分類されています。
世界のGaN半導体デバイス市場の動向と洞察
中国のOEM各社のロードマップに牽引され、65～240 WのUSB-C PD対応GaN充電器が普及
中国の家電ブランドが、超コンパクトなUSB PD（ユニバーサル・シリアル・バス・パワーデリバリー）充電器への急速な移行を牽引しました。2024年に発売されたモデルは、最大240 Wの出力を実現しつつ、シリコン製同等品に比べて体積を40％縮小し、小売価格を35％引き下げました。Anker社の「GaN Prime」シリーズは、1.8 W/cm3を超える電力密度を実現し、ポケットサイズの筐体内でノートパソコンやスマートフォンへのマルチプロトコル充電を可能にしました。コスト削減により、アジア太平洋地域・北米全域で主流製品としての普及が促進され、その販売台数の増加がGaN半導体デバイス市場全体に波及しています。
アジア・インドにおける5G Massive-MIMOマクロセルの展開には、200 Wを超えるGaN-on-SiC PAが必要
中国、インド、日本のモバイルネットワーク事業者は、2024年に3.5 GHz以上のGaN-on-SiCパワーアンプを採用したマクロ基地局を15,000基以上導入しました。この切り替えにより、消費電力が25％削減され、通信範囲が18％拡大し、ある大手日本通信事業者では、年間1,800万米ドルの運営費削減につながりました。このような経済効果は、GaN PAの採用を確固たるものにし、GaN半導体デバイス市場全体における潜在収益を拡大させています。
200 mm GaN-on-Siエピタキシャルウエハーの限られた供給チェーンにおけるボトルネック
2024年時点で、200mm GaNエピタキシャルウエハーを製造する認定サプライヤーは10社未満でした。歩留まりはシリコンのベンチマークより15～20％低く、これにより生産量が制約され、高価格帯が維持されています。ある欧州のティア1自動車部品サプライヤーでは、6か月の生産遅延が発生し、2,800万ユーロ（3,020万米ドル）相当の戦略的在庫バッファを余儀なくされました。こうしたボトルネックが、GaN半導体デバイス市場における短期的な供給量に重くのしかかっています。
セグメント分析
GaN半導体デバイス市場におけるパワー半導体分野は、2025年に54.78％のシェアを占め、2031年までCAGR18.41％で拡大すると予測されています。データセンター事業者は、効率98.2％に達するGaNサーバー用電源へのアップグレードにより、施設あたり230万米ドルのコスト削減を実現しました。5GマッシブMIMOインフラや防衛用レーダーによる堅調な需要に支えられ、RFデバイス市場もこれに続きました。市場の成熟に伴い、戦略的な分岐点が示されました。インフィニオンなどのシリコン系既存企業は、自動車グレードのGaN MOSFET製品ラインを拡大した一方、ウルフスピードのようなRF専門企業は、3.5 GHzを超えるマクロセル向けに、GaN-on-SiCの熱的余裕を活用しました。集積型パワーステージの提供企業は、ディスクリート製品の販売にとどまらず、より高い利益率を獲得しました。したがって、GaN半導体デバイス市場では、業界再編と垂直統合の両方が進行しており、規模の経済が強化されています。
2025年には、高電子移動度トランジスタ（HEMT）が売上高の56.63％を占めましたが、モノリシックパワーICはCAGR29.55％で、他のすべてのカテゴリーを上回りました。ある中国のスマートフォンOEMメーカーは、ディスクリートスイッチを単一のGaN ICに置き換えることで、充電器の部品表（BOM）コストを18％削減し、部品点数を45％削減して、生産量の拡大を加速させました。集積化により電磁両立性が向上し、寄生成分が低減されます。こうした利点により、GaN半導体デバイス市場はシステム・イン・パッケージ（SiP）設計へと移行しつつあります。モジュールサプライヤーは高出力用途に対応している一方、ダイオードの販売は補助整流用途において堅調に推移しています。
100～650 Vの電圧帯は、民生用、データセンター、48 Vの産業用電源レールに対応しているため、2025年においても69.72％のシェアを維持しました。一方、650 V超の帯域は、800 Vの駆動アーキテクチャに牽引され、CAGR 39.67％で急成長しています。ある高級EVブランドは、900 VのGaNステージを採用することで、10～80％の充電時間を28分に短縮し、SiCと比較して充電器の質量を3.2 kg削減しました。この移行により、新たな絶縁・試験規格が求められ、純粋な半導体サプライヤーにとって課題となっています。とはいえ、GaN半導体デバイス市場では、650 Vを超える信頼性を実証できる企業に報いがもたらされ、収益性の高い自動車分野の価値源を開拓することが可能となります。
地域別分析
アジア太平洋地域は2025年の売上高の37.85％を占め、CAGR28.35％で最も急速な成長を遂げました。中国におけるガリウムの調達可能性と政府の補助金により、Innoscience社は競合他社より35％低いコストで世界最大の8インチGaN-on-Si工場を運営することができました。韓国の家電大手や日本の自動車大手は、大量発注を行う主要顧客となり、需要と生産能力の成長という好循環を支えました。北米は引き続きイノベーションの温床であり続けました。連邦政府のCHIPS助成金3,500万米ドルにより、グローバルファウンドリーズはバーモント州におけるGaNの生産能力を拡大することができました。防衛関連企業は、GaNベースのフェーズドアレイレーダーを導入し、探知範囲を42％拡大すると同時に消費電力を18％削減しました。これは、GaN半導体デバイス市場にも波及する、任務遂行に不可欠な成果を示しています。欧州では、高級自動車・産業使用事例を優先しました。ケンブリッジ・GaN・デバイズ社は、事業拡大のために3,050万ユーロ（3,310万米ドル）を調達しましたが、これは欧州の高出力ニッチ市場に対する投資家の信頼を反映したものです。ドイツの大手OEM企業は、充電器の効率97.8％を達成し、部品点数を30％削減することに成功し、EUのエコデザイン指令に準拠しました。ラテンアメリカ、中東・アフリカは現在、シェアは小規模ですが、エネルギー価格とインフラ整備が相まって、通信やスマートシティプロジェクトにおいて有望な普及の兆しを見せています。
その他の特典：
- エクセル形式の市場予測（ME）シート
- 3ヶ月間のアナリストによるサポート
よくあるご質問
目次
第1章 イントロダクション
- 調査の前提条件と市場の定義
- 調査範囲
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 市場情勢
- 市場概要
- 市場促進要因
- 中国のOEMメーカーのロードマップを牽引役として、65～240 WのUSB-C PD対応GaN充電器が普及
- アジア・インドにおける5G Massive-MIMOマクロセルの展開には、200 Wを超えるGaN-on-SiCパワーアンプが必要
- 800 V EVプラットフォームへの移行が、双方向GaN OBC・DC-DCコンバータの採用を促進
- 重量が重要なモア・エレクトリック航空機・eVTOLのパワートレインにおけるGaNコンバータの選定
- LEOコンステレーション衛星におけるGaN Ku/KaバンドSSPAへの移行
- 日本・EUのファブ向け優遇措置がGaNの生産能力拡大を加速
- 市場抑制要因
- 200 mm GaN-on-Siエピタキシャルウエハーの供給チェーンにおけるボトルネック
- ゲートの信頼性に関する課題：自動車用グレード0認定における175°C超の条件
- 新興市場における3.5 GHz未満のマクロPAにおけるLDMOSとのコスト差
- EモードGaN QFN／CSPパッケージにおける断片化されたテスト／パッケージング・エコシステム
- バリューチェーン分析
- 規制・技術の展望
- ポーターのファイブフォース分析
- マクロ経済要因が市場に与える影響
第5章 市場規模と成長予測
- デバイスタイプ別
- パワー半導体
- RF半導体
- 光半導体
- コンポーネント別
- トランジスタ（HEMT／FET）
- ダイオード（ショットキー、PiN）
- 整流器
- パワーIC（モノリシック、マルチチップ）
- モジュール（ハーフブリッジ、フルブリッジ）
- 定格電圧別
- 100V未満
- 100～650V
- 650V超
- ウエハーサイズ別
- 2インチ
- 4インチ
- 6インチ以上（8インチのパイロット生産を含む）
- 基板技術別
- GaN on SiC
- GaN on Si
- GaN on Sapphire
- バルクGaN
- 650～1200V
- 1200V超
- パッケージング別
- 表面実装（QFN、DFN）
- スルーホール（TO-220、TO-247）
- チップスケールパッケージ（CSP）
- ベアダイ
- エンドユーザー産業別
- 自動車・モビリティ
- 電気自動車（EV）
- 充電インフラ
- コンシューマーエレクトロニクス
- スマートフォン用急速充電器
- ノートPC・タブレット用充電器
- ゲーム機・VR
- 通信・データ通信
- 5G基地局
- データセンター用電源
- 産業・エネルギー
- ソーラーインバーター
- モータードライブ
- 電源ユニット（SMPS）
- 航空宇宙・防衛
- レーダーシステム
- 電子戦
- 衛星ペイロード
- 医療
- MRI・CT
- ポータブル医療機器
- 自動車・モビリティ
- 地域別
- 北米
- 米国
- カナダ
- メキシコ
- 南米
- ブラジル
- アルゼンチン
- その他の南米諸国
- 欧州
- ドイツ
- 英国
- フランス
- イタリア
- スペイン
- その他の欧州諸国
- アジア太平洋
- 中国
- 日本
- 韓国
- インド
- 台湾
- その他のアジア太平洋諸国
- 中東・アフリカ
- 中東
- サウジアラビア
- アラブ首長国連邦
- トルコ
- その他の中東諸国
- アフリカ
- 南アフリカ
- その他のアフリカ諸国
- 中東
- 北米
第6章 競合情勢
- 市場集中度
- 戦略的動向
- 市場シェア分析
- 企業プロファイル
- Efficient Power Conversion Corporation
- Navitas Semiconductor
- Transphorm Inc.
- Innoscience Technology Co., Ltd.
- MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
- Tagore Technology Inc.
- VisIC Technologies Ltd.
- Cambridge GaN Devices Ltd.
- NexGen Power Systems, Inc.
- Qromis, Inc.
- EPC Space LLC
- Analog Devices, Inc.
- Power Integrations, Inc.
- Ommic SAS
- Wolfspeed GaN Solutions
- Ampleon Netherlands B.V.
- Integra Technologies, Inc.
- RFHIC Corporation
- Sumitomo Electric Device Innovations Inc.
- Infineon Technologies AG
- STMicroelectronics N.V.
- Qorvo Inc.
第7章 市場機会と将来の展望
- 発行日
- 発行
- Mordor Intelligence
- ページ情報
- 英文 164 Pages
- 納期
- 2～3営業日
